Datasheet下载- 型号： APT60D40LCTG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT60D40LCTG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT60D40LCTG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT60D40LCTG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT60D40LCTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT60D40LCTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的APT60D40LCTG是一款二极管整流器阵列，属于功率半导体器件。其应用场景主要集中在需要高效整流、保护和电源管理的领域。以下是该型号的具体应用场景分析： 1. 电源管理系统 - APT60D40LCTG适用于各种电源管理场景，例如直流-直流转换器、开关电源（SMPS）以及电池充电电路。它能够实现高效的电流整流，降低功耗并提高系统效率。 - 在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑或手机）的充电器中，这款二极管阵列可用于整流和反向电流保护。 2. 通信设备 - 在通信基站、路由器和其他网络设备中，该器件可作为电源模块中的整流组件，确保稳定的电压输出。 - 它还可用作信号隔离或浪涌保护，防止过压对敏感电路造成损害。 3. 工业自动化 - 工业控制设备（如PLC、变频器和伺服驱动器）中，APT60D40LCTG可以用于输入整流、续流保护或能量回收功能。 - 其高耐压能力（40V）和大电流承载能力（60A峰值）使其非常适合高压工业环境。 4. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，这款二极管阵列可用于发电机整流桥、逆变器和DC-DC转换器中。 - 它还能够提供反向电池保护和负载突降保护，增强系统的可靠性和安全性。 5. 消费类电子产品 - 在家用电器（如冰箱、空调和洗衣机）中，APT60D40LCTG可用于电机驱动电路中的整流和续流功能。 - 它还可以用作LED驱动电路中的整流元件，支持高效节能的照明解决方案。 6. 太阳能与储能系统 - 在光伏逆变器和储能系统中，这款器件可用于整流和功率转换，帮助优化能源利用率。 - 其低正向压降特性有助于减少能量损耗，提高整体效率。 总结 APT60D40LCTG凭借其高性能参数（如低正向压降、高电流承载能力和高可靠性），广泛应用于电源管理、通信设备、工业自动化、汽车电子、消费类电子产品以及新能源领域。这些应用场景均依赖于其卓越的整流性能和保护功能，从而满足现代电子设备对效率和稳定性的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ARRAY 400V 60A TO264 |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6431-apt60d40lct-g-b-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT60D40LCTG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 60A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 250µA @ 400V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24976 |
| 供应商器件封装 | TO-264 [L] |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 37ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 热阻 | 0.34°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 400V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 60A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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