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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6793-apt25m100j-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APT25M100J |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWER MOS 8™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9835pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 305nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 330 毫欧 @ 18A,10V |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
功率-最大值 | 545W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A |