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  • 型号: APT25M100J
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APT25M100J由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT25M100J价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT25M100J封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APT25M100J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT25M100J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6793-apt25m100j-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog

产品图片

产品型号

APT25M100J

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

POWER MOS 8™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 2.5mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9835pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

305nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

330 毫欧 @ 18A,10V

供应商器件封装

ISOTOP®

功率-最大值

545W

包装

管件

安装类型

底座安装

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

标准包装

10

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A

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