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型号： APT20N60SC3G
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供APT20N60SC3G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT20N60SC3G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT20N60SC3G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak。您可以下载APT20N60SC3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT20N60SC3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的APT20N60SC3G是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于功率MOSFET类别。这款器件具有以下主要特点和应用场景：

 主要特点：
1. 高耐压：该MOSFET的漏源击穿电压（Vds）高达600V，适用于高压应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻（Rds(on)）较低，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关特性：具备较快的开关速度，适合高频开关应用，减少开关损耗。
4. TO-220封装：采用标准的TO-220封装形式，易于安装和散热设计。

 应用场景：
1. 电源管理：
   - APT20N60SC3G广泛应用于各种开关电源（SMPS）中，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压输入下保持高效运行。
   
2. 电机驱动：
   - 用于驱动各类电机，特别是直流无刷电机（BLDC）和步进电机。其快速开关特性和高电流承载能力可以有效控制电机的启动、停止和调速。

3. 逆变器：
   - 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，APT20N60SC3G可用于将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率和可靠性。

4. 不间断电源（UPS）：
   - 在UPS系统中，该MOSFET可以用于电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时能够迅速切换到电池供电模式，保障设备的持续运行。

5. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，APT20N60SC3G可用于实现精确的电流控制和信号隔离，保证系统的稳定性和响应速度。

6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   - 在车载充电器、DC-DC转换器以及电机控制器中，该MOSFET凭借其高性能和可靠性，成为关键组件之一。

总之，APT20N60SC3G由于其优异的电气性能和广泛的适用性，在电力电子领域有着重要的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Microsemi Power Products Group
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	APT20N60SC3G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CoolMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	114nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 13.1A，10V
供应商器件封装	D3Pak
功率-最大值	208W
包装	管件
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20.7A （Tc）