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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供APT20M22JVRU3由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT20M22JVRU3价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT20M22JVRU3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 底座安装 N 沟道 200V 97A(Tc) 450W(Tc) SOT-227。您可以下载APT20M22JVRU3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT20M22JVRU3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6751-apt20m22jvru3-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APT20M22JVRU3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 290nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 48.5A,10V |
供应商器件封装 | SOT-227 |
功率-最大值 | 450W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 97A |