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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供APT17N80BC3G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT17N80BC3G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT17N80BC3G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 208W(Tc) TO-247-3。您可以下载APT17N80BC3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT17N80BC3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT17N80BC3G 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有高电压和中等电流特性,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (Switching Power Supplies) - APT17N80BC3G 的高耐压能力(800V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关场景,例如 AC-DC 转换器、直流-直流转换器(DC-DC Converter)等。 - 在这些应用中,MOSFET 用作高频开关元件,以提高效率并减小电源设备的体积。 2. 电机驱动 (Motor Drive) - 该 MOSFET 可用于低功率至中功率电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗,提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器 (Inverter) - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,APT17N80BC3G 可用于将直流电转换为交流电。 - 它能够承受高电压波动,并在高频条件下保持较低的功耗。 4. 负载开关 (Load Switch) - 该器件可用作负载开关,控制高电压负载的通断。例如,在工业设备或家用电器中,用于保护电路免受过载或短路的影响。 5. PFC 电路 (Power Factor Correction) - 在功率因数校正电路中,APT17N80BC3G 可作为主开关器件,用于提升输入功率因数,满足电网对谐波失真的要求。 6. 保护电路 (Protection Circuit) - 由于其高耐压特性,该 MOSFET 可用于过压保护、过流保护和短路保护电路中,确保系统在异常情况下安全运行。 7. 继电器替代 (Relay Replacement) - 在需要高可靠性和长寿命的应用中,APT17N80BC3G 可替代传统机械继电器,用于控制高电压负载的切换。 特性总结: - 额定电压:800V - 连续漏极电流:约 17A(取决于封装和散热条件) - 低导通电阻:优化了导通损耗 - 快速开关性能:适合高频应用 总之,APT17N80BC3G 凭借其高耐压、低损耗和快速开关特性,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要处理高电压和中等电流的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | APT17N80BC3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 11A,10V |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
功率-最大值 | 208W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |