ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > APT106N60B2C6
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
APT106N60B2C6产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供APT106N60B2C6由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT106N60B2C6价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT106N60B2C6封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 106A(Tc) 833W(Tc) T-MAX™ [B2]。您可以下载APT106N60B2C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT106N60B2C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT106N60B2C6 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的典型应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - APT106N60B2C6 的高电压耐受能力(600V 额定电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 在工业控制和消费电子中,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。其高电压和电流处理能力适合于步进电机、直流无刷电机(BLDC)等应用。 - 适用于需要高效功率转换和精确控制的场景。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS 系统中,APT106N60B2C6 可作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电。 - 其高击穿电压和低功耗特性有助于提升系统的整体效率和可靠性。 4. 负载切换 - 用于汽车电子或工业设备中的负载切换电路。例如,控制大功率灯泡、加热器或其他高功率负载的通断。 - 在这些应用中,MOSFET 的低导通电阻可以显著降低发热,延长设备寿命。 5. PFC(功率因数校正)电路 - 在 PFC 应用中,APT106N60B2C6 可作为主开关器件,帮助提高输入功率因数并减少谐波失真。 - 适用于需要符合严格 EMC 标准的电力电子设备。 6. 保护电路 - 由于其高耐压特性和快速响应能力,该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护或浪涌抑制电路。 - 在电池管理系统(BMS)中,也可用于防止过充或过放。 总结 APT106N60B2C6 的主要优势在于其高电压耐受性、低导通电阻和快速开关性能,因此广泛应用于需要高效功率转换和可靠控制的场景。无论是工业、汽车还是消费类电子产品,这款 MOSFET 都能提供出色的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6586-apt106n60b2c6-a-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | APT106N60B2C6 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 3.4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8390pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 308nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 53A,10V |
供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
功率-最大值 | 833W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 106A (Tc) |