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Datasheet下载- 型号： APT106N60B2C6
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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APT106N60B2C6产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT106N60B2C6由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT106N60B2C6价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT106N60B2C6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX™ [B2]。您可以下载APT106N60B2C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT106N60B2C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6586-apt106n60b2c6-a-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT106N60B2C6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 3.4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 308nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 53A，10V |
| 供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
| 功率-最大值 | 833W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 106A （Tc） |
