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  • 型号: APT10078BLLG
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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APT10078BLLG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APT10078BLLG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT10078BLLG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT10078BLLG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]。您可以下载APT10078BLLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT10078BLLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5639-apt10078b-sll-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog

产品图片

产品型号

APT10078BLLG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

POWER MOS 7®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2525pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

780 毫欧 @ 7A,10V

供应商器件封装

TO-247 [B]

功率-最大值

403W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

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