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APT10078BLLG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供APT10078BLLG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT10078BLLG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT10078BLLG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]。您可以下载APT10078BLLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APT10078BLLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Microsemi Power Products Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5639-apt10078b-sll-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
产品图片 | |
产品型号 | APT10078BLLG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | POWER MOS 7® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2525pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 780 毫欧 @ 7A,10V |
供应商器件封装 | TO-247 [B] |
功率-最大值 | 403W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |