Datasheet下载- 型号： ALD910025SAL
- 制造商： Advanced Linear Devices
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD910025SAL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD910025SAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD910025SAL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ALD910025SAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD910025SAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET DUAL SAB 2.5V 8SOICMOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 pA |
| Id-连续漏极电流 | 100 pA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD910025SALSAB™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD910025SAL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.1 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 1014-1265-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 商标名 | SAB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 应用 | 超级电容器自动平衡 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | 2 N-通道（双） |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-额定 | 2.5V |
| 系列 | ALD910025S |
| 配置 | Dual |
| 额定电流 | 80mA |
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