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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOICMOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
Id-连续漏极电流 | 12 mA |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD210800SCLEPAD®, Zero Threshold™ |
数据手册 | |
产品型号 | ALD210800SCL |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 20mV @ 10µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 欧姆 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
其它名称 | 1014-1210 |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
商标 | Advanced Linear Devices |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-16 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 10 V |
漏极连续电流 | 12 mA |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/advanced-linear-devices-precision-n-channel-mosfet/3624 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80mA |
系列 | ALD210800S |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Quad Dual Common Source |