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  • 型号: ALD114904ASAL
  • 制造商: Advanced Linear Devices
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ALD114904ASAL产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOICMOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

2 N 沟道(双)配对

Id-连续漏极电流

12 mA

品牌

Advanced Linear Devices Inc

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD114904ASALEPAD®

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产品型号

ALD114904ASAL

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-漏源导通电阻

500 Ohms

Vds-漏源极击穿电压

10 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10.6 V

Vgs-栅源极击穿电压

10.6 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

380mV @ 1µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2.5pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 欧姆 @ 3.6V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC

其它名称

1014-1062

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

500mW

包装

管件

商标

Advanced Linear Devices

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

500 Ohms

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 70 C

最小工作温度

0 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

0.0014 S

汲极/源极击穿电压

10 V

漏极连续电流

12 mA

漏源极电压(Vdss)

10.6V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12mA, 3mA

系列

ALD114904A

通道模式

Depletion

配置

Dual

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