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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD114835SCL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD114835SCL价格参考。Advanced Linear DevicesALD114835SCL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ALD114835SCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD114835SCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Depletion |
描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOICMOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
Id-连续漏极电流 | 12 mA |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD114835SCLEPAD® |
mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
数据手册 | |
产品型号 | ALD114835SCL |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.45V @ 1µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 欧姆 @ 0V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
其它名称 | 1014-1060 |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
商标 | Advanced Linear Devices |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-16 |
工厂包装数量 | 48 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 48 |
正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12mA, 3mA |
系列 | ALD114835S |
通道模式 | Depletion |
配置 | Quad |