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  • 型号: ALD114835SCL
  • 制造商: Advanced Linear Devices
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ALD114835SCL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD114835SCL价格参考。Advanced Linear DevicesALD114835SCL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ALD114835SCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD114835SCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Depletion

描述

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOICMOSFET Quad EPAD(R) N-Ch

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

耗尽模式

FET类型

4 N 沟道,配对

Id-ContinuousDrainCurrent

12 mA

Id-连续漏极电流

12 mA

品牌

Advanced Linear Devices Inc

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD114835SCLEPAD®

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产品型号

ALD114835SCL

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

540 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vds-漏源极击穿电压

10 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10.6 V

Vgs-栅源极击穿电压

10.6 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.45V @ 1µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2.5pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 欧姆 @ 0V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

16-SOIC

其它名称

1014-1060

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

500mW

包装

管件

商标

Advanced Linear Devices

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-16

工厂包装数量

48

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 70 C

最小工作温度

0 C

标准包装

48

正向跨导-最小值

0.0014 S

漏源极电压(Vdss)

10.6V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12mA, 3mA

系列

ALD114835S

通道模式

Depletion

配置

Quad

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