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  • 型号: ALD110804PCL
  • 制造商: Advanced Linear Devices
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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ALD110804PCL产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Depletion

描述

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIPMOSFET QUAD/DUAL N-CHANNEL

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

4 N 沟道,配对

Id-ContinuousDrainCurrent

12 mA

Id-连续漏极电流

12 mA

品牌

Advanced Linear Devices Inc

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD110804PCLEPAD®

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产品型号

ALD110804PCL

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

500 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vds-漏源极击穿电压

10 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10.6 V

Vgs-栅源极击穿电压

10.6 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

420mV @ 1µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2.5pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 欧姆 @ 4.4V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

16-PDIP

其它名称

1014-1022

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

500mW

包装

管件

商标

Advanced Linear Devices

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

16-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

PDIP-16

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 70 C

最小工作温度

0 C

标准包装

25

正向跨导-最小值

0.0014 S

漏源极电压(Vdss)

10.6V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12mA, 3mA

系列

ALD110804P

通道模式

Depletion

配置

Quad

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