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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ALD110800PCL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 20mV @ 1µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 欧姆 @ 4V |
供应商器件封装 | 16-PDIP |
其它名称 | 1014-1018 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |