ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > ALD1105PBL
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1105PBL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1105PBL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1105PBL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 通孔 14-PDIP。您可以下载ALD1105PBL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD1105PBL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIPMOSFET Dual P&N-Ch. Pair |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 N 和 2 P 沟道(双)配对 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.8 mA |
Id-连续漏极电流 | 4.8 mA, - 2 mA |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1105PBL- |
mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
数据手册 | |
产品型号 | ALD1105PBL |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms, 1800 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V, - 10.6 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 13.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 13.2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 欧姆 @ 5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 14-PDIP |
其它名称 | 1014-1010 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
商标 | Advanced Linear Devices |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | PDIP-14 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 0.0018 S, 0.00067 S |
汲极/源极击穿电压 | +/- 12 V |
漏极连续电流 | 4.8 mA |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
系列 | ALD1105P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |