ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ALD1105PBL
Datasheet下载- 型号： ALD1105PBL
- 制造商： Advanced Linear Devices
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1105PBL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1105PBL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1105PBL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 N 和 2 P 沟道（双）配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 通孔 14-PDIP。您可以下载ALD1105PBL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD1105PBL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD1105PBL 是由 Advanced Linear Devices Inc. 生产的晶体管阵列，具体为 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）阵列。这款器件具有低阈值电压和高精度的特点，适用于多种电子电路设计，尤其在需要精确控制电流和电压的应用中表现出色。 应用场景 1. 电源管理： ALD1105PBL 可用于各种电源管理系统中，例如电池充电器、DC-DC 转换器等。其低阈值电压特性使得它能够在低压环境中高效工作，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 模拟开关： 该器件可以作为高性能模拟开关使用，广泛应用于音频设备、通信系统和数据采集系统中。其低导通电阻和快速开关速度确保了信号传输的高保真度和低失真。 3. 传感器接口： 在传感器接口电路中，ALD1105PBL 可以用于信号调理和放大。其高精度和低噪声特性使其非常适合处理微弱的传感器信号，如温度传感器、压力传感器等。 4. 保护电路： 由于其出色的过流保护和短路保护能力，ALD1105PBL 常被用于设计保护电路，防止电路因过载或短路而损坏。它可以快速响应并切断电流路径，确保系统的安全性和可靠性。 5. 可编程逻辑控制器 (PLC)： 在工业自动化领域，ALD1105PBL 可用于 PLC 的输入输出模块中，实现对数字信号和模拟信号的精确控制。其低功耗和高集成度有助于简化电路设计，降低成本。 6. 便携式电子设备： 对于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，ALD1105PBL 的小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择。它可以有效管理设备中的电源分配，延长电池寿命。 7. 医疗设备： 在医疗电子设备中，如心电图机、血压计等，ALD1105PBL 的高精度和稳定性至关重要。它可以确保测量结果的准确性，提升设备的可靠性和安全性。 总之，ALD1105PBL 凭借其优异的性能和广泛的适用性，在多个领域都有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIPMOSFET Dual P&N-Ch. Pair |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 N 和 2 P 沟道（双）配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.8 mA |
| Id-连续漏极电流 | 4.8 mA, - 2 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1105PBL- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD1105PBL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms, 1800 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10.6 V, - 10.6 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 13.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 13.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 欧姆 @ 5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 14-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1010 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-14 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0018 S, 0.00067 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 漏极连续电流 | 4.8 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | ALD1105P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
