【ALD1101APAL/规格参数】厂家_ALD1101APAL中文资料_价格

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型号： ALD1101APAL
制造商： Advanced Linear Devices
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ALD1101APAL产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1101APAL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供ALD1101APAL价格参考以及Advanced Linear DevicesALD1101APAL封装/规格参数等产品信息。你可以下载ALD1101APAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD1101APAL详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8DIPMOSFET Dual N-Channel Pair
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	2 N 沟道（双）配对
Id-ContinuousDrainCurrent	40 mA
Id-连续漏极电流	40 mA
品牌	Advanced Linear Devices Inc
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1101APAL-
mouser_ship_limit	根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。
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产品型号	ALD1101APAL
Pd-PowerDissipation	500 mW
Pd-功率耗散	500 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	75 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	75 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 12 V
Vds-漏源极击穿电压	12 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	13.2 V
Vgs-栅源极击穿电压	13.2 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	10pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	75 欧姆 @ 5V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-PDIP
其它名称	1014-1000
功率-最大值	500mW
包装	管件
商标	Advanced Linear Devices
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装/外壳	8-DIP（0.300"，7.62mm）
封装/箱体	PDIP-8
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 70 C
最小工作温度	0 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	0.01 S
漏源极电压(Vdss)	10.6V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	25mA
系列	ALD1101A
通道模式	Enhancement
配置	Dual