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型号： AFT05MP075GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT05MP075GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT05MP075GNR1价格参考。Freescale SemiconductorAFT05MP075GNR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS（双） 12.5V 400mA 520MHz 18.5dB 70W TO-270 WB-4 鸥翼形。您可以下载AFT05MP075GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT05MP075GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

AFT05MP075GNR1 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要用于高频和射频应用领域。该型号晶体管具有高功率处理能力、低噪声和高线性度等特性，适用于多种射频放大器和开关电路。

 应用场景：

1. 无线通信设备：
   - AFT05MP075GNR1 可用于蜂窝基站、Wi-Fi 路由器和其他无线通信设备中的射频功率放大器（PA）。它能够提供高效的功率输出，确保信号传输的稳定性和可靠性。
   
2. 射频开关：
   - 该晶体管可以作为射频开关使用，广泛应用于多频段天线切换、收发机切换等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。

3. 雷达系统：
   - 在雷达系统中，AFT05MP075GNR1 可以用于发射和接收模块中的功率放大和信号处理。它能够承受高功率脉冲，并保持良好的线性度，确保雷达系统的精确性和稳定性。

4. 卫星通信：
   - 卫星通信设备对射频性能要求极高，AFT05MP075GNR1 的高功率处理能力和低噪声特性使其成为卫星通信终端的理想选择，特别是在上行链路放大器中。

5. 测试与测量仪器：
   - 在射频测试设备如信号发生器、频谱分析仪等中，AFT05MP075GNR1 可用于构建高精度的射频信号源或放大器，帮助工程师进行准确的射频性能测试。

6. 物联网（IoT）设备：
   - 随着物联网设备的普及，AFT05MP075GNR1 可用于低功耗、高性能的无线模块中，如智能家居、工业自动化等领域的射频通信模块。

7. 军事和航空航天：
   - 军事通信和航空航天领域对射频器件的要求极为苛刻，AFT05MP075GNR1 凭借其卓越的性能和可靠性，可用于军用通信电台、导航系统等关键设备。

总之，AFT05MP075GNR1 凭借其出色的射频性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效射频功率放大的场合，特别适合对频率响应、线性度和功率处理有较高要求的应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF 70W 12.5V TO270-4 GW
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	AFT05MP075GNR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4 鸥翼形
功率-输出	70W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.6dB
封装/外壳	TO-270BB
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	500
电压-测试	12.5VDC
电压-额定	40VDC
电流-测试	400mA
频率	136MHz ~ 520MHz
额定电流	3µA