隔离式精密半桥驱动器，提供4 A输出 ADuM3223/ADuM4223 产品特性 概述 峰值输出电流：4 A ADuM3223/ADuM42231是4 A隔离式半桥栅极驱动器，采 工作电压 用ADI公司的iCoupler®技术，提供独立且隔离的高端和低 高端或低端相对于输入：565 V峰值 高端至低端差分：800 V峰值 端输出。ADuM3223能够提供3000 V rms隔离，采用窄体16 高工作频率：1 MHz(最大值) 引脚SOIC封装，ADuM4223则提供5000 V rms隔离，采用宽 3.3 V至5 V CMOS输入逻辑 体16引脚SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片 4.5 V至18 V输出驱动 变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器 UVLO：2.5 V V DD1 ADuM3223A/ADuM4223A UVLO：4.1 V V 组合等替代器件的出色性能特征。 DD2 ADuM3223B/ADuM4223B UVLO：7.0 V V ADuM3223C/ADuM4223C UVLO：11.0 V VDD2 ADuM3223/ADuM4223隔离器均提供两个独立的隔离通 DD2 精密时序特性 道。这些器件采用3.0 V至5.5 V电源电压工作，可与低压系 隔离器和驱动器传播延迟：54 ns(最大值) 统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比， 通道间匹配：5 ns(最大值) ADuM3223/ADuM4223的输入与各输出之间具有真电流隔 CMOS输入逻辑电平 离优势。相对于输入，各路输出的持续工作电压最高可达 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 增强的系统级ESD保护性能，符合IEC 61000-4-x标准 565 V峰值，因而支持低端切换至负电压。高端与低端之间 工作结温高达：125°C 的差分电压最高可达800 V峰值。 热关断保护 默认低电平输出 因此，ADuM3223/ADuM4223可以在很宽的正或负切换电 安全和法规认证 压范围内，可靠地控制IGBT/MOSFET配置的开关特性。 ADuM3223：窄体，16引脚SOIC封装 UL1577 3000 V rms输入至输出耐受电压 ADuM4223：宽体，16引脚SOIC封装 UL 1577 5000 V rms输入至输出耐受电压 通过汽车应用认证 应用 开关电源 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器 工业逆变器汽车电子 功能框图 ADuM3223/ VIA 1 ADuM4223 16 VDDA VIB 2 ENCODE DECODE 15 VOA VDD1 3 14 GNDA GND1 4 13 NC DISABLE 5 12 NC NC 6 11 VDDB NC 7 ENCODE DECODE 10 VOB VDD1 8NC = NO CONNECT 9 GNDB 10450-001 图1. 1受美国专利第5,952,849号、6,873,065号和7,075,239号保护，其它专利正在申请中。 Rev. D Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: 781.329.4700 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。

ADuM3223/ADuM4223 目录 产品特性...........................................................................................1 ESD警告.......................................................................................9 应用....................................................................................................1 引脚配置和功能描述...................................................................11 概述....................................................................................................1 典型性能参数................................................................................12 功能框图...........................................................................................1 应用信息.........................................................................................15 修订历史...........................................................................................2 PCB布局.....................................................................................15 技术规格...........................................................................................3 电气特性—5 V电源供电..........................................................3 传播延迟相关参数..................................................................15 电气特性——3.3 V电源供电...................................................4 热限制和开关负载特性.........................................................15 封装特性......................................................................................5 输出负载特性...........................................................................15 隔离和安全相关特性................................................................5 自举半桥操作...........................................................................16 法规信息......................................................................................6 直流正确性和磁场抗扰度.....................................................16 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性.............7 功耗............................................................................................17 建议工作条件.............................................................................8 隔离寿命....................................................................................18 绝对最大额定值..............................................................................9 外形尺寸.........................................................................................19 订购指南....................................................................................20 汽车应用级产品.......................................................................20 修订历史 2014年4月—修订版C至修订版D 2013年5月—修订版A至修订版B 更改应用部分..................................................................................1 表10中增加V 、V 上升时间：0.5 V/µs.............................8 DDA DDB 更改隔离寿命部分.......................................................................18 更改图22.........................................................................................16 更改“订购指南”.............................................................................20 2013年1月—修订版0至修订版A 2013年12月—修订版B至修订版C 增加汽车应用信息(通篇)..............................................................1 更改特性部分..................................................................................1 更新安全和法规认证(通篇).........................................................1 更改表1的开关规格参数...............................................................3 将高端至低端差分从700 V 改为800 Vpeak.....................1 表1中增加热关断温度参数..........................................................3 DC PEAK 表1中增加R 、R 最小和最大值..............................................3 更改表2的开关规格参数...............................................................4 OA OB 表2中增加R 、R 最小和最大值..............................................4 表2中增加热关断温度参数..........................................................4 OA OB 更改表13.........................................................................................10 更改表10...........................................................................................8 更改图19.........................................................................................15 更改图13标题................................................................................13 增加自举半桥操作部分和图22；重新排序............................16 更改热限制和开关负载特性部分 15 更改自举半桥操作部分...............................................................16 更改“订购指南”.............................................................................20 2012年5月—修订版0：初始版 Rev. D | Page 2 of 20

ADuM3223/ADuM4223 技术规格 电气特性——5 V电源 所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V，4.5 V ≤ ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于T = DD1 VDD2 J −40°C到125°C。所有典型值规格在T = 25°C，V = 5 V，V = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。 J DD1 DD2 表1. 参数 符号 最小 值 典型值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，静态 IDDI(Q) 1.4 2.4 mA 每个通道的输出电源电流，静态 IDDO(Q) 2.3 3.2 mA 1 MHz时的电源电流 VDD1电源电流 IDD1(Q) 1.6 2.5 mA 最高1 MHz，空载 VDDA/VDDB电源电流 IDDA/IDDB(Q) 5.6 8.0 mA 最高1 MHz，空载 输入电流 IIA, IIB −1 +0.01 +1 µA 0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 × VDD1 V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 × VDD1 V 逻辑高电平输出电压 VOAH, VOBH VDD2 – 0.1 VDD2 V IOx = −20 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOAL, VOBL 0.0 0.15 V IOx = +20 mA, VIx = VIxL 欠压闭锁，V 供电 DD2 趋正阈值 VDD2UV+ 4.1 4.4 V A级 趋负阈值 VDD2UV− 3.2 3.6 V A级 迟滞 VDD2UVH 0.5 V A级 趋正阈值 VDD2UV+ 6.9 7.4 V B级 趋负阈值 VDD2UV− 5.7 6.2 V B级 迟滞 VDD2UVH 0.7 V B级 趋正阈值 VDD2UV+ 10.5 11.1 V C级 趋负阈值 VDD2UV− 8.9 9.6 V C级 迟滞 VDD2UVH 0.9 V C级 输出短路脉冲电流1 IOA(SC), IOB(SC) 2.0 4.0 A VDD2 = 12 V 输出脉冲源电阻 ROA, ROB 0.3 1.1 3.0 Ω VDD2 = 12 V 输出脉冲灌电阻 ROA, ROB 0.3 0.6 3.0 Ω VDD2 = 12 V 热关断温度 结温关断，上升沿 TJR 150 °C 结温关断，下降沿 TJF 140 °C 开关规格 脉冲宽度2 PW 50 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V 最大数据速率3 1 MHz CL = 2 nF, VDD2 = 12 V 传播延迟4 tDHL, tDLH 31 43 54 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 ADuM3223A/ADuM4223A tDHL, tDLH 35 47 59 ns CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20 传播延迟偏斜5 tPSK 12 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 通道间匹配6 tPSKCD 1 5 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 tPSKCD 1 7 ns CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V; 见图20 输出上升/下降时间(10%至90%) tR/tF 6 12 18 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V; 见图20 每个通道的动态输入电源电流 IDDI(D) 0.05 mA/Mbps VDD2 = 12 V 每个通道的动态输出电源电流 IDDO(D) 1.65 mA/Mbps VDD2 = 12 V 刷新速率 fr 1.2 Mbps 1 短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。 2 最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。 4 t 传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值V 到V 信号的输出上升10%电平的时间测得。t 传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值V 到V 信号的输出下降 DLH IH Ox DHL IL Ox 90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 5 t 指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的t 和/或t 的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 PSK DLH DHL 6 通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。 Rev. D | Page 3 of 20

ADuM3223/ADuM4223 电气特性——3.3 V电源 所有电压均参照其各自的地。除非另有说明，3.0 V ≤ V ≤ 3.6 V，4.5 V ≤ V ≤ 18 V。所有最小值/最大值规格适用于T = −40°C DD1 DD2 J 到125°C。所有典型值规格在T = 25°C，V = 3.3 V，V = 12 V下测得。开关规格的测试条件为CMOS信号电平。 J DD1 DD2 表2. 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 输入电源电流，静态 IDDI(Q) 0.87 1.4 mA 每个通道的输出电源电流，静态 IDDO(Q) 2.3 3.2 mA 1 MHz时的电源 电流 VDD1 电源电流 IDD1(Q) 1.1 1.5 mA 最高1 MHz，空载 VDDA/VDDB 电源电流 IDDA/IDDB(Q) 5.6 8.0 mA 最高1 MHz，空载 输入电流 IIA, IIB −10 +0.01 +10 µA 0 ≤ VIA, VIB ≤ VDD1 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 × VDD1 V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 × VDD1 V 逻辑高电平输出电压 VOAH, VOBH VDD2 – 0.1 VDD2 V IOx = −20 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOAL, VOBL 0.0 0.15 V IOx = +20 mA, VIx = VIxL 欠压闭锁，V 供电 DD2 趋正阈值 VDD2UV+ 4.1 4.4 V A级 趋负阈值 VDD2UV− 3.2 3.6 V A级 迟滞 VDD2UVH 0.5 V A级 趋正阈值 VDD2UV+ 6.9 7.4 V B级 趋负阈值 VDD2UV− 5.7 6.2 V B级 迟滞 VDD2UVH 0.7 V B级 趋正阈值 VDD2UV+ 10.5 11.1 V C级 趋负阈值 VDD2UV− 8.9 9.6 V C级 迟滞 VDD2UVH 0.9 V C级 输出短路脉冲电流1 IOA(SC), IOB(SC) 2.0 4.0 A VDD2 = 12 V 输出脉冲源电阻 ROA, ROB 0.3 1.1 3.0 Ω VDD2 = 12 V 输出脉冲灌电阻 ROA, ROB 0.3 0.6 3.0 Ω VDD2 = 12 V 热关断温度 结温关断，上升沿 TJR 150 °C 结温关断，下降沿 TJF 140 °C 开关规格 脉冲宽度2 PW 50 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V 最大数据速率3 1 MHz CL = 2 nF, VDD2 = 12 V 传播延迟4 tDHL, tDLH 35 47 59 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 ADuM3223A/ADuM4223A tDHL, tDLH 37 51 65 ns CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20 传播延迟偏斜5 tPSK 12 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 通道间匹配6 tPSKCD 1 5 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 tPSKCD 1 7 ns CL = 2 nF, VDD2 = 4.5 V, 见图20 输出上升/下降时间(10%至90%) tR/tF 6 12 22 ns CL = 2 nF, VDD2 = 12 V, 见图20 每个通道的动态输入电源电流 IDDI(D) 0.05 mA/Mbps VDD2 = 12 V 每个通道的动态输出电源电流 IDDO(D) 1.65 mA/Mbps VDD2 = 12 V 刷新速率 fr 1.1 Mbps 1 短路持续时间小于1 µs。平均功率必须符合“绝对最大额定值”下所示的限值。 2 最小脉冲宽度指保证额定时序参数的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定时序参数的最快数据速率。 4 t 传播延迟根据输入上升逻辑高电平阈值V 到V 信号的输出上升10%电平的时间测得。t 传播延迟根据输入下降逻辑低电平阈值V 到V 信号的输出下降 DLH IH Ox DHL IL Ox 90%阈值测得。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 5 t 指器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的t 和/或t 的最差情况偏差。有关传播延迟参数的波形，参见图20。 PSK DLH DHL 6 通道间匹配指两个通道间传播延迟之差的绝对值。 Rev. D | Page 4 of 20

ADuAMD3P212734/0A/DAuDMP41272431 封装特性 表3. 参数 符号 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 电阻(输入至输出) R 1012 Ω I-O 电容(输入至输出) C 2.0 pF f = 1 MHz I-O 输入电容 C 4.0 pF I IC结至环境热阻 ADuM3223 θ 76 °C/W JA ADuM4223 θ 45 °C/W JA IC结至外壳热阻 ADuM3223 θ 42 °C/W JC ADuM4223 θ 29 °C/W JC 隔离和安全相关特性 ADuM3223 表4. 参数 符号 数值 单位 条件 额定电介质隔离电压 3000 V rms 持续1分钟 最小外部气隙(间隙) L(I01) 4.0 min mm 测量输入端至输出端，隔空最短距离 最小外部爬电距离 L(I02) 4.0 min mm 测量输入端至输出端，沿壳体 最短距离 最小内部间隙 0.017(最小值) mm 隔离距离 漏电阻抗(相对漏电指数) CTI >400 V DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 隔离组 II 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) ADuM4223 表5. 参数 符号 数值 单位 条件 额定电介质隔离电压 5000 V rms 持续1分钟 最小外部气隙(间隙) L(I01) 8.0 (最小值) mm 测量输入端至输出端，隔空最短距离 最小外部爬电距离 L(I02) 7.6 min mm 测量输入端至输出端，沿壳体 最短距离 最小内部间隙 0.017( 最小值) mm 隔离距离 漏电阻抗(相对漏电指数) CTI >400 V DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 隔离组 II 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) Rev. D | Page 5 of 20

ADuM3223/ADuM4223 法规信息 ADuM3223已获得表6所列机构的认可。 表6. UL CSA VDE UL 1577器件认可程序认可1 CSA元件验收通知#5A批准 进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) 认证： 2006-122 单一保护3,000 V均方根值 基本绝缘符合CSA 6095 0-1-07和IEC 60950-1标准， 加强绝缘，560 V峰值 隔离电压 400 V rms (565 V峰值)最大工作电压 文件E214100 文件205078 文件2471900-4880-0001 1 依据UL1577，每个ADuM3223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,600 V rms的验证测试(漏电流检测限值为6 µA)。 2 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM3223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过 DIN V VDE V 0884-10认证。 ADuM4223已获得表7所列机构的认可。 表7. UL CSA VDE UL 1577器件认可程序认可1 CSA元件验收通知#5A批准 进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) 认证： 2006-122 单一保护5,000 V均方根值 加强绝缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准， 加强绝缘，849 V峰值 隔离电压 400 V rms(565 V峰值)最大工作电压；基本绝 缘符合CSA 60950-1-07和IEC 60950-1标准， 800 V rms(1131 V峰值)最大工作电压 文件E214100 文件205078 文件2471900-4880-0001 1 依据UL1577，每个ADuM4223都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 6,000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为10 µA)。 2 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM4223器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1,590 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件标识中的星号(*)表示通过 DIN V VDE V 0884-10认证。 Rev. D | Page 6 of 20

ADuM3223/ADuM4223 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)隔离特性 这些隔离器仅适合安全限制数据范围内的加强隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过560 V峰值工 作电压的DIN V VDE V 0884-10认证。 表8. ADuM3223 VDE特性 说明 条件 符号 特性 单位 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms I至IV 额定电源电压≤ 300 V rms I至III 额定电源电压≤ 400 V rms I至II 环境分类 40/105/21 污染度(DIN VDE 0110，表1) 2 最大工作绝缘电压 V 560 V峰 值 IORM 输入至输出测试电压，方法B1 V × 1.875 = V )，100%生产测试， V 1050 V峰 值 IORM pd(m pd(m) t = t = 1秒，局部放电 < 5 pC ini m 输入至输出测试电压，方法A V × 1.5 = V )，t = 60秒，t = 10秒， V IORM pd(m ini m pd(m) 局部放电 < 5 pC 跟随环境测试，子类1 896 V峰 值 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 V × 1.2 = V )，t = 60秒，t = 10秒， V 672 V峰 值 IORM pd(m ini m pd(m) 局部放电 < 5 pC 最高允许过压 V 4000 V峰值 IOTM 浪涌隔离电压 V = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 V 6000 V峰 值 PEAK IOSM 安全限值 出现故障时允许的最大值(见图2) 最高结温 T 150 °C S 总安全功耗 P 1.64 W S T上的绝缘电阻 V = 500 V R >109 Ω S IO S 表9. ADuM4223 VDE特性 说明 条件 符号 特性 单位 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms I至IV 额定电源电压≤ 300 V rms I至III 额定电源电压≤ 400 V rms I至II 环境分类 40/105/21 污染度(DIN VDE 0110，表1) 2 最大工作绝缘电压 V 849 V峰 值 IORM 输入至输出测试电压，方法B1 V × 1.875 = V )，100%生产测试， V 1592 V峰 值 IORM pd(m pd(m) t = t = 1秒，局部放电 < 5 pC ini m 输入至输出测试电压，方法A V × 1.875 = V )，100%生产测试， V IORM pd(m pd(m) t = t = 1秒，局部放电 < 5 pC 跟随环境测试，子类1 ini m 1273 V峰值 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 V × 1.2 = V )，t = 60秒，t = 10秒， V 1018 V峰 值 IORM pd(m ini m pd(m) 局部放电 < 5 pC 最高允许过压 V 6000 V峰 值 IOTM 浪涌隔离电压 V = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 V 6000 V峰 值 PEAK IOSM 安全限值 出现故障时允许的最大值(见图3) 最高结温 T 150 °C S 总安全功耗 PS 2.77 W TS上的绝缘电阻 VIO = 500 V RS >109 Ω Rev. D | Page 7 of 20

ADuM3223/ADuM4223 W) 建议工作条件 R ( 1.8 表10. E OW 1.6 参数 符号 最小值 最大值 单位 P DDB 1.4 工作结温 TJ −40 +125 °C PV 电源电压1 OR 1.2 V DD1 3 .0 5 .5 V DDA 1.0 VDDA, VDDB 4.5 18 V V , PD1 0.8 VDD1上升时间 TVDD1 1 V/µs D V 、V 上升时间 T , T 10 V/µs PV 0.6 DDA DDB VDDA VDDB NG 输入信号最大上升和 TVIA, TVIB 1 ms TI 0.4 下降时间 A ER 共模瞬变抗扰度，静态2 −50 +50 kV/µs P 0.2 E O 共模瞬变抗扰度，动态3 −25 +25 kV/µs SAF 00 50AMBIENT TEM10P0ERATURE (°C1)50 200 10450-102 1 所部分有。电压均参照各自的地。有关外部磁场抗扰度的信息，参见“应用信息” 图2. ADuM3223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的 2 静态共模瞬变抗扰度定义为GND和GND/GND之间的最高dv/dt值，其输 安全限值与壳温的关系 1 A B 入保持高电平或低电平，从而使输出电压保持在0.8 × V 以上(如果V /V DD2 IA IB = 高电平)，或0.8 V(如果V /V = 低电平)。以超出建议水平的瞬态电压工作 IA IB 可能会导致暂时性的数据扰乱。 W) ER ( 3.0 3 动态共模瞬变抗扰度定义为GND1和GNDA/GNDB之间的最高dv/dt值，其开 W 关边沿与瞬变测试脉冲重合。以超出建议水平的瞬态电压工作可能会导致 O P 2.5 暂时性的数据扰乱。 B D D V P R 2.0 O A D D PV 1.5 , D1 D V P 1.0 G N TI A R 0.5 E P O E SAF 00 50AMBIENT TEM10P0ERATURE (°C1)50 200 10450-103 图3. ADuM4223热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的 安全限值与壳温的关系 Rev. D | Page 8 of 20

ADuM3223/ADuM4223 绝对最大额定值 除非另有说明，环境温度 = 25°C。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 表11. 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 参数 符号 额定值 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 存储温度 T −55 °C至 +150 °C 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 ST 工作结温 TJ −40 °C至+150 °C 响器件的可靠性。 电源电压1 V −0.5 V至+7.0 V DD1 V , V −0.5 V至+20 V DDA DDB 输入电压1 VIA, VIB， −0.5 V至VDD1 + 0.5 V ESD警告 禁用 输出电压1 V −0.5 V至V + 0.5 V ESD(静电放电)敏感器件。 OA DDA V −0.5 V至V + 0.5 V 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 OB DDB 每个引脚的平均 I −35 mA至+35 mA 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 O 输出电流2 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 共模瞬变3 CMH, CML −100 kV/µs至+100 kV/µs 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 1 所有电压均参照各自的地。 2 不同温度下的最大容许电流参见图2和图3。 3 指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩 锁或永久损坏。 Rev. D | Page 9 of 20

ADuM3223/ADuM42 23 表12. 最大连续工作电压1 参数 最大值 单位 约束条件 交流电压，双极性波形 565 V峰值 最少50年寿命 交流电压，单极性波形 1131 V峰值 最少50年寿命 直流电压 1131 V峰值 最少50年寿命 1 指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命摂部分。 表13. 真值表ADuM3223/ADuM4223(正逻辑)1 V V IA IB 禁用 输入 输入 VDD1 状态 VDDA/VDDB 状态 VOA 输出 VOB 输出 注释 L L L 有电 有电 L L 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 L L H 有电 有电 L H 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 L H L 有电 有电 H L 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 L H H 有电 有电 H H 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复 到输入状态。 H X X 有电 有电 L L 输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于 默认低电平状态。 L L L 无电 有电 L L 输出在V 电源恢复后的1 µs内返回到 DD1 输入状态。 X X X 有电 无电 L L 输出在V /V 电源恢复后的50 μs内 DDA DDB 恢复到输入状态。 1 X = 无关，L = 低电平，H = 高电平。 Rev. D | Page 10 of 20

ADuM3223/ADuM4223 引脚配置和功能描述 VIA 1 16 VDDA VIB 2 15 VOA ADuM3223/ VDD1 3 ADuM4223 14 GNDA GND1 4 TOP VIEW 13 NC DISABLE 5 (Not to Scale) 12 NC NC 6 11 VDDB NC 7 10 VOB VDD1 8 9 GNDB N1.ONDTCOE S=N ONTO CCOONNNNEECCTT .TO THIS PIN. 10450-003 图4. 引脚配置 表14. ADuM3223/ADuM4223引脚功能描述 引脚编号 1 引脚名称 说明 1 V 逻辑输入A。 IA 6, 7, 12, 13 NC 不连接。 2 V 逻辑输入B。 IB 3, 8 V 输入电源电压。 DD1 4 GND 输入逻辑信号的接地参考。 1 5 禁用 输入禁用。禁用隔离器输入，刷新电路。输出在DISABLE = H置位后的3 µs内处于默认低电平状态。 输出在DISABLE = L置位后的1 µs内恢复到输入状态。 9 GND 输出B的接地参考。 B 10 V 输出B。 OB 11 V 输出B电源电压。 DDB 14 GND 输出A的接地参考。 A 15 V 输出A。 OA 16 V 输出A电源电压。 DDA 1 引脚3和引脚8内部互连，并且建议将二者均连接至V 。 DD1 关于特定布局原则，请参考AN-1109应用笔记：iCoupler器件的辐射控制建议。 Rev. D | Page 11 of 20

ADuM3223/ADuM42 23 典型性能参数 1000 CH2 = VO (5V/DIV) 800 VDD2 = 5V C) n E ( 600 G R 2 HA C TE 400 VDD2 = 8V A G CH1 = VI (5V/DIV) VDD2 = 10V 200 1 VDD2 = 15V 0 CH1 5.00V CH1 5.00V Ω M21.045000k.G 0PSnOs/sINTS A CH1 2.70V 10450-105 图08. 典型AD20u0MS4W22IT3C最H4I大0N0G负 FR载E与QU频E60N率0CY的 (k关Hz)系8(0R0 = 1 Ω)1000 10450-108 图5. 2 nF负载的输出波形(12 V输出电源) G 3.0 a b a –820ps 1.40V b 10.5ns 11.4V Δ11.3ns Δ10.0V 2.5 CH2 = VOB (5V/DIV) A) 2.0 m NT ( VDD1 = 5V RE 1.5 2 R U CDD1 1.0 VDD1 = 3.3V I CH1 = VOA (5V/DIV) 0.5 1 0 CH1 5.00V CH2 5.00V Ω 21M.025000k.G 0PSnO/ssINTS A CH1 2.70V 10450-106 0 图9. 典0.2型5I F电RE源QU电E0N.流5C0Y与 (M频Hz率) 的关0.7系5 1.00 10450-109 DD1 图6. 2 nF负载的输出匹配和上升时间波形(12 V输出电源) 50 500 40 400 A) VDD2 = 15V m ATE CHARGE (nC) 230000 VDD2 = 5VVDD2 = 8V , I CURRENT (DADDB 3200 VVDDDD22 == 150VV G VDD2 = 10V ID 10 100 VDD2 = 15V 0 00 200 SWITCH4I0N0G FREQUE60N0CY (kHz) 800 1000 10450-107 图010. 典型I 0、.2I5 电FR源EQ电UE流0N.5C与0Y频 (M率Hz的) 关0系.75(2 nF负载)1.00 10450-110 图7. 典型ADuM3223最大负载与频率的关系(R = 1 Ω) DDA DDB G Rev. D | Page 12 of 20

ADuM3223/ADuM4223 60 30 50 25 ns1 tDHL ON DELAY ( 4300 tDLH L TIME (ns) 2105 TI AL FALL TIME A F OPAG 20 RISE/ 10 RISE TIME R P 10 5 0 0 –40 –20 0 JUNC20TION 4T0EMPE6R0ATUR8E0 (°C)100 120 140 10450-111 5 7 OU9TPUT SUP11PLY VOL1T3AGE (V)15 17 10450-114 图11. 典型传播延迟与温度的关系 图14. 典型上升/下降时间变化与输出电源电压的关系 60 5 s) n G ( 50 N HI 4 Y (ns) 40 tDHL MATC DELA tDLH H-CH 3 ON 30 Y C TI A PAGA 20 N DEL 2 PRO GATIO 1 PD MATCHtDLH PD MATCHtDHL 10 A P O R P 0 0 3.0 3.5 INPUT S4.U0PPLY VOL4T.5AGE (V) 5.0 5.5 10450-112 5 7 OU9TPUT SUP11PLY VOL1T3AGE (V)15 17 10450-115 图12. 典型传播延迟与输入电源电压的关系，(V 、V = 12 V) 图15. 典型传播延迟通道间匹配与输出电源电压的关系 DDA DDB 60 5 s) n G ( 50 N HI 4 Y (ns) 40 tDHL MATC DELA tDLH H-CH 3 ON 30 Y C PAGATI 20 N DELA 2 O O PR ATI PD MATCHtDLH G 1 10 PA PD MATCHtDHL O R P 0 0 5 7 OU9TPUT SUP11PLY VOL1T3AGE (V)15 17 10450-113 –40 –20 0 JUNC20TION 4T0EMPE6R0ATUR8E0 (°C)100 120 140 10450-116 图13. 典型传播延迟与输出电源电压的关系，V = 5 V 图16. 典型传播延迟通道间匹配与温度的关系，(V 、V = 12 V) DD1 DDA DDB Rev. D | Page 13 of 20

ADuM3223/ADuM42 23 1.6 8 1.4 7 SINK IOUT 1.2 VOUT SOURCE RESISTANCE T (A) 6 N 1.0 RE 5 Ω) UR (UT 0.8 K C 4 RO VOUT SINK RESISTANCE SIN SOURCE IOUT 0.6 E/ 3 C R U 0.4 O 2 S 0.2 1 0 0 4 6 OU8TPUT S1U0PPLY V1O2LTAGE1 (4V) 16 18 10450-117 4 6 OU8TPUT S1U0PPLY V1O2LTAGE1 (4V) 16 18 10450-118 图17. 典型输出电阻与输出电源电压的关系 图18. 典型输出电流与输出电源电压的关系 Rev. D | Page 14 of 20

ADuM3223/ADuM4223 应用信息 PCB布局 通道间匹配指单个ADuM3223/ADuM4223器件内各通道的 ADuM3223/ADuM4223数字隔离器不需要外部接口电路作 传播延迟之间的最大差异。 为逻辑接口。输入和输出供电引脚需要电源旁路，如图19 传播延迟偏斜指在相同条件下工作的多个ADuM3223/ 所示。使用电容值在0.01 µF到0.1 µF之间的小型陶瓷电容， ADuM4223器件的传播延迟之间的最大差异。 以提供良好的高频旁路。在输出电源引脚V 或V 上，建 DDA DDB 议再增加一个10 µF电容，以提供驱动ADuM3223/ADuM4223输 热限制和开关负载特性 出端栅极电容所需的电荷。在输出电源引脚上，应避免使 对于隔离式栅极驱动器，在输入和输出电路之间进行必要 用旁路电容过孔，或者应该使用多个过孔来降低旁路电感 的隔离可防止在部件下方使用单一散热焊盘。因此主要通 值。较小的电容两端到输入或输出电源引脚的走线总长不 过封装引脚来散热。 应超过5 mm。 对于不同输出电压值使用1 Ω串联栅极电阻能够驱动的最大 负载电容，封装散热限制了开关频率与输出负载之间的性 VIA VDDA 能表现，如图7和图8所示。例如，此曲线显示典型的 VIB VOA ADuM3223器件可以驱动140 nC栅极电荷、8 V输出(相当于 VDD1 GNDA 17 nF负载)、最高频率约300 kHz的大型MOSFET。 GND1 NC DISABLE NC ADuM3223/ADuM4223隔离器的全部输出均提供热关断保 NC VDDB 护功能，当上升结温典型值达到150°C时，该功能会将输 VDD1 NC VOB GNDB 10450-119 出时返设回为原逻状辑态低。电平，并当结温从关断时的温度下降约10°C 图19. 推荐的PCB布局 输出负载特性 传播延迟相关参数 ADuM3223/ADuM4223输出信号取决于输出负载(通常是N 传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。到逻 通道MOSFET)的特性。驱动器输出对于N通道MOSFET负 辑低电平输出的传播延迟可能不同于到逻辑高电平输出的 载的响应可以模拟为开关输出电阻(R )、印刷电路板走线 传播延迟。ADuM3223/ADuM4223指定t (见图20)作为上 SW DLH 的电感(L )、串联栅极电阻(R )和源电容栅极(C )， 升输入高电平逻辑阈值V 到输出上升10%阈值之间的时间。 TRACE GATE gs IH 如图21所示。 同样，下降传播延迟t 定义为输入下降逻辑低电平阈值 DHL V 到输出下降90%阈值之间的时间。上升和下降时间取决 IL 于的工负业载标条准件。，并且不包含在传播延迟中，这是栅极驱动器 VIA AADDuuMM34222233/ VOA RSWLTRACREGATE CGSVO 10450-006 图21. N通道MOSFET栅极的RLC模型 90% R 为内部ADuM3223/ADuM4223驱动器输出的开关电阻， OUTPUT SW 约等于1.1 Ω。RGATE为MOSFET的固有栅极电阻加任意外部 10% 串联电阻。需要4 A栅极驱动器的MOSFET，其典型固有栅 极电阻约为1 Ω，栅极-源极电容CGS介于2 nF到10 nF之间。 INPUT VIH LTRACE为印刷电路板走线的电感，其典型值为5 nH，或者当 VIL 采用从ADuM3223/ADuM4223输出端到MOSFET栅极具有短 t tDHL 而宽的连接的精心布局，这个值会更小。 DLH tR tF 10450-005 图20. 传播延迟参数 Rev. D | Page 15 of 20

ADuM3223/ADuM4223 以下公式定义了RLC电路的Q因数，表示ADuM3223/ 直流正确性和磁场抗扰度 ADuM4223输出端如何响应阶跃变化。对于高阻尼输出而 在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns) 言，Q小于1。添加串联栅极电阻会抑制输出响应。 脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此， 可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输 入端超过1 µs没有逻辑转换时，会发送一组用以表示正确输 入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正确性。 在图5中，12 V输出的ADuM3223/ADuM4223输出波形显示对 应2 nF的C 。请注意图5中的少量输出响铃振荡，C 为2 nF， 如果解码器在超过大约3 µs没有接收到内部脉冲，则输入侧 GS GS 认为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被 RSW为1.1 Ω，RGATE为0 Ω，计算得出的Q因数为0.75，对 看门狗计时电路强制设置为默认低电平状态。此外，当电 于高阻尼应用应小于1。 源电压小于UVLO阈值时，输出端处于低电平默认值状态。 通过添加串联栅极电阻可以减少输出响铃振荡，从而抑制 响应。对于负载低于1 nF的应用，建议添加一个数值约为2 Ω ADuM3223/ADuM4223具有抗扰性能，不易受外部磁场的 至5 Ω的串联栅极电阻。 影响。ADuM3223/ADuM4223磁场抗扰度的限制是由变压 器接收线圈中的感应电压的状态决定的，电压足够大就会 自举半桥操作 错误地置位或复位解码器。下面的分析说明此情况发生的 ADuM3223/ADuM4223非常适合用于两个输出栅极信号参 条件。检测ADuM3223/ADuM4223的3 V工作电压是因为它 考不同接地的操作，比如半桥配置。减少电源数是有好处 在此条件下工作时最易受到干扰。变压器输出端的脉冲幅 的，因为隔离辅助电源通常十分昂贵。实现该配置的一种 度大于1.0 V。解码器的检测阈值大约是0.5 V，因此感应电 方法是为ADuM3223/ADuM4223的高端电源采用自举配 压可承受的噪声容限为0.5 V。接收线圈上的感应电压由以 置。在该拓扑中，去耦电容C 用来存储高端电源的电能， 下公式计算： A 并且只要关闭低端开关，就会对其填充电能，将GND 变 A V = (−dβ/dt) ∑π r2, n = 1, 2, ... , N 为GND 。在C 充电期间，必须控制VDD 电压的dv/dt，减 n B A A 其中： 少输出端产生毛刺的可能性。对于ADuM3223/ β是磁通密度(高斯)。 ADuM4223，建议将dv/dt保持在10 V/µs以下。这可以通过 N是接收线圈匝数。 在C 的充电路径上引入一个串联电阻R 来控制。例如， A BOOT r是接收线圈第n圈的半径(cm)。 假定VAUX为12 V，C 总电容为10 µF，自举二极管的正向压 n A 降为1 V： VIA ADuM3223/ VDDA RBOOT VDBOOT VBUS 1 ADuM4223 16 DBOOT VIB2 ENCODE DECODE 15VOA REXT_A VPRIM VDD1 GNDACA 3 14 VPRIM CDD1GND1 NC 4 13 1DISABLE NC 5 12 NC VDDB 6 11 VAUX VPRIM NC7 ENCODE DECODE 10VOB REXT_B CB VDD18 9GNDB NC = NO CONNECT 2 10450-222 图22. 自举半桥操作电路图 Rev. D | Page 16 of 20

ADuM3223/ADuM4223 给定ADuM3223/ADuM4223接收线圈几何形状及感应电压， 功耗 解码器最多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图23 ADuM3223/ADuM4223隔离器给定通道的电源电流是电源 所示计算。 电压、通道数据速率和通道输出负载的函数。 对于每个输入通道，电源电流按照下式计算： 100 X IDDI = IDDI(Q) f ≤ 0.5fr U L C F 10 IDDI = IDDI(D) × (2f – fr) + IDDI(Q) f > 0.5fr TI E N 对于每个输出通道，电源电流按照下式计算： Gs) As OWABLE MNSITY (kgau 0.11 IIDDDDOO == (IDIDDDOO((QD)) + (0.5) × CLVDDO) × (2f – ffr )≤ + 0 .5fr LE IDDO(Q) ALD M f > 0.5fr U XIM 0.01 其中： A M IDDI(D)、IDDO(D)是每个通道的输入和输出动态电源电流 0.0011k 10kMAGNETI1C0 0FkIELD FREQ1MUENCY (Hz1)0M 100M 10450-122 (CmLA是/输Mb出ps负)。载电容(pF)。 图23. 最大允许外部磁通密度 VDDO是输出电源电压(V)。 例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.08 K高斯的磁场 f是输入逻辑信号频率(MHz，输入数据速率的一半，NRZ 在接收线圈可以感应出0.251 V的电压。这大约是检测阈值 信令)。 的50%并且不会引起输出转换错误。同样，如果这样的情 fr是输入级刷新速率(Mbps)。 况在发送脉冲时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲 IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。 从大于1.0 V下降到0.75 V，仍然高于解码器检测阈值0.5 V。 为了计算总电源电流，必须计算与IDD1、IDDA和IDDB相 先前的磁通密度值对应于与ADuM3223/ADuM4223变压器 对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。 给定距离的额定电流幅度。图24表明这些允许的电流幅度 图9提供了两个输入通道的总输入IDD1电源电流与数据速 是频率与所选距离的函数。如图所示，ADuM3223/ 率的函数关系。图10提供了两个2 nF电容负载输出端的总 ADuM4223只有在离器件很近的高频大电流下才会受影 IDDA或IDDB电源电流与数据速率的函数关系。 响。例如：当工作频率为1 MHz时，0.2 kA电流必须放置在 距离ADuM3223/ADuM4223 5 mm以外的地方，才不会影响 器件的工作。 1k A) DISTANCE = 1m k T ( 100 N E R R U E C 10 L B A W DISTANCE = 100mm LO 1 L A UM DISTANCE = 5mm M XI 0.1 A M 0.01 1k 10kMAGNETI1C0 0FkIELD FREQ1MUENCY (Hz1)0M 100M 10450-123 图24. 不同电流至ADuM3223/ADuM4223距离下的最大允许电流 Rev. D | Page 17 of 20

ADuM3223/ADuM42 23 隔离寿命 允许更高的工作电压。任何与图26和图27中不一致的交叉 所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。 隔离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压 隔离衰减率由施加在隔离层上的电压波形特性决定。除了 应限制在表12中列出的50年工作寿命电压以下。 由监管机构进行测试，ADI也进行一系列广泛的评估来确 请注意，图26所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代 定ADuM3223/ADuM4223内部隔离架构的寿命。 表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以 ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命 为正值或负值，但电压不能穿过0 V。 测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可 以计算实际工作电压下的失效时间。 RATED PEAK VOLTAGE 表命的12中峰显值示电的压以值及总C结S了A/双VD极E性认交可流的工最作大条工件作下电5压0年。工许作多寿情 0V 10450-009 况下，认可工作电压高于50年工作寿命电压。某些情况 图25. 双极性交流波形 下，在这些高工作电压下工作会导致隔离寿命缩短。 RATED PEAK VOLTAGE ADuM3223/ADuM4223的隔离寿命由施加在隔离栅上的电 压由波波形形决是定否。为i双Co极up性ler交结流构、的单隔极离性度交以流不或同直速流率决衰定减。，这图 0V 10450-010 25、图26和图27显示这些不同隔离电压的波形。 图26. 单极性交流波形 双极性交流电压环境对于iCoupler产品而言是最差的情 RATED PEAK VOLTAGE 况，ADI公司推荐的最大工作电压对应的工作寿命为50 年低。得在多单。极此性工交作流模或式者在直能流够电获压得的50年情工况作下时，间隔的离前应提力下显，然 0V 10450-011 图27. 直流波形 Rev. D | Page 18 of 20

ADuM3223/ADuM4223 外形尺寸 10.00 (0.3937) 9.80 (0.3858) 4.00 (0.1575) 16 9 6.20 (0.2441) 3.80 (0.1496) 1 8 5.80 (0.2283) 1.27 (0.0500) 0.50 (0.0197) BSC 1.75 (0.0689) 0.25 (0.0098) 45° 0.25 (0.0098) 1.35 (0.0531) 8° 0.10 (0.0039) 0° COPLANARITY SEATING 0.10 0.51 (0.0201) PLANE 0.25 (0.0098) 1.27 (0.0500) 0.31 (0.0122) 0.17 (0.0067) 0.40 (0.0157) COMPLIANTTO JEDEC STANDARDS MS-012-AC C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHN EOGSN DELSIYM)AEANNRDSEI AORRNOESU NANORDEET DAIN-PO MPFRIFLO LMPIIMRLELIATIMTEEER TFSEO; RIRN E CUQHSU EDI VIINMA LEDENENSSTIIOGSN NFS.OR 060606-A 图27. 16引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体 (R-16) 图示尺寸单位：mm和(inch) 10.50(0.4134) 10.10(0.3976) 16 9 7.60(0.2992) 7.40(0.2913) 1 10.65(0.4193) 8 10.00(0.3937) 1.27(0.0500) 0.75(0.0295) BSC 2.65(0.1043) 0.25(0.0098) 45° 0.30(0.0118) 2.35(0.0925) 8° 0.10(0.0039) 0° COPLANARITY 0.10 0.51(0.0201) SPLEAATNIENG 0.33(0.0130) 1.27(0.0500) 0.31(0.0122) 0.20(0.0079) 0.40(0.0157) C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHNCEOGOSNDMELISPYM)LAEAIANNRNDSETIAORTRNOOESUJNANEORDDETEEDAICN-POSMPFTRIFALONLMPIDMIRLAELIRATIMTDEEESRTFSMEO;SRIRN-0ECU1QH3SU-EADIVAIINMAELDENENSSTIIOGSNNFS.OR 03-27-2007-B 图28. 16引脚标准小型封装[SOIC_W] 宽体 (RW-16) 图示尺寸单位：mm和(inch) Rev. D | Page 19 of 20

ADuM3223/ADuM4223 订购指南 输出峰值电流 最小输出 型号1, 2 通道数 (A) 电压(V) 温度范围 封装描述 封装选项 订购数量 ADuM3223ARZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223ARZ-RL7 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM3223BRZ 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223BRZ-RL7 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM3223CRZ 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223CRZ-RL7 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM3223WARZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223WARZ-RL7 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM3223WBRZ 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223WBRZ-RL7 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM3223WCRZ 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N R-16 ADuM3223WCRZ-RL7 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_N，7"卷带和卷盘 R-16 1,000 ADuM4223ARWZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM4223ARWZ-RL 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1,000 ADuM4223BRWZ 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM4223BRWZ-RL 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1,000 ADuM4223CRWZ 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM4223CRWZ-RL 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1,000 ADuM4223WARWZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 1000 ADuM4223WARWZ-RL 2 4 4.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1000 ADuM4223WBRWZ 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 1000 ADuM4223WBRWZ-RL 2 4 7.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1000 ADuM4223WCRWZ 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W RW-16 1000 ADuM4223WCRWZ-RL 2 4 11.5 −40°C至+125°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1000 EVAL-ADuM3223AEBZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C ADuM3223评估板 EVAL-ADuM4223AEBZ 2 4 4.5 −40°C至+125°C ADuM3223评估板 1 Z = 符合RoHS标准的器件。 2 ADuM3223W和ADuM4223W = 通过汽车应用认证。 汽车应用产品 ADuM3223W和ADuM4223W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意，车用型号的 技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品 才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地ADI客户代表。 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D10450sc-0-4/14(D) Rev. D | Page 20 of 20