四通道数字隔离器 ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 产品特性 功能框图 低功耗工作 5 V电源 VDD1 1 ADuM1410 16VDD2 GND1 2 15 GND2 每个通道1.3 mA(最大值，0 Mbps至2 Mbps) VIA 3 ENCODE DECODE 14 VOA 每个通道4.0 mA(最大值，10 Mbps) VIB 4 ENCODE DECODE 13 VOB 3 V电源 VIC 5 ENCODE DECODE 12 VOC 每个通道0.8 mA(最大值，0 Mbps至2 Mbps) VID 6 ENCODE DECODE 11 VOD 每个通道1.8 mA(最大值，10 Mbps) 双3 V向/5通 V信电平转换 DISAGBNLDE1 87 图1. ADuM1410 190 CGTNRDL22 06580-001 工作温度最高可达：105°C 数据速率最高可达10 Mbps (NRZ) VDD1 1 ADuM1411 16VDD2 可编程默认输出状态 GND1 2 15GND2 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs VIA 3 ENCODE DECODE 14VOA 16引脚宽体SOIC封装，符合RoHS标准 VIB 4 ENCODE DECODE 13VOB 安全和法规认证 VIC 5 ENCODE DECODE 12VOC UL认证：依据UL 1577，1分钟2500 V rms VOD 6 DECODE ENCODE 11VID CVSDAE元合件格验证收书通知#5A CGTNRDL11 87 190CGTNRDL22 06580-002 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12 图2. ADuM1411 V = 560 V峰值 TÜV认IORM证：IEC/EN 60950-1 VDD1 1 ADuM1412 16VDD2 GND1 2 15GND2 应用 VIA 3 ENCODE DECODE 14VOA 通用多通道隔离 VIB 4 ENCODE DECODE 13VOB SPI接口/数据转换器隔离 VOC 5 DECODE ENCODE 12VIC RS-232/RS-422/RS-485收发器 VOD 6 DECODE ENCODE 11VID 工业现场总线隔离 CGTNRDL11 87 190CGTNRDL22 06580-003 图3. ADuM1412 概述 ADuM141x隔离器提供四个独立的隔离通道，支持多种通 ADuM141x1是采用ADI公司iCoupler®技术的四通道数字隔离 道配置和最高达10 Mbps的数据速率(请参考“订购指南”)。所 器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术 有型号均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作，与低压系统兼 融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。所有产品均 有默认输出控制引脚。利用该引脚，用户可以定义无输入 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光 电源时输出所采取的逻辑状态。与其它光耦合器不同， 耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler数字接口和稳定的 ADuM141x隔离器具有已取得专利的刷新特性，可确保不 性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、 存在输入逻辑转换时及上电/关断条件下的直流正确性。 非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些 iCoupler产品不需要外部驱动器和其它分立器件。此外，在 信号数据速率相当的情况下，iCoupler器件的功耗只有光耦 合器的1/10至1/6。 1 受美国专利5,952,849号、6,873,065号、6,903,578号和7,075,329号保护。 Rev. J Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: 781.329.4700 ©2005–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1 412 目录 产品特性.........................................................................................1 建议工作条件.........................................................................11 应用..................................................................................................1 绝对最大额定值..........................................................................12 功能框图.........................................................................................1 ESD警告...................................................................................12 概述..................................................................................................1 引脚配置和功能描述.................................................................13 修订历史.........................................................................................2 典型性能参数..............................................................................17 技术规格.........................................................................................3 应用信息.......................................................................................19 电气特性—5 V电源.................................................................3 印刷电路板布局.....................................................................19 电气特性—3 V电源.................................................................5 传播延迟相关参数................................................................19 电气特性—5 V/3 V或3 V/5 V混合电源..............................7 直流正确性和磁场抗扰度...................................................19 封装特性..................................................................................10 功耗..........................................................................................20 法规信息..................................................................................10 隔离寿命..................................................................................20 隔离和安全相关特性............................................................10 外形尺寸.......................................................................................22 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)： 订购指南..................................................................................22 2006-12隔离特性....................................................................11 修订历史 2014年4月—修订版I至修订版J 2007年2月—修订版E至修订版F 更改表5.........................................................................................10 增加ADuM1410ARWZ..........................................................通篇 引脚名称CTRL统一更新为CTRL2............................................1 2012年3月—修订版H至修订版I 更改订购指南..............................................................................21 为特性部分的“安全和法规认证”创建超链接........................1 更改印刷电路板布局部分........................................................19 2006年10月—修订版D至修订版E 增加ADuM1411和ADuM1412.............................................通篇 2010年11月—修订版G至修订版H 删除ADuM1310.......................................................................通篇 特性部分增加TÜV认证..............................................................1 更改“特性”......................................................................................1 表5增加TÜV栏............................................................................10 更改技术规格部分.......................................................................3 2007年6月—修订版F至修订版G 更新外形尺寸..............................................................................20 全面更新VDE认证.......................................................................1 更改“订购指南”............................................................................20 更改特性和应用部分...................................................................1 2006年3月—修订版C至修订版D 更改表1中的直流规格.................................................................3 增加注释1并更改图2...................................................................1 更改表2中的直流规格.................................................................5 更改绝对最大额定值.................................................................11 更改表3中的直流规格.................................................................7 更改法规信息部分.....................................................................10 2005年11月—修订版C：初始版 增加表10.......................................................................................12 增加隔离寿命部分.....................................................................21 Rev. J | Page 2 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 技术规格 电气特性——5 V电源 4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V，4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V；所有最大值/最小值适用于整个推荐的工作范围，除非另有说明；所有典型值相 DD1 DD2 对于T = 25°C、V = V = 5 V而言。所有电压均参照其各自的地。 A DD1 DD2 表1. 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 每个通道的输入电源电流，静态 I 0.50 0.73 mA DDI (Q) 每个通道的输出电源电流，静态 I 0.38 0.53 mA DDO (Q) ADuM1410，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电源电流 I 2.4 3.2 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (Q) V 电源电流 I 1.2 1.6 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I 8.8 12 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (10) V 电源电流 I 2.8 4.0 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (10) ADuM1411，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电源电流 I 2.2 2.8 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (Q) V 电源电流 I 1.8 2.4 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I 5.4 7.6 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (10) V 电源电流 I 3.8 5.3 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (10) ADuM1412，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 或V 电源电流 I , I 2.0 2.6 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD2 DD1 (Q) DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 或V 电源电流 I , I 4.6 6.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD2 DD1 (10) DD2 (10) 所有型号 输入电流 I , I , I , −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ V , V , V , V ≤ V or V , IA IB IC IA IB IC ID DD1 DD2 IID, ICTRL1, 0 V ≤ V , V ≤ V or V , CTRL1 CTRL2 DD1 DD2 ICTRL2, IDISABLE 0 V ≤ V E ≤ V DISABL DD1 逻辑高电平输入阈值 V 2.0 V IH 逻辑低电平输入阈值 V 0.8 V IL 逻辑高电平输出电压 V , V , (V or V ) − 0.1 5.0 V I = −20 µA, V = V OAH OBH DD1 DD2 Ox Ix IxH VOCH, VODH (VDD1 or VDD2) − 0.4 4.8 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 V , V , 0.0 0.1 V I = 20 µA, V = V OAL OBL Ox Ix IxL VOCL, VODL 0.04 0.1 V IOx = 400 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V I = 4 mA, V = V Ox Ix IxL Rev. J | Page 3 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 参数 符号 最小 值 典型值 最大值 单位 测试条件 开关规格 ADuM141xARWZ 最小脉冲宽度2 PW 1000 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 1 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 20 65 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 40 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 传播延迟偏斜5 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L 通道间匹配6 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD/OD L ADuM141xBRWZ 最小脉冲宽度2 PW 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 10 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 20 30 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 温度变化率 5 ps/°C C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟偏斜5 t 30 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L 通道间匹配，同向通道6 t 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD L 通道间匹配，反向通道6 t 6 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKOD L 所有型号 输出上升/下降时间(10%至90%) t /t 2.5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 R F L 逻辑高电平输出时的共模瞬变 |CM | 25 35 kV/µs V = V 或V ，V = 1000 V， H Ix DD1 DD2 CM 抗扰度7 瞬变幅度 = 800 V 逻辑低电平输出时的共模瞬变 |CM| 25 35 kV/µs V = 0 V, V = 1000 V, L Ix CM 抗扰度7 瞬变幅度= 800 V 刷新速率 f 1.2 Mbps r 输入使能时间8 t 2.0 µs V 、V 、V 、V = 0 V或V ENABLE IA IB IC ID DD1 输入禁用时间8 t 5.0 µs V 、V 、V 、V = 0 V或V DISABLE IA IB IC ID DD1 每个通道的输入动态电源电流9 I 0.12 mA/ DDI (D) Mbps 每个通道的输出动态电源电流9 I 0.04 mA/ DDO (D) Mbps 1 以相同数据速率工作时，所有四个通道的电源电流值合并。输出电源电流值是在无输出负载的条件下测得。以给定数据速率工作的各通道所消耗的电源 电流可按照功耗部分所述进行计算。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流与数据速率的关系，参见图8至图10。关于ADuM1410/ ADuM1411/ADuM1412通道配置下总V 和V 电源电流与数据速率的关系，参见图11至图15。 DD1 DD2 2 最小脉冲宽度是指保证额定脉冲宽度失真的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定脉冲宽度失真的最快数据速率。 4 t 传播延迟是从V 信号下降沿的50％水平至V 信号下降沿的50％水平的时间。t 传播延迟是从V 信号上升沿的50％水平至V 信号上升沿的50％水平 PHL Ix Ox PLH Ix Ox 的时间。 5 t 指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的t 或t 的最差情况偏差。 PSK PHL PLH 6 同向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅同一侧的条件下，其传播延迟之差的绝对值。反向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅相反 侧的条件下，其传播延迟之差的绝对值。 7 |CM |是在维持V > 0.8 V 时能保持的最大共模电压压摆率。|CM|是在维持V < 0.8 V时能保持的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压 H O DD2 L O 的上升沿和下降沿。瞬变幅度是共模压摆的范围。 8 输入使能时间是指在没有任何输入数据逻辑转换的条件下，从V 设置为低电平到输出状态保证与输入状态匹配的时间。如果给定通道在此时间内发 DISABLE 生了输入数据逻辑转换，则该通道的输出将根据本数据手册的传播延迟规格，在规定的更短时间内达到正确状态。输入禁用时间是指从V 设置为高 DISABLE 电平到输出状态保证达到其编程输出电平(由CTRL逻辑状态决定，见表14)的时间。 2 9 动态电源电流指信号数据速率提高1 Mbps所需的电源电流增量。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流的信息，参见图8至图10。有关计算给定数据 速率下每通道电源电流的指导信息，请参见功耗部分。 Rev. J | Page 4 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 电气特性——3 V电源 2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V，2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V；所有最大值/最小值适用于整个推荐的工作范围，除非另有说明；所有典型值相对于 DD1 DD2 T = 25°C、V = V = 3.0 V而言。所有电压均参照其各自的地。 A DD1 DD2 表2. 参数 符号 最小 值 典型 值最大 值 单位 测试条件 直流规格 每个通道的输入电源电流，静态 I 0.25 0.38 mA DDI (Q) 每个通道的输出电源电流，静态 I 0.19 0.33 mA DDO (Q) ADuM1410，总电源电流，四通道 DC至2 Mbps V 电源电流 I 1.2 1.6 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (Q) V 电源电流 I 0.8 1.0 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I 4.5 6.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (10) V 电源电流 I 1.4 1.8 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (10) ADuM1411，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电源电流 I 1.0 1.9 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (Q) V 电源电流 I 0.9 1.7 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I 3.1 4.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD1 (10) V 电源电流 I 2.1 3.0 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD2 DD2 (10) ADuM1412，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 或V 电源电流 I , I 1.0 1.8 mA DC至1 MHz逻辑信号频率 DD1 DD2 DD1 (Q) DD2 (Q) 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 或V 电源电流 I , I 2.6 3.8 mA 5 MHz逻辑信号频率 DD1 DD2 DD1 (10) DD2 (10) 所有型号 输入电流 I , I , I , −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ V , V , V , V ≤ V or IA IB IC IA IB IC ID DD1 IID, ICTRL1, V , 0 V ≤ V , V ≤ V DD2 CTRL1 CTRL2 DD1 ICTRL2, IDISABLE or V , 0 V ≤ V ≤ V DD2 DISABLE DD1 逻辑高电平输入阈值 V 1.6 V IH 逻辑低电平输入阈值 V 0.4 V IL 逻辑高电平输出电压 V , V , (V or V ) − 0.1 3.0 V I = −20 µA, V = V OAH OBH DD1 DD2 Ox Ix IxH VOCH, VODH (VDD1 or VDD2) − 0.4 2.8 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 V , V , 0.0 0.1 V I = 20 µA, V = V OAL OBL Ox Ix IxL VOCL, VODL 0.04 0.1 V IOx = 400 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V I = 4 mA, V = V Ox Ix IxL Rev. J | Page 5 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 参数 符号 最小 值 典型 值最大 值 单位 测试条件 开关规格 ADuM141xARWZ 最小脉冲宽度2 PW 1000 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 1 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 20 75 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 40 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 传播延迟偏斜5 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L 通道间匹配6 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD/OD L ADuM141xBRWZ 最小脉冲宽度2 PW 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 10 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 20 40 60 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 温度变化率 5 ps/°C C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟偏斜5 t 30 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L 通道间匹配，同向通道6 t 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD L 通道间匹配，反向通道6 t 6 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKOD L 所有型号 输出上升/下降时间(10%至90%) t /t 2.5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 R F L 逻辑高电平输出时的共模瞬变抗扰度7 |CM | 25 35 kV/µs V = V 或V ，V = 1000 V， H Ix DD1 DD2 CM 瞬变幅度 = 800 V 逻辑低电平输出时的共模瞬变抗扰度7 |CM| 25 35 kV/µs V = 0 V, V = 1000 V, L Ix CM 瞬变幅度= 800 V 刷新速率 f 1.1 Mbps r 输入使能时间8 t 2.0 µs V , V , V , V = 0 V or V ENABLE IA IB IC ID DD1 输入禁用时间8 t 5.0 µs V , V , V , V = 0 V or V DISABLE IA IB IC ID DD1 每个通道的输入动态电源电流9 I 0.07 mA/ DDI (D) Mbps 每个通道的输出动态电源电流9 I 0.02 mA/ DDO (D) Mbps 1 以相同数据速率工作时，所有四个通道的电源电流值合并。输出电源电流值是在无输出负载的条件下测得。以给定数据速率工作的各通道所消耗的电源 电流可按照功耗部分所述进行计算。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流与数据速率的关系，参见图8至图10。关于ADuM1410/ADuM1411/ ADuM1412通道配置下总V 和V 电源电流与数据速率的关系，参见图11至图15。 DD1 DD2 2 最小脉冲宽度是指保证额定脉冲宽度失真的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定脉冲宽度失真的最快数据速率。 4 t 传播延迟是从V 信号下降沿的50％水平至V 信号下降沿的50％水平的时间。t 传播延迟是从V 信号上升沿的50％水平至V 信号上升沿的50％水平 PHL Ix Ox PLH Ix Ox 的时间。 5 t 指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的t 或t 的最差情况偏差。 PSK PHL PLH 6 同向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅同一侧的条件下，其传播延迟之差的绝对值。反向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅相反 侧的条件下，其传播延迟之差的绝对值。 7 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能保持的最大共模电压压摆率。|CM|是在维持V < 0.8 V时能保持的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的 H O DD2 L O 上升沿和下降沿。瞬变幅度是共模压摆的范围。 8 输入使能时间是指在没有任何输入数据逻辑转换的条件下，从V 设置为低电平到输出状态保证与输入状态匹配的时间。如果给定通道在此时间内发 DISABLE 生了输入数据逻辑转换，则该通道的输出将根据本数据手册的传播延迟规格，在规定的更短时间内达到正确状态。输入禁用时间是指从V 设置为高 DISABLE 电平到输出状态保证达到其编程输出电平(由CTRL逻辑状态决定，见表14)的时间。 2 9 动态电源电流指信号数据速率提高1 Mbps所需的电源电流增量。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流的信息，参见图8至图10。有关计算给定数据 速率下每通道电源电流的指导信息，请参见功耗部分。 Rev. J | Page 6 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 电气特性—5 V/3 V或3 V/5 V混合电源 5 V/3 V电源：4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V，2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V；3 V/5 V电源：2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V，4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V；除非另有说明， DD1 DD2 DD1 DD2 所有最大值/最小值适用于整个推荐的工作范围；所有典型值相对于T = 25°C、V = 3.0 V / V = 5 V或V = 5 V / V = 3.0 V A DD1 DD2 DD1 DD2 而言。所有电压均参照其各自的地。 表3. 参数 符号 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 直流规格 每个通道的输入电源电流，静态 I DDI (Q) 5 V/3 V电源 0.50 0.73 mA 3 V/5 V电源 0.25 0.38 mA 每个通道的输出电源电流，静态 I DDO (Q) 5 V/3 V电源 0.19 0.33 mA 3 V/5 V电源 0.38 0.53 mA ADuM1410，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电 源电流 I DD1 DD1 (Q) 5 V/3 V电源 2.4 3.2 mA DC至1 MHz逻辑信号频 率 3 V/5 V电源 1.2 1.6 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 V 电源电流 I DD2 DD2 (Q) 5 V/3 V电源 0.8 1.0 mA DC至1 MHz逻辑信号频 率 3 V/5 V电源 1.2 1.6 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I DD1 DD1 (10) 5 V/3 V电源 8.6 11 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 3.4 6.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 V 电源电流 I DD2 DD2 (10) 5 V/3 V电源 1.4 1.8 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 2.6 3.0 mA 5 MHz逻辑信号频率 ADuM1411，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电源电流 I DD1 DD1 (Q) 5 V/3 V电源 2.2 2.8 mA DC至1 MHz逻辑信号频 率 3 V/5 V电源 1.0 1.9 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 V 电源电流 I DD2 DD2 (Q) 5 V/3 V电源 0.9 1.7 mA DC至1 MHz逻辑信号频 率 3 V/5 V电源 1.7 2.4 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I DD1 DD1 (10) 5 V/3 V电源 5.4 7.6 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 3.1 4.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 V 电源电流 I DD2 DD2 (10) 5 V/3 V电源 2.1 3.0 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 3.8 5.3 mA 5 MHz逻辑信号频率 Rev. J | Page 7 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 参数 符号 最小 值 典型值 最大值 单位 测试条件 ADuM1412，总电源电流，四通道1 DC至2 Mbps V 电源电流 I DD1 DD1 (Q) 5 V/3 V电源 2.0 2.6 mA DC至1 MHz逻辑信号频 率 3 V/5 V电源 1.0 1.8 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 V 电源电流 I DD2 DD2 (Q) 5 V/3 V电源 1.0 1.8 mA DC 至1 MHz逻 辑信号频 率 3 V/5 V电源 2.0 2.6 mA DC至1 MH z逻辑信号频 率 10 Mbps(仅BRWZ版本) V 电源电流 I DD1 DD1 (10) 5 V/3 V电源 4.6 6.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 2.6 3.8 mA 5 MHz逻辑信号频率 V 电源电流 I DD2 DD2 (10) 5 V/3 V电源 2.6 3.8 mA 5 MHz逻辑信号频率 3 V/5 V电源 4.6 6.5 mA 5 MHz逻辑信号频率 所有型号 输入电流 I , I , I , I , −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ V , V , V , V ≤ V or V , IA IB IC ID IA IB IC ID DD1 DD2 I , I , 0 V ≤ V , V ≤ V or V , CTRL1 CTRL2 CTRL1 CTRL2 DD1 DD2 I 0 V ≤ V ≤ V DISABLE DISABLE DD1 逻辑高电平输入阈值 V IH 5 V/3 V电源 2.0 V 3 V/5 V电源 1.6 V 逻辑低电平输入阈值 V IL 5 V/3 V电源 0.8 V 3 V/5 V电源 0.4 V 逻辑高电平输出电压 V , V , (V 或V ) − 0.1 (V 或V ) V I = −20 µA, V = V OAH OBH DD1 DD2 DD1 DD2 Ox Ix IxH VOCH, VODH (VDD1或VDD2) − 0.4 (VDD1或VDD2) − 0.2 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 V , V , 0.0 0.1 V I = 20 µA, V = V OAL OBL Ox Ix IxL VOCL, VODL 0.04 0.1 V IOx = 400 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V I = 4 mA, V = V Ox Ix IxL 开关规格 ADuM141xARWZ 最小脉冲宽度2 PW 1000 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 1 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 25 70 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 40 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 传播延迟偏斜5 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L 通道间匹配6 t 50 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD/OD L ADuM141xBRWZ 最小脉冲宽度2 PW 100 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 L 最大数据速率3 10 Mbps C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟4 t , t 25 35 60 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PHL PLH L 脉冲宽度失真，|t − t |4 PWD 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PLH PHL L 温度变化率 5 ps/°C C = 15 pF，CMOS信号电平 L 传播延迟偏斜5 t 30 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSK L Rev. J | Page 8 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 参数 符号 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 通道间匹配，同向通道6 t 5 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKCD L 通道间匹配，反向通道6 t 6 ns C = 15 pF，CMOS信号电平 PSKOD L 所有型号 输出上升/下降时间(10%至90%) t /t C = 15 pF，CMOS信号电平 R F L 5 V/3 V电源 2.5 ns 3 V/5 V电源 2.5 ns 逻辑高电平输出时的共模瞬变 |CM | 25 35 kV/µs V = V 或V ，V = H Ix DD1 DD2 CM 抗扰度7 1000 V，瞬变幅度 = 800 V 逻辑低电平输出时的共模瞬变 |CM| 25 35 kV/µs V = 0 V, V = 1000 V, L Ix CM 抗扰度7 瞬变幅度= 800 V 刷新速率 f r 5 V/3 V电源 1.2 Mbps 3 V/5 V电源 1.1 Mbps 输入使能时间8 t 2.0 µs V , V , V , V = 0 V或V ENABLE IA IB IC ID DD1 输入禁用时间8 t 5.0 µs V , V , V , V = 0 V或V DISABLE IA IB IC ID DD1 每个通道的输入动态电源电流9 I DDI (D) 5 V电源 0.12 mA/ Mbps 3 V电源 0.07 mA/ Mbps 每个通道的输出动态电源电流9 I DDO (D) 5 V电源 0.04 mA/ Mbps 3 V电源 0.02 mA/ Mbps 1 以相同数据速率工作时，所有四个通道的电源电流值合并。输出电源电流值是在无输出负载的条件下测得。以给定数据速率工作的各通道所消耗的电源电 流可按照功耗部分所述进行计算。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流与数据速率的关系，参见图8至图10。关于ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 通道配置下总V 和V 电源电流与数据速率的关系，参见图11至图15。 DD1 DD2 2 最小脉冲宽度是指保证额定脉冲宽度失真的最短脉冲宽度。 3 最大数据速率指保证额定脉冲宽度失真的最快数据速率。 4 t 传播延迟是从V 信号下降沿的50％水平至V 信号下降沿的50％水平的时间。t 传播延迟是从V 信号上升沿的50％水平至V 信号上升沿的50％水平的时 PHL Ix Ox PLH Ix Ox 间。 5 t 指两个器件在建议工作条件范围内的相同工作温度、电源电压和输出负载下工作时测得的t 或t 的最差情况偏差。 PSK PHL PLH 6 同向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅同一侧的条件下，其传播延迟之差的绝对值。反向通道间匹配指任意两个通道在输入位于隔离栅相反侧 的条件下，其传播延迟之差的绝对值。 7 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能保持的最大共模电压压摆率。|CM|是在维持V < 0.8 V时能保持的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上 H O DD2 L O 升沿和下降沿。瞬变幅度是共模压摆的范围。 8 输入使能时间是指在没有任何输入数据逻辑转换的条件下，从V 设置为低电平到输出状态保证与输入状态匹配的时间。如果给定通道在此时间内发生 DISABLE 了输入数据逻辑转换，则该通道的输出将根据本数据手册的传播延迟规格，在规定的更短时间内达到正确状态。输入禁用时间是指从V 设置为高电平 DISABLE 到输出状态保证达到其编程输出电平(由CTRL逻辑状态决定，见表14)的时间。 2 9 动态电源电流指信号数据速率提高1 Mbps所需的电源电流增量。关于无负载和有负载条件下每通道电源电流的信息，参见图8至图10。有关计算给定数据速率 下每通道电源电流的指导信息，请参见功耗部分。 Rev. J | Page 9 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 封装特性 表4. 参数 符号 最小值 典型值最大值 单位 测试条件 电阻(输入至输出)1 RI- O 1012 Ω 电容(输入至输出)1 CI- O 2.2 pF f = 1 MHz 输入电容2 C I 4.0 pF IC结至外壳热阻， 第1侧 θJC I 33 °C/W 热电偶位于封装底部正中间 第2侧 θJC O 28 °C/W 1 假设器件为双端器件；引脚1至引脚8短接，引脚9至引脚16短接。 2 输入电容是从任意输入数据引脚到地的容值。 法规信息 ADuM141x已获得表5所列机构的认可。关于特定交叉隔离波形和绝缘水平下的推荐最大工作电压，请参阅表10和隔离 寿命部分。 表5. UL CSA VDE TÜV 1577器件认可程序认可1 CSA元件验收通知#5A批准 DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) IEC 60950-1:2005和 认证： 2006-122 EN 60950-1:2006认证 单一保护， 基本绝缘符合CSA 60950-1-03 加强绝缘，560 V峰值 400 V rms工作电压时提供3000 V rms 2500 V rms隔离电压 和IEC 60950-1标准，800 V rms 加强绝缘。600 V rms工作电压时提 (1131 V峰值)最大工作电压 供3000 V rms基本绝缘。 加强绝缘符合CSA 60950-1-03 和IEC 60950-1标准，400 V rms (566 V峰值)最大工作电压 文件E214100 文件205078 文件2471900-4880-0001 证书B 10 03 56232 006 1 依据UL1577, 每个ADuM141x器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,000 V rms的验证测试(漏电流检测限值为5 μA)。 2 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM141x器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件上的星号(*)标志表示通过 DIN V VDE V 0884-10认证。 隔离和安全相关特性 表6. 参数 符号 值 单位 条件 额定电介质隔离电压 2500 V rms 持续1分钟 最小外部气隙(间隙) L(I01) 7.7 mm， 测量输入端至输出端，空气最短距离 最小值 最小外部爬电距离 L(I02) 8.1 mm， 测量输入端至输出端，沿壳体最短距离 最小值 最小内部间隙 0.017 mm， 隔离距离 最小值 漏电阴抗(相对漏电指数) CTI >175 V DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 隔离组 IIIa 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) Rev. J | Page 10 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12隔离特性 这些隔离器适合安全限制数据范围内的加强电气隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过DIN V VDE V 0884-10认证。 表7. 描述 条件 符号 特性 单位 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms I至IV 额定电源电压≤ 300 V rms I至III 额定电源电压≤ 400 V rms I至II 环境分类 40/105/21 污染度(DIN VDE 0110，表1) 2 最大工作绝缘电压 V 560 V峰值 IORM 输入至输出测试电压，方法B1 V × 1.875 = V , 100%生产测试, t = 1秒, V 1050 V峰值 IORM PR m PR 局部放电< 5 pC 输入至输出测试电压，方法A V × 1.6 = V , t = 60 sec, 局部放电 < 5 pC V IORM PR m PR 跟随环境测试，子类1 896 V峰值 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 V × 1.2 = V , t = 60 sec, 局部放电 < 5 pC 672 V峰值 IORM PR m 最高允许过压 瞬变过压, t = 10 秒 V 4000 V峰值 TR TR 安全限值 出现故障时允许的最大值；见图4 壳温 T 150 °C S 第1侧电流 I 265 mA S1 第2侧电流 I 335 mA S2 在T的绝缘电阻 V = 500 V R >109 Ω S IO S 350 建议工作条件 300 表8. A) m 参数 符号 最小 值最大值 单位 ENT ( 250 SIDE #2 工作温度 TA −40 +105 °C URR 200 电源电压1 VDD1, VDD2 2.7 5.5 V G C 输入信号上升和下降时间 1.0 ms MITIN 150 SIDE #1 1 所有电压均参照各自的地。有关外部磁场抗扰度的信息，参见直流正 LI 确性和磁场抗扰度部分。 Y- 100 T E F A S 50 00 50CASE TEMP1E0R0ATURE (°C)150 200 06580-007 图4. 热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的安全限值与 壳温的关系 Rev. J | Page 11 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 绝对最大额定值 除非另有说明，T = 25°C。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 A 表9. 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 参数 额定值 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 存储温度(T )范围 −65°C至+150°C 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 ST 工作环境温度(T )范围 −40°C至+105°C 响器件的可靠性。 A 电源电压(V 、V )1 −0.5 V至+7.0 V DD1 DD2 输入电压(V , V , V , V , V , −0.5 V至V + 0.5 V V , V IA )I1B, 2 IC ID CTRL1 DDI ESD警告 CTRL2 DISABLE 输出电压(V , V , V V )1, 2 −0.5 V至V + 0.5 V OA OB OC, OD DDO ESD(静电放电)敏感器件。 每个引脚的平均输出电流3 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 第1侧(I ) −18 mA至+18 mA O1 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 第2侧(I ) −22 mA至+22 mA O2 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 共模瞬变4 −100 kV/ s至+100 kV/ 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 1 所有电压均参照各自的地。 2 V 和V 分别指给定通道的输入端和输出端的电源电压。参见PCB DDI DDO 布局部分。 3 不同温度下的最大额定电流值参见图4。 4 指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致 闩锁或永久损坏。 表10. 最大连续工作电压1 参数 最大 值 单位 约束条件 交流电压，双极性波形 565 V峰值 最少50年寿命 交流电压，单极性波形 基本绝缘 1131 V峰值 IEC 60950-1最大认证工作电压 增强绝缘 560 V峰值 IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压 直流电压 基本绝缘 1131 V峰值 IEC 60950-1最大认证工作电压 增强绝缘 560 V峰值 IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压 1 指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命部分。 Rev. J | Page 12 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 引脚配置和功能描述 VDD1 1 16 VDD2 GND1* 2 15 GND2* VIA 3 ADuM1410 14 VOA VIB 4 TOP VIEW 13 VOB VIC 5 (Not to Scale) 12 VOC VID 6 11 VOD DISABLE 7 10 CTRL2 GND1* 8 9 GND2* *PIN 2 AND PIN 8 ARE INTERNALLY CONNECTED. CONNECTING BOTH TCOO NGNNEDC1T IESD R. ECCOONMNMEECNTIDNEGD B. POITNH 9 TAON DG NPDIN2 1IS5 RAERCEO INMTMEERNNDAELDL.Y 06580-004 图5. ADuM1410引脚配置 表11. ADuM1410引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 V 隔离器第1侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD1 2 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 3 V 逻辑输入A。 IA 4 V 逻辑输入B。 IB 5 V 逻辑输入C。 IC 6 V 逻辑输入D。 ID 7 禁用 输入禁用。禁用隔离器输入，暂停直流刷新电路。输出处于CTRL 所决定的逻辑状态。 2 8 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 9 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 2 10 CTRL 默认输出控制。控制输入电源断开时输出所处的逻辑状态。当CTRL为高电平或断开且V 关闭时，V 、V 、 2 2 DD1 OA OB V 和V 输出为高电平。当CTRL为低电平且V 关闭时，V 、V 、V 和V 输出为低电平。当V 电源接通时， OC OD 2 DD1 OA OB OC OD DD1 此引脚不起作用。 11 V 逻辑输出D。 OD 12 V 逻辑输出C。 OC 13 V 逻辑输出B。 OB 14 V 逻辑输出A。 OA 15 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 2 16 V 隔离器第2侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD2 Rev. J | Page 13 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 VDD1 1 16 VDD2 GND1* 2 15 GND2* VIA 3 ADuM1411 14 VOA VIB 4 TOP VIEW 13 VOB VIC 5 (Not to Scale) 12 VOC VOD 6 11 VID CTRL1 7 10 CTRL2 GND1* 8 9 GND2* *PIN 2 AND PIN 8 ARE INTERNALLY CONNECTED. CONNECTING BOTH TCOO NGNNEDC1T IESD R. ECCOONMNMEECNTDINEGD B. POITNH 9 TAON DG NPDIN2 1IS5 RAERCEO INMTMEERNNDAELDL.Y 06580-005 图6. ADuM1411引脚配置 表12. ADuM1411引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 V 隔离器第1侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD1 2 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 3 V 逻辑输入A。 IA 4 V 逻辑输入B。 IB 5 V 逻辑输出C。 IC 6 V 逻辑输出D。 OD 7 CTRL1 默认输出控制。控制输入电源断开时输出所处的逻辑状态。当CTRL为高电平或断开且V 关闭时，V 输出为 1 DD2 OD 高电平。当CTRL为低电平且V 关闭时，V 输出为低电平。当V 电源接通时，此引脚不起作用。 1 DD2 OD DD2 8 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 9 GND2 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 10 CTRL2 默认输出控制。控制输入电源断开时输出所处的逻辑状态。当CTRL为高电平或断开且V 关闭时，V 、V 和 2 DD1 OA OB V 输出为高电平。当CTRL 为低电平且V 关闭时，V 、V 和V 输出为低电平。当V 电源接通时，此引脚 OC 2 DD1 OA OB OC DD1 不起作用。 11 V 逻辑输入D。 ID 12 V 逻辑输入C。 OC 13 V 逻辑输出B。 OB 14 V 逻辑输出A。 OA 15 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 2 16 V 隔离器第2侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD2 Rev. J | Page 14 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 VDD1 1 16 VDD2 GND1* 2 15 GND2* VIA 3 ADuM1412 14 VOA VIB 4 TOP VIEW 13 VOB VOC 5 (Not to Scale) 12 VIC VOD 6 11 VID CTRL1 7 10 CTRL2 GND1* 8 9 GND2* *PIN 2 AND PIN 8 ARE INTERNALLY CONNECTED. CONNECTING BOTH TCOO NGNNEDC1T IESD R. ECCOONMNMEECNTIDNEGD B. POITNH 9 TAON DG NPDIN2 I1S5 RAERCEO INMTMEERNNDAELDL.Y 06580-006 图7. ADuM1412引脚配置 表13. AduM1412引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 V 隔离器第1侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD1 2 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 3 V 逻辑输入A。 IA 4 V 逻辑输入B。 IB 5 V 逻辑输出C。 OC 6 V 逻辑输出D。 OD 7 CTRL1 默认输出控制。控制输入电源断开时输出所处的逻辑状态。当CTRL 为高电平或断开且V 关闭时，V 和V 1 DD2 OC OD 输出为高电平。当CTRL为低电平且V 关闭时，V 和V 输出为低电平。当V 电源接通时，此引脚不起作用。 1 DD2 OC OD DD2 8 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。引脚2与引脚8内部互连，并且建议将二者均连至GND。 1 1 9 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 2 10 CTRL2 默认输出控制。控制输入电源断开时输出所处的逻辑状态。当CTRL 为高电平或断开且V 关闭时，V 和V 2 DD1 OA OB 输出为高电平。当CTRL为低电平且V 关闭时，V 和V 输出为低电平。当V 电源接通时，此引脚不起作用。 2 DD1 OA OB DD1 11 V 逻辑输入D。 ID 12 V 逻辑输入C。 IC 13 V 逻辑输出B。 OB 14 V 逻辑输出A。 OA 15 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。引脚9与引脚15内部互连，并且建议将二者均连至GND。 2 2 16 V 隔离器第2侧的电源电压(2.7 V至5.5 V)。 DD2 Rev. J | Page 15 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 表14. 真值表(正逻辑) CTRL V X DISABLE V 输入1 输入2 状态3 V 状态4 V 状态5 V 输出1 描述 Ix DDI DDO Ox H X L或NC 有电 有电 H 正常工作，数据为高。 L X L或NC 有电 有电 L 正常工作，数据为低。 X H或NC H X 有电 H 输入禁用输出处于CTRL 所决定的默认状态。 X X L H X 有电 L 输入禁用输出处于CTRL 所决定的默认状态。 X X H或NC X 无电 有电 H 输入无电。输出处于CTRL 所决定的默认状态。输出在V 电源 X DDI 恢复后的1 μs内恢复到输入状态。详情见引脚功能描述(表11、 表12和表13)。 X L X 无电 有电 L 输入无电。输出处于CTRL 所决定的默认状态。输出在V 电源 X DDI 恢复后的1 μs内恢复到输入状态。详情见引脚功能描述(表11、 表12和表13)。 X X X 有电 无电 Z 输出无电。输出引脚处于高阻态。输出在V 电源恢复后的1 μs DDO 内恢复到输入状态。详情见引脚功能描述(表11、表12和表13)。 1 V 和V 指给定通道(A、B、C或D)的输入和输出信号。 Ix Ox 2 CTRL指给定通道(A、B、C或D)输入侧的默认输出控制信号。 X 3 仅ADuM1410提供。 4 V 指给定通道(A、B、C或D)输入侧的电源。 DDI 5 V 指给定通道(A、B、C或D)输出侧的电源。 DDO Rev. J | Page 16 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 典型性能参数 2.0 10 8 1.5 A) m RENT/CHANNEL ( 1.0 53VV CURRENT (mA) 64 5V R U 0.5 C 2 3V 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-008 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-011 图8. 5 V和3 V电源下每个输入通道的典型电源电流与 图11. 5 V和3 V电源下ADuM1410典型V 电源电流与 DD1 数据速率的关系 数据速率的关系 1.0 10 0.9 0.8 8 A) 0.7 m NEL ( 0.6 5V mA) 6 RRENT/CHAN 000...543 CURRENT ( 4 CU 3V 5V 0.2 2 0.1 3V 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-009 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-012 图9. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型电源电流与 图12. 5 V和3 V电源下ADuM1410典型V 电源电流与 DD2 数据速率的关系(无输出负载) 数据速率的关系 1.4 10 1.2 8 A) 1.0 m NEL ( 0.8 mA) 6 RRENT/CHAN 00..64 5V CURRENT ( 4 5V U C 3V 2 0.2 3V 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-010 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-013 图10. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型电源电流与 图13. 5 V和3 V电源下ADuM1411典型V 电源电流与 DD1 数据速率的关系(15 pF输出负载) 数据速率的关系 Rev. J | Page 17 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1 412 10 10 8 8 A) 6 A) 6 m m T ( T ( N N E E RR 4 RR 4 U U C C 5V 5V 2 2 3V 3V 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-014 00 2 DAT4A RATE (Mb6ps) 8 10 06580-015 图14. 5 V和3 V电源下ADuM1411典型V 电源电流 图15. 5 V和3 V电源下ADuM1412典型V 或V 电源电流 DD2 DD1 DD2 与数据速率的关系 与数据速率的关系 Rev. J | Page 18 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 应用信息 PCB布局 直流正确性和磁场抗扰度 ADuM141x数字隔离器的逻辑接口不需要外部接口电路。 在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns) 强烈建议在输入和输出供电引脚上进行电源旁路(见图16)。 脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此， V 的旁路电容可以方便地连接在引脚1和引脚2之间， DD1 可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输 V 的旁路电容可以方便地连接在引脚15和引脚16之间。 DD2 入端没有超过约1 μs的逻辑转换时，会发送一组用以表示正 电容值应该在0.01 μF与0.1 μF之间。电容两端到输入电源引 确输入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正确性。 脚的走线总长应该小于20 mm。还应考虑引脚1与引脚8及引 如果解码器在大约5 µs内没有接收到内部脉冲，输入侧则认 脚9与引脚16之间的旁路，除非各封装上的两个接地引脚 为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被看 靠近封装相连。 门狗计时电路强制设置为默认状态(见表14)。 VDD1 VDD2 ADuM141x的磁场抗扰度由变化的磁场决定，它会在变压 GND1 GND2 VIA VOA 器接收线圈中产生感应电压，电压足够大就会错误地置位 VIB ADuM1410 VOB 或复位解码器。下面的分析说明此情况发生的条件。检测 VIC VOC DISAGBNVLDIED1 VCGOTNDRDL22 06580-016 A变D压uM器1输41x出的端3 V的工脉作冲条幅件度是大因于为1.这0 V是。最解易码受器干的扰检的测工阈作值模大式。约 图16. 推荐的印刷电路板布局 是0.5 V,因此有一个0.5 V的噪声容限。接收线圈上的感应电 在具有高共模瞬变的应用中，必须确保隔离栅两端的电路 压由以下公式计算： 板耦合最小。此外，用户所设计的电路板布局应使得所出 V = (−dβ/dt) ∑ π r2; n = 1, 2, … , N 现的任何耦合对给定器件侧的所有引脚产生同等影响。如 n 果不满足设计要求，将会使引脚间的电压差异超过器件的 其中： 绝对最大额定值，造成器件闩锁或者永久损坏。关于PCB β是磁通量密度(高斯)。 布局原则，请参考AN-1109应用笔记。 r是接收线圈第n圈的半径(cm)。 n N是接收线圈匝数。 传播延迟相关参数 传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。高到 给定ADuM141x接收线圈的几何形状及感应电压，解码器 低转换的输入至输出传播延迟时间可能不同于低到高转换 最多能够有0.5 V余量的50%，由此便可计算给定频率时允许 的传播延迟时间。 的最大磁场。结果如图18所示。 100 INPUT (VIx) 50% X U tPLH tPHL FL C 10 OUTPUT (VOx) 图17. 传播延迟参数 50% 06580-017 E MAGNETIgauss) 1 Lk 脉冲宽度失真指这两个传播延迟值的最大差异，反映了输 ABY ( 入信号时序的保持精度。 ALLOWDENSIT0.1 M 通道间匹配指单个ADuM141x器件内各通道的传播延迟之 U M 0.01 间的最大差异。 AXI M 传的传播播延延迟迟偏之斜间指的在最相大同差条异件。下工作的多个ADuM141x器件 0.0011k 10kMAGNETI1C0 0FkIELD FREQ1MUENCY (Hz1)0M 100M 06580-018 图18. 最大允许外部磁通密度 Rev. J | Page 19 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1 412 例如，在1MHz的磁场频率下，最大允许0.2K高斯的磁场 功耗 在接收线圈可以感应出0.25V的电压。这大约是检测阈值 ADuM141x隔离器给定通道的电源电流是电源电压、通道 的50%并且不会引起输出转换错误。同样，如果这样的情 数据速率和通道输出负载的函数。 况在发送脉冲时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲 对于每个输入通道，电源电流按照如下方法计算： 从大于1.0 V下降到0.75 V，仍然高于解码器检测阈值0.5 V。 I = I f ≤ 0.5 f DDI DDI (Q) r 先前的磁通密度值对应于与ADuM141x变压器给定距离的 I = I × (2f − f) + I f > 0.5 f 额定电流幅度。图19显示这些允许的电流幅度与所选距离 DDI DDI (D) r DDI (Q) r 对于每个输出通道，电源电流按照如下方法计算： 条件下频率的函数关系。如图所示，ADuM141x只有在离 器件很近的高频大电流下才会受影响。例如在前述1 MHz时， IDDO = IDDO (Q) f ≤ 0.5 fr 0.5 kA电流必须放置在距离ADuM141x 5 mm以外的时候才 IDDO = (IDDO (D) + (0.5 × 10−3) × CL × VDDO) × (2f − fr) + IDDO (Q) 不会影响器件的工作。 f > 0.5 fr 其中： 1000 I 、I 是每个通道的输入和输出动态电源电流(mA/Mbps)。 DDI (D) DDO (D) A) DISTANCE = 1m C是输出负载电容(pF)。 NT (k 100 VL 是输出电源电压(V)。 E DDO RR f是输入逻辑信号频率(MHz)；它是输入数据速率的一半， U C E 10 单位为Mbps。 L B OWA DISTANCE = 100mm fr是输入级刷新速率(Mbps)。 ALL 1 IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。 M DISTANCE = 5mm XIMU 0.1 为了计算总VDD1和VDD2电源电流，必须计算与VDD1和VDD2相 A 对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。图8和图9显 M 示无输出负载条件下每个通道的电源电流与数据速率的关 0.01 1k 10MkAGNET1IC0 0FkIELD FRE1QMUENCY (H1z0)M 100M 06580-019 系数。据图速1率0显的示关1系5 。pF图输1出1至负图载1条5显件示下A每D个uM通1道410的/A电D源uM电1流41与1/ 图19. 不同电流至ADuM141x距离下的最大允许电流 ADuM1412通道配置的总V 和V 电源电流与数据速率 DD1 DD2 的关系。 请注意,在强磁场和高频率的叠加作用下，印刷电路板走线 形成的任何回路都会感应出足够大的错误电压触发后续电 隔离寿命 路的阈值。在布局的时候需要格外小心以避免发生这种 所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。 情况。 隔离衰减率由施加在隔离上的电压波形的参数决定。除了 监管机构所执行的测试外，ADI公司还进行一系列广泛的 评估来确定ADuM141x内部隔离结构的寿命。 Rev. J | Page 20 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命 请注意，图21所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代 测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可 表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以 以计算实际工作电压下的失效时间。表10中显示的值总结 为正值或负值，但电压不能穿过0 V。 了双极性交流工作条件下50年工作寿命的峰值电压以及 CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情况下，认可工作电 RATED PEAK VOLTAGE 压高于50年工作寿命电压。某些情况下，在这些高工作电 压下工作会导致隔离寿命缩短。 0V 06580-020 ADuM141x的隔离寿命由施加在隔离栅上的电压波形决 图20. 双极性交流波形 定。iCoupler结构的隔离度以不同速率衰减，这由波形是 否为双极性交流、单极性交流或直流决定。图20、图21和 RATED PEAK VOLTAGE 图双2极2显性示交这流些电不压同是隔最离苛电刻压的的环波境形。。在交流双极性条件下工 0V 06580-021 作50年的目标决定ADI推荐的最大工作电压。 图21. 单极性交流波形 在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然低得 RATED PEAK VOLTAGE 多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下，允许 更工作高寿的命工的作前电提压下。，表提10中供列了出符的合工单作极电性压交在流或维者持5直0年流最电低压 0V 06580-022 图22. 直流波形 情况下的工作电压。任何与图21和图22中不一致的交叉隔 离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压应 限制在表10中列出的50年工作寿命电压以下。 Rev. J | Page 21 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 外形尺寸 10.50(0.4134) 10.10(0.3976) 16 9 7.60(0.2992) 7.40(0.2913) 1 8 10.65(0.4193) 10.00(0.3937) 1.27(0.0500) 0.75(0.0295) BSC 2.65(0.1043) 0.25(0.0098) 45° 0.30(0.0118) 2.35(0.0925) 8° 0.10(0.0039) 0° COPLANARITY 0.10 0.51(0.0201) SPELAATNIENG 0.33(0.0130) 1.27(0.0500) 0.31(0.0122) 0.20(0.0079) 0.40(0.0157) C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHNCEOGOSNDMELISPYM)LAEAIANNRNDSETIAORTRNOOESUJNANEORDDETEEDAICN-POSMPFTRIFALONLMPIDMIRLAELIRATIMTDEEESRTFSMEO;SRIRN-0ECU1QH3SU-EADIVAIINMAELDENENSSTIIOGSNNFS.OR 03-27-2007-B 图23. 16引脚标准小型封装[SOIC_W] 宽体(RW-16) 图示尺寸单位：mm和(inch) 订购指南 输入数， 输入数， 最大数据 最大传播 最大脉冲 型号1 V 侧 V 侧 速率 延迟，5 V 宽度失真 温度范围 封装描述 封装选项 DD1 DD2 ADuM1410ARWZ 4 0 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1410ARWZ-RL 4 0 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 ADuM1410BRWZ 4 0 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至 +105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1410BRWZ-RL 4 0 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 ADuM1411ARWZ 3 1 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1411ARWZ-RL 3 1 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 ADuM1411BRWZ 3 1 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1411BRWZ-RL 3 1 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 ADuM1412ARWZ 2 2 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1412ARWZ-RL 2 2 1 Mbps 100 ns 40 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 ADuM1412BRWZ 2 2 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W RW-16 ADuM1412BRWZ-RL 2 2 10 Mbps 50 ns 5 ns −40°C至+105°C 16引脚 SOIC_W，13"卷带和卷盘 RW-16 1 Z = 符合RoHS标准的器件。 Rev. J | Page 22 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412 注释 Rev. J | Page 23 of 24

ADuM1410/ADuM1411/ADuM1 412 注释 ©2005–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D06580sc-0-4/14(J) Rev. J | Page 24 of 24