3 kV RMS双通道数字隔离器 ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 产品特性 概述 数据速率最高可达100 Mbps (NRZ) ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM12861(本数据手 低传播延迟：20 ns(典型值) 册中亦称为ADuM128x)均为双通道数字隔离器，采用ADI 低动态功耗 的iCoupler®技术。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空 双向通信 芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成 3 V至5 V电平转换 式耦合器等替代器件的出色性能特征。 工作温度最高可达：125°C 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 这些器件的传播延迟为20 ns，C级脉冲宽度失真小于2 ns。 默认输出高电平：ADuM1280/ADuM1281 C级还具有5 ns的严格通道间匹配。ADuM128x的双通道属 默认输出低电平：ADuM1285/ADuM1286 于独立式隔离通道，提供两种配置选择、三种不同数据速 8引脚窄体SOIC封装，符合RoHS标准 率，最高可达100 Mbps(见订购指南)。工业级型号可采用2.7 V 安全和法规认证 至5.5 V电源电压工作，而汽车级型号可采用3.0 V至5.5 V电 UL认证：依据UL 1577，1分钟3,000 V rms 源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现 CSA元件验收通知#5A 电压转换功能。与其它光耦合器不同，ADuM128x隔离器 符合VDE认证 具有已取得专利的刷新特性，可确保不存在输入逻辑转换 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)： 2006-12 时的直流正确性。首次上电或尚未在输入端施加电源时， V = 560 V峰值 IORM ADuM1280和ADuM1281默认输出高电平，ADuM1285和 通过汽车应用认证 ADuM1286则默认输出低电平。 应用 有 关 安 全 和 法 规 认 证 的 更 多 信 息 ， 请 访 问 通用多通道隔离 http://www.analog.com/icouplersafety。 数据转换器隔离 工业现场总线隔离 混合动力汽车、电池监控器和电机驱动 功能框图 ADuM1280/ ADuM1281/ VDD1 1 ADuM1285 8 VDD2 VDD1 1 ADuM1286 8 VDD2 VIA 2 ENCODE DECODE 7 VOA VOA 2 DECODE ENCODE 7 VIA VIB 3 ENCODE DECODE 6 VOB VIB 3 ENCODE DECODE 6 VOB GND1 4 5 GND2 10444-001 GND1 4 5 GND2 10444-002 图1. ADuM1280/ADuM1285 图2. ADuM1281/ADuM1286 1 受美国专利第5,952,849号、6,873,065号、6,903,578号和7,075,329号保护，其他专利正 在申请中。 Rev. B Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No Tel: 781.329.4700 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. lTicraednesem ias rgkrsa anntedd r ebgyi sitmerpelidc atrtaiodne mora orkths earrwe tihsee upnrodpeer ratny yo fp tahteeinr tr eosrp peactteivnet oriwghntesr os.f Analog Devices. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 目录 特性..................................................................................................1 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)： 应用..................................................................................................1 2006-12隔离特性....................................................................11 概述..................................................................................................1 建议工作条件.........................................................................11 功能框图.........................................................................................1 绝对最大额定值..........................................................................12 修订历史.........................................................................................2 ESD警告...................................................................................12 技术规格.........................................................................................3 引脚配置和功能描述.................................................................13 电气特性—5 V电源供电(所有等级产品)...........................3 典型性能参数..............................................................................15 电气特性—3 V电源供电(A、B和C级)...............................4 应用信息.......................................................................................16 电气特性—混合5 V/3 V电源供电(A、B和C级)...............5 PCB布局...................................................................................16 电气特性—混合3 V/5 V电源供电(A、B和C级)...............6 传播延迟相关参数................................................................16 电气特性—3 V电源供电(WA、WB和WC级)...................7 直流正确性和磁场抗扰度...................................................16 电气特性—混合5 V/3 V电源供电(WA、WB和WC级)...8 功耗..........................................................................................17 电气特性—混合3 V/5 V电源供电(WA、WB和WC级)...9 隔离寿命..................................................................................18 封装特性..................................................................................10 外形尺寸.......................................................................................19 法规信息..................................................................................10 订购指南..................................................................................19 隔离和安全相关特性............................................................10 汽车应用级产品.....................................................................19 修订历史 2014年3月—修订版A至修订版B 更改特性.........................................................................................1 更改法规信息部分和表23........................................................10 更改表24.......................................................................................10 2013年3月—修订版0至修订版A 更改“产品特性”部分、“应用”部分和“概述”部分.................1 增加表13至表21，重新排序......................................................7 更改表26.......................................................................................11 更改表29和表30..........................................................................13 更改“订购指南”部分..................................................................19 增加“汽车应用级产品”部分.....................................................19 2012年5月—修订版0：初始版 Rev. B | Page 2 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 技术规格 电气特性—5 V电源供电(所有等级产品) 所有典型规格在T = 25°C、V = V = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤ V A DD1 DD2 DD1 ≤ 5.5 V、4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C = 15 pF和CMOS信号电平。 DD2 A L 表1. A级 B 级 C 级 参数 符号 最小 值 典型 值最大值 最小 值 典型 值 最大值 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPLH 50 35 13 18 24 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/°C 传播延迟偏斜 tPSK 38 12 9 ns 同样工作条件下的任意两个 单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns 表2. 1 Mbps—A、B、C级 2 5 Mbps—B级 100 Mbps—B级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 1.1 1.6 6.2 7.0 20 25 mA IDD2 2.7 4.5 4.8 7.0 9.5 15 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 2.1 2.6 4.9 6.0 15 19 mA IDD2 2.3 2.9 4.7 6.4 15.6 19 mA 表3. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 5.0 V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 4.8 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.54 0.8 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.6 2.0 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.09 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.04 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDx阈值 VDDXUV+ 2.6 V 负VDDx阈值 VDDXUV- 2.4 V VDDx迟滞 VDDXUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 2.5 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDx Rev. B | Page 3 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 电气特性—3 V电源供电(A、B和C级) 所有典型规格在T = 25°C、V = V = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：2.7 V ≤ V A DD1 DD2 DD1 ≤ 3.6 V、2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C = 15 pF和CMOS信号电平。 DD2 A L 表4. A级 B级 C级 参数 符号 最小 值 典型 值最大值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPLH 50 35 20 25 33 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2.5 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/°C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2.5 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns 7 Codirectional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with ipnuts on the same side of the isolation barrier. Opposing-directional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with inputs on opposing sides of the isoaltion barrier. 表5. 1 Mbps—A、B、C级 25 Mbps—B、 C级 100 Mbps—C级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 0.75 1.4 5.1 9.0 17 23 mA IDD2 2.0 3.5 2.7 4.6 4.8 9 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 1.6 2.1 3.8 5.0 11 15 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表6. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 3.0 V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 2.8 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.4 0.6 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.2 1.7 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.08 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.015 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDx阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDx阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 3 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 4 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 电气特性—混合5 V/3 V电源供电(A、B和C级) 所有典型规格在T = 25°C、V = 5V、V = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤ A DD1 DD2 V ≤ 5.5 V、2.7 V ≤ V ≤ 3.6 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C = 15 pF和CMOS信号电平。 DD1 DD2 A L 表7. A级 B级 C级 参数 符号 最小 值 典型 值最大值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPL H 50 35 13 20 26 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/0C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns 7 Codirectional channel matching is the absolute value of the difference in propagation delays between any two channels with ipnuts on the same side of the isolation barrie-rd. iOrepcptioosninalg channaebls molauttceh vinaglu eis othf eth e difference in propagation delays between any two channels with inputs on opposing sides of the isolation barrier. 表8. 1 Mbps—A、B、C级 25 Mbps—B、C级 100 Mbps—C级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 1.1 1.6 6.2 7.0 20 25 mA IDD2 2.0 3.5 2.7 4.6 4.8 9.0 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 2.1 2.6 4.9 6.0 15 19 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表9. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 VDDx V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 VDDx − 0.2 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.54 0.75 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.2 2.0 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.09 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.02 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDX阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDX阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 2.5 ns 10% to 90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 5 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 电气特性—混合3 V/5 V电源供电(A、B和C级) 所有典型规格在T = 25°C、V = 3.0 V、V = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：2.7 V ≤ A DD1 DD2 V ≤ 3.6 V、4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C=15 pF和CMOS信号电平。 DD1 DD2 A L 表10. A级 B级 C级 参数 符号 最小 值 典型 值最大值 最小 值 典型 值 最大值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPL H 50 35 16 24 30 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2.5 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/0C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2.5 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns - 表11. 1 Mbps—A、B、C级 25 Mbps—B、C级 100 Mbps—C级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 0.75 1.4 5.1 9.0 17 23 mA IDD2 2.7 4.5 4.8 7.0 9.5 15 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 1.6 2.1 3.8 5.0 11 15 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表12. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入 阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 VDDx V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 VDDx − 0.2 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.4 0.75 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.6 2.0 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.08 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.03 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDX阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDX阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 2.5 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 6 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 电气特性—3 V电源供电(WA、WB和WC级) 所有典型规格在T = 25°C、V = V = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：3.0 V ≤ V A DD1 DD2 DD1 ≤ 3.6 V、3.0 V ≤ V ≤ 3.6 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C = 15 pF和CMOS信号电平。 DD2 A L 表13. WA级 WB级 WC级 参数 符号 最小 值 典型 值最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPLH 50 35 20 25 33 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2.5 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/°C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2.5 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns ation barrier. 表14. 1 Mbps–WA, WB, WC级 25 Mbps–WB, WC级 100 Mbps–WC级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 0.75 1.4 5.1 9.0 17 23 mA IDD2 2.0 3.5 2.7 4.6 4.8 9 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 1.6 2.1 3.8 5.0 11 15 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表15. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 3.0 V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 2.8 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.4 0.6 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.2 1.7 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.08 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.015 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDx阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDx阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 3 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 7 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 电气特性—混合5 V/3 V电源供电(WA、WB和WC级) 所有典型规格在T = 25°C、V = 5V、V = 3.0 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：4.5 V ≤ A DD1 DD2 V ≤ 5.5 V、3.0 V ≤ V ≤ 3.6 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C = 15 pF和CMOS信号电平。 DD1 DD2 A L 表16. WA级 WB级 WC级 参数 符号 最小 值 典型 值最大值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPLH 50 35 13 20 26 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/0C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns n barrier. 表17. 1 Mbps–WA, WB, WC级 25 Mbps–WB, WC级 100 Mbps–WC级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 1.1 1.6 6.2 7.0 20 25 mA IDD2 2.0 3.5 2.7 4.6 4.8 9.0 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 2.1 2.6 4.9 6.0 15 19 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表18. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 VDDx V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 VDDx − 0.2 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.54 0.75 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.2 2.0 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.09 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.02 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDx阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDx阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 2.5 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 8 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 电气特性—混合3 V/5 V电源供电(WA、WB和WC级) 所有典型规格在T = 25°C、V = 3.0 V、V = 5 V下测得。除非另有说明，最小值/最大值适用于整个推荐工作范围：3.0 V ≤ A DD1 DD2 V ≤ 3.6 V、4.5 V ≤ V ≤ 5.5 V、−40°C ≤ T ≤ 125°C。除非另有说明，开关规格的测试条件为C=15 pF和CMOS信号电平。 DD1 DD2 A L 表19. WA级 WB级 WC级 参数 符号 最小 值 典型 值最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 开关规格 脉冲宽度 PW 1000 40 10 ns 在PWD限值内 数据速率 1 25 100 Mbps 在PWD限值内 传播延迟 tPHL, tPLH 50 35 16 24 30 ns 50%输入至50%输出 脉冲宽度失真 PWD 10 3 2.5 ns |tPLH − tPHL| 温度变化率 7 3 1.5 ps/0C 传播延迟偏斜 tPSK 38 16 12 ns 同样工作条件下的任意 两个单位之间 通道匹配 同向 tPSKCD 5 3 2.5 ns 反向 tPSKOD 10 6 5 ns 抖动 2 2 1 ns 7 表20. 1 Mbps–WA, WB, WC级 25 Mbps–WB, WC级 100 Mbps–WC级 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 电源电流 空载 ADuM1280/ADuM1285 IDD1 0.75 1.4 5.1 9.0 17 23 mA IDD2 2.7 4.5 4.8 7.0 9.5 15 mA ADuM1281/ADuM1286 IDD1 1.6 2.1 3.8 5.0 11 15 mA IDD2 1.7 2.3 3.9 6.2 11 15 mA 表21. 适用于所有型号 参数 符号 最小 值 典型 值 最大 值 单位 测试条件 直流规格 逻辑高电平输入阈值 VIH 0.7 VDDx V 逻辑低电平输入阈值 VIL 0.3 VDDx V 逻辑高电平输出电压 VOH VDDx − 0.1 VDDx V IOx = −20 µA, VIx = VIxH VDDx − 0.4 VDDx − 0.2 V IOx = −4 mA, VIx = VIxH 逻辑低电平输出电压 VOL 0.0 0.1 V IOx = 20 µA, VIx = VIxL 0.2 0.4 V IOx = 4 mA, VIx = VIxL 每个通道的输入电流 II −10 +0.01 +10 µA 0 V ≤ VIx ≤ VDDx 每个通道的电源电流 静态输入电源电流 IDDI(Q) 0.4 0.75 mA 静态输出电源电流 IDDO(Q) 1.6 2.0 mA 动态输入电源电流 IDDI(D) 0.08 mA/Mbps 动态输出电源电流 IDDO(D) 0.03 mA/Mbps 欠压闭锁 正VDDX阈值 VDDxUV+ 2.6 V 负VDDX阈值 VDDxUV− 2.4 V VDDX迟滞 VDDxUVH 0.2 V 交流规格 输出上升/下降时间 tR/tF 2.5 ns 10%至90% 共模瞬变抗扰度1 |CM| 25 35 kV/µs V = V ，V = 1000 V， Ix DDx CM 瞬变幅度 = 800 V 刷新周期 tr 1.6 µs 1 |CM|是在维持V > 0.8 V 时能承受的最大共模电压压摆率。共模电压压摆率适用于共模电压的上升沿和下降沿。 o DDX Rev. B | Page 9 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 封装特性 表22. 参数 符号 最小 值典型 值最大值 单位 测试条件 电阻(输入至输出)1 R 1013 Ω I-O 电容(输入至输出)1 C 2 pF f = 1 MHz I-O 输入电容2 C 4.0 pF I IC结至环境热阻 θ 85 °C/W 热电偶位于封装底部正中间 JA 1 假设器件为双端器件；引脚1至引脚4短接，引脚5至引脚8短接。 2 输入电容是从任意输入数据引脚到地的容值。 法规信息 ADuM128x已获得表23所列机构的认证。 关于特定交叉隔离波形和绝缘水平下的推荐最大工作电压，请参阅表27和表28。 表23. UL CSA VDE UL 1577器件认可程序认可1 CSA元件验收通知#5A批准 进行DIN V VDE V 0884-10(VDE V 0884-10) 认证： 2006-122 单一保护，3,000 V RMS隔离电压 基本绝缘符合CSA 60950-1-03和IEC 60950-1 加强绝缘，560 V峰值 标准，390 V rms(550 V峰值)最大工作电压 文件E214100 文件205078 文件2471900-4880-0001 1 依据UL1577，每个ADuM128x都经过1秒钟绝缘测试电压≥ 3,600 V rms的验证测试(漏电流检测限值为6μA)。 2 依据DIN V VDE V 0884-10，每个ADuM128x器件都经过1秒钟绝缘测试电压≥1050 V峰值的验证测试(局部放电检测限值为5 pC)。器件上的星号(*)标志表示 通过DIN V VDE V 0884-10认证。 隔离和安全相关特性 表2 4. 参数 符号 值 单位 条件 额定电介质隔离电压 3000 V rms 持续1分钟 PCB层中的间隙 CL 4.5 mm， 测量输入端至输出端，PCB层中的隔空最短线路 PCB 最小值 距离 最小外部气隙(间隙) L(I01) 4.0 mm， 测量输入端至输出端，隔空最短距离 最小值 最小外部爬电距离 L(I02) 4.0 mm， 测量输入端至输出端，沿壳体最短距离 最小值 最小内部间隙 0.017 mm ， 隔离距离 最小值 漏电阴抗(相对漏电指数) CTI >400 V DIN IEC 112/VDE 0303第1部分 隔离组 II 材料组(DIN VDE 0110，1/89，表1) Rev. B | Page 10 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12绝缘特性 这些隔离器适合安全限制数据范围内的加强电气隔离。通过保护电路保持安全数据。封装上的星号(*)标志表示通过DIN V VDE V 0884-10认证。 表25. 描述 条件 符号 特性 单位 DIN VDE 0110装置分类 额定电源电压≤ 150 V rms I至IV 额定电源电压≤ 300 V rms I至III 额定电源电压≤ 400 V rms I至II 环境分类 40/105/21 污染度(DIN VDE 0110，表1) 2 最大工作绝缘电压 V 560 V IORM PEAK 输入至输出测试电压，方法B1 V × 1.875 = V ，100%生产测试， V 1050 V IORM pd(m) pd(m) PEAK t = t = 1秒，局部放电 < 5 pC ini m 输入至输出测试电压，方法A 跟随环境测试，子类1 V × 1.5 = V ，t = 60秒，t = 10秒， V 840 V IORM pd(m) ini m pd(m) PEAK 局部放电 < 5 pC 跟随输入和/或安全测试，子类2和子类3 V × 1.2 = V ，t = 60秒，t = 10秒， V 672 V IORM pd(m) ini m pd(m) PEAK 局部放电 < 5 pC 最高允许过压 V 4000 V IOTM PEAK 耐受隔离电压 1分钟耐受额定值 V 3000 V ISO RMS 浪涌隔离电压 V = 10 kV，1.2 µs上升时间，50 µs，50%下降时间 V 6000 V PEAK IOSM PEAK 安全限值 出现故障时允许的最大值(见图3) 壳温 T 150 °C S 第1侧I 电流 I 290 mA DD1 S1 TS上的绝缘电阻 VIO = 500 V RS >109 Ω 300 建议工作条件 表26. mA) 250 参数 符号 最小 值最大值 单位 NT ( 工作温度 TA −40 +1 25 °C E 200 RR 电源电压1 VDD1, VDD2 U C A、B和C级 2.7 5.5 V G 150 TIN WA、WB和WC级 3.0 5.5 V TY-LIMI 100 输 入信号上升和下降时间 1.0 ms FE 1 参见“直流正确性和磁场抗扰度”部分。 A S 50 0 0 50AMBIENT TEM1P00ERATURE (°C1)50 200 10444-003 图3. V = 5 V时热减额曲线，依据DIN V VDE V 0884-10获得的 DDx 安全限值与壳温的关系 Rev. B | Page 11 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 绝对最大额定值 除非另有说明，T = 25°C。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 A 表27. 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 参数 额定值 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 存储温度(T )范围 −65°C至+150°C ST 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 工作环境温度(T )范围 −40°C至+125°C A 响器件的可靠性。 电源电压（V 、V ） −0.5 V至+7.0 V DD1 DD2 输入电压（V 、V ） −0.5 V至V + 0.5 V IA IB DD1 输出电压（VOA、VOB） −0.5 V至VDD2 + 0.5 V 每个引脚的平均输出电流1 第1侧(I ) −10 mA至+10 mA O1 第2侧(I ) −10 mA至+10 mA O2 共模瞬变2 −100 kV/μs至+100 kV/μs 1 不同温度下的最大额定电流值参见图3。 2 指隔离栅上的共模瞬变。超过绝对最大额定值的共模瞬变可能导致闩锁或 永久损坏。 表28. 最大连续工作电压1 参数 最大值 单位 约束条件 交流电压，双极性波形 565 V峰值 最少50年寿命 交流电压，单极性波形 基本绝缘 1131 V峰值 IEC 60950-1最大认证工作电压 增强绝缘 560 V峰值 IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压 直流电压 基本绝缘 1131 V峰值 IEC 60950-1最大认证工作电压 增强绝缘 560 V峰值 IEC 60950-1和VDE V 0884-10最大认证工作电压 1 指隔离栅上的连续电压幅度。详情见隔离寿命摂部分。 ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. B | Page 12 of 21

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 引脚配置和功能描述 VDD1 1 ADuM1280/ 8 VDD2 VIA 2 ADuM1285 7 VOA GNVDIB1 34 (NToOt Pto V SIEcaWle) 65 VGONBD2 10444-004 图4. ADuM1280/ADuM1285引脚配置 图29. ADuM1280/ADuM1285引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 V 隔离器第1侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。 DD1 2 V 逻辑输入A。 IA 3 V 逻辑输入B。 IB 4 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。 1 5 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。 2 6 V 逻辑输出B。 OB 7 V 逻辑输出A。 OA 8 V 隔离器第2侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。 DD2 VDD1 1 ADuM1281/ 8 VDD2 VOA 2 ADuM1286 7 VIA GNVDIB1 34 (NToOt Pto V SIEcaWle) 65 VGONBD2 10444-005 图5. ADuM1281/ADuM1286引脚配置 图30. ADuM1281/ADuM1286引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 V 隔离器第1侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。 DD1 2 V 逻辑输出A。 OA 3 V 逻辑输入B。 IB 4 GND 地1。隔离器第1侧的接地基准点。 1 5 GND 地2。隔离器第2侧的接地基准点。 2 6 V 逻辑输出B。 OB 7 V 逻辑输入A。 IA 8 V 隔离器第2侧的电源电压(A、B和C级为2.7 V至5.5 V；WA、WB和WC级为3.0 V至5.5 V)。 DD2 关于特定布局原则，请参考AN-1109应用笔记：“iCoupler器件的辐射控制建议。” Rev. B | Page 13 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 表31. ADuM1280真值表(正逻辑) V 输入 V 输入 V 状态 V 状态 V 输出 V 输出 注释 IA IB DD1 DD2 OA OB H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H L L 未上电 上电 H H 输出在 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 VDDI 输入状态。 X X 上电 未上电 不确定 不确定 输出在V 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 DDO 输入状态。 表32. ADuM1281真值表(正逻辑) V 输入 V 输入 V 状态 V 状态 V 输出 V 输出 注释 IA IB DD1 DD2 OA OB H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H X L 未上电 上电 不确定 H 输出在V 电源恢复后的1.6 µs内返回到 DD1 输入状态。 L X 上电 未上电 H 不确定 输出在V 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 DDO 输入状态。 表33. ADuM1285真值表(正逻辑) V 输入 V 输入 V 状态 V 状态 V 输出 V 输出 注释 IA IB DD1 DD2 OA OB H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H L L 未上电 上电 L L 输出在V 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 DDI 输入状态。 X X 上电 未上电 不确定 不确定 输出在V 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 DDO 输入状态。 表34. ADuM1286真值表(正逻辑) V 输入 V 输入 V 状态 V 状态 V 输出 V 输出 注释 IA IB DD1 DD2 OA OB H H 上电 上电 H H L L 上电 上电 L L H L 上电 上电 H L L H 上电 上电 L H X L 未上电 上电 不确定 L 输出在V 电源恢复后的1.6 µs内返回到 DD1 输入状态。 L X 上电 未上电 L 不确定 输出在V 电源恢复后的1.6 μs内恢复到 DDO 输入状态。 Rev. B | Page 14 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 典型性能参数 10 20 8 15 mA) 6 mA) 5V NT ( 5V NT ( 10 E 3V E R R UR 4 UR 3V C C 5 2 0 0 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-006 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-009 图6. 5 V和3 V电源下每个输入通道的典型 图9. 5 V和3 V电源下ADuM1280或ADuM1285典型 电源电流与数据速率的关系 V 电源电流与数据速率的关系 DD1 10 20 8 15 A) A) m 6 m T ( T ( N N 10 E E R R UR 4 UR 5V C 5V C 5 2 3V 3V 0 0 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-007 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-010 图7. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型 图10. 5 V和3 V电源下ADuM1280或ADuM1285典型 电源电流与数据速率的关系(无输出负载) V 电源电流与数据速率的关系 DD2 10 20 8 15 A) A) m 6 m T ( 5V T ( N N 10 E E R R CUR 4 CUR 5V 3V 5 2 3V 0 0 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-008 0 10 20 30 DA4T0A RA5T0E (M6b0ps) 70 80 90 100 10444-011 图8. 5 V和3 V电源下每个输出通道的典型 图11. 5 V和3 V电源下ADuM1281或ADuM1286典型 电源电流与数据速率的关系(15 pF输出负载) V 或V 电源电流与数据速率的关系 DD1 DD2 Rev. B | Page 15 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 应用信息 直流正确性和磁场抗扰度 PCB布局 ADuM128x数字隔离器的逻辑接口不需要外部接口电路。 在隔离器输入端的正负逻辑电平转换会使一个很窄的(约1 ns) 脉冲通过变压器被送到解码器。解码器是双稳态的，因此， 强烈建议在输入和输出供电引脚V 和V 上进行电源旁 DD1 DD2 可以被这个脉冲置位或复位，表示输入逻辑的转换。当输 路(见图12)。电容值应在0.01 µF和0.1 µF之间。电容两端到 输入电源引脚的走线总长应该小于20 mm。 入端没有超过约1.6 µs的逻辑转换时，会发送一组用以表示 正确输入状态的周期性刷新脉冲，以确保输出的直流正 如果PCB设计选择得当，ADuM128x很容易满足CISPR 22 确性。 Class A(和FCC Class A)辐射标准，甚至能够满足更严格的 无屏蔽环境CISPR 22 Class B(和FCC Class B)标准。有关PCB 如果解码器在超过大约6.4 µs没有接收到脉冲，则输入侧认 为没有供电或者无效，在这种情况下，隔离器的输出被看 相关的抗电磁辐射技术，包括电路板布局和堆叠问题，请 门狗计时电路强制设置为默认低电平状态。 参见AN-1109应用笔记：“iCoupler器件的辐射控制建议”。 该器件磁场抗扰度的限制由变压器接收线圈中的感应电压 传播延迟相关参数 状态决定，电压足够大就会错误地置位或复位解码器。下 传播延迟是衡量逻辑信号穿过器件所需时间的参数。高到 面的分析可说明此情况。在3 V工作条件下检测ADuM1280， 低转换的输入至输出传播延迟时间可能不同于低到高转换 这是最易受干扰的工作模式。 的传播延迟时间。 变压器输出端的脉冲幅度大于1.5 V。解码器的检测阈值大 INPUT (VIx) 50% 约是1.0 V，因此有一个0.5 V的噪声容限。接收线圈上的感 tPLH tPHL 应电压由以下公式计算： OUTPUT (VOx) 50% 10444-012 V = (−dβ/dt)∑πrn2; n = 1, 2, …, N 图12. 传播延迟参数 其中： 脉冲宽度失真指这两个传播延迟值的最大差异，反映了输 β是磁通密度。 入信号时序的保持精度。 r是接收线圈第n圈的半径。 n N是接收线圈匝数。 通道间匹配指单个ADuM128x器件内各通道的传播延迟之 间的最大差异。 给定ADuM1280接收线圈几何形状及感应电压，解码器最 多能够有0.5 V余量的50%，允许的最大磁场见图13所示计算。 传播延迟偏斜指在相同条件下运行的多个ADuM128x器件 的传播延迟之间的最大差异。 100 X U L F C 10 TI E N AGss) Mu 1 E ga Lk ABY ( ALLOWDENSIT0.1 M U M 0.01 XI A M 0.0011k 10kMAGNETI1C0 0FkIELD FREQ1MUENCY (Hz1)0M 100M 10444-013 图13. 最大允许外部磁通密度 Rev. B | Page 16 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 例如，在1 MHz的磁场频率下，最大允许0.08 K高斯的磁场在 请注意,在强磁场和高频率的叠加作用下，印刷电路板走线 接收线圈可以感应出0.25 V的电压。这大约是检测阈值的50% 形成的任何回路都会感应出足够大的错误电压触发后续电 并且不会引起输出转换错误。如果这样的情况在发送脉冲 路的阈值。小心不要使PCB结构形成环路。 时发生(最差的极性)，这会使接收到的脉冲从大于1.0 V下降 功耗 到0.75 V。注意，这仍然高于解码器检测阈值0.5 V。 ADuM128x隔离器给定通道的电源电流是电源电压、通道 先前的磁通密度值对应于与ADuM1280变压器给定距离的 数据速率和通道输出负载的函数。 额定电流幅度。图14表明这些允许的电流幅度是频率与所 对于每个输入通道，电源电流按照下式计算： 选距离的函数。ADuM1280不受外部磁场的影响，只会受 非常靠近器件的极大高频电流的影响。例如1 MHz时，0.2 kA IDDI = IDDI (Q) f ≤ 0.5 fr 电流必须置于距离ADuM1280 5 mm以内才会影响器件的 IDDI = IDDI (D) × (2f − fr) + IDDI (Q) f > 0.5 fr 工作。 对于每个输出通道，电源电流按照下式计算： I = I f ≤ 0.5 f 1000 DDO DDO (Q) r A) DISTANCE = 1m IDDO = (IDDO (D) + (0.5 × 10−3) × CL × VDDO) × (2f − fr) + IDDO (Q) T (k 100 f > 0.5 fr N RE 其中： R CU I 、I 是每个通道的输入和输出动态电源电流 E 10 DDI (D) DDO (D) BL (mA/Mbps)。 A DISTANCE = 100mm OW C是输出负载电容(pF)。 L 1 L AL DISTANCE = 5mm V 是输出电源电压(V)。 M DDO MU f是输入逻辑信号频率(MHz)；它是输入数据速率的一半， XI 0.1 MA 单位为Mbps。 f是输入级刷新速率(Mbps) = 1/t (µs)。 0.01 r r 1k 10kMAGNET1IC0 0FkIELD FRE1QMUENCY (H1z0)M 100M 10444-014 IDDI(Q)、IDDO(Q)是额定输入和输出静态电源电流(mA)。 图14. 不同电流至ADuM1280距离下的最大允许电流 为了计算总V 和V 电源电流，必须计算与V 和V 相 DD1 DD2 DD1 DD2 对应的各输入和输出通道的电源电流并求和。图6和图7显 示无输出负载条件下每个通道的电源电流与数据速率的关 系。图8显示15 pF输出负载条件下每个通道的电源电流与数 据速率的关系。图9至图11显示ADuM1280/ADuM1281通道 配置的总V 和V 电源电流与数据速率的关系。 DD1 DD2 Rev. B | Page 17 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 隔离寿命 在单极性交流或者直流电压的情况下，隔离应力显然低得 所有的隔离结构在长时间的电压作用下，最终会被破坏。 多。此工作模式在能够获得50年工作时间的前提下，允许 隔离衰减率由施加在隔离上的电压波形的参数决定。除了 更高的工作电压。表28中列出的工作电压在维持50年最低 监管机构所执行的测试外，ADI公司还进行一系列广泛的 工作寿命的前提下，提供了符合单极性交流或者直流电压 评估来确定ADuM128x内部隔离结构的寿命。 情况下的工作电压。任何与图16和图17中不一致的交叉隔 离电压波形都应被认为是双极性交流波形，其峰值电压应 ADI公司使用超过额定连续工作电压的电压执行加速寿命 限制在表28出的50年工作寿命电压以下。 测试。确定多种工作条件下的加速系数，利用这些系数可 以计算实际工作电压下的失效时间。表28示的值总结了双 请注意，图17所示的正弦电压波形仅作为示例提供，它代 极性交流工作条件下50年工作寿命的峰值电压以及 表任何在0 V与某一限值之间变化的电压波形。该限值可以 CSA/VDE认可的最大工作电压。许多情况下，认可工作电 为正值或负值，但电压不能穿过0 V。 压高于50年工作寿命电压。某些情况下，在这些高工作电 压下工作会导致隔离寿命缩短。 RATED PEAK VOLTAGE A定D。uiMC1o2u8pxle的r结隔构离的寿隔命离由度施以加不在同隔速离率栅衰上减的，电这压由波波形形是决 0V 10444-015 图15. 双极性交流波形 否为双极性交流、单极性交流或直流决定。图15、图16和 图17显示这些不同隔离电压的波形。 RATED PEAK VOLTAGE 双极性交流电压是最苛刻的环境。在交流双极性条件下工 作50年的目标决定ADI推荐的最大工作电压。 0V 10444-016 图16. 单极性交流波形 RATED PEAK VOLTAGE 0V 10444-017 图17. 直流波形 Rev. B | Page 18 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 外形尺寸 5.00(0.1968) 4.80(0.1890) 8 5 4.00(0.1574) 6.20(0.2441) 3.80(0.1497) 1 4 5.80(0.2284) 1.27(0.0500) 0.50(0.0196) BSC 1.75(0.0688) 0.25(0.0099) 45° 0.25(0.0098) 1.35(0.0532) 8° 0.10(0.0040) 0° COPLANARITY 0.51(0.0201) 0.10 SEATING 0.31(0.0122) 0.25(0.0098) 10..2470((00..00515070)) PLANE 0.17(0.0067) COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMS-012-AA C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHNEOGSNDELISYM)AEANNRDSEIAORRNOESUNANORDETEDAIN-POMPFRIFLOLMPIMIRLELIATIMTEEERTFSEO;RIRNECUQHSUEDIVIINMAELDENENSSTIIOGSNNFS.OR 012407-A 图18. 8引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-8) 图示尺寸单位：mm和(inch) 订购指南 输入数， 输入数， 最大 数据 最大传播 型号123 V 侧 V 侧 速率 延迟，5 V 输出默认状态 温度范围 封装描述 封装选项 DD1 DD2 ADuM1280ARZ 2 0 1 Mbps 50 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1280WARZ 2 0 1 Mbps 50 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1280BRZ 2 0 25 Mbps 35 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1280WBRZ 2 0 25 Mbps 35 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1280CRZ 2 0 100 Mbps 24 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1280WCRZ 2 0 100 Mbps 24 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1281ARZ 1 1 1 Mbps 50 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1281WARZ 1 1 1 Mbps 50 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1281BRZ 1 1 25 Mbps 35 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1281WBRZ 1 1 25 Mbps 35 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1281CRZ 1 1 100 Mbps 24 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚SOIC_N R-8 ADuM1281WCRZ 1 1 100 Mbps 24 高电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285ARZ 2 0 1 Mbps 50 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285WARZ 2 0 1 Mbps 50 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285BRZ 2 0 25 Mbps 35 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285WBRZ 2 0 25 Mbps 35 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285CRZ 2 0 100 Mbps 24 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1285WCRZ 2 0 100 Mbps 24 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286ARZ 1 1 1 Mbps 50 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286WARZ 1 1 1 Mbps 50 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286BRZ 1 1 25 Mbps 35 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286WBRZ 1 1 25 Mbps 35 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286CRZ 1 1 100 Mbps 24 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 ADuM1286WCRZ 1 1 100 Mbps 24 低电 平 −40°C至+125°C 8 引脚 SOIC_N R-8 1 Z = 符合RoHS标准的器件。 2 可提供卷带和卷盘形式。“-RL7”后缀表示7”(1,000片)卷带和卷盘选项。 3 W = 通过汽车应用认证。 汽车应用级产品 ADuM1280W、ADuM1281W、ADuM1285W和ADuM1286W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性 要求。请注意，车用型号的技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有 显示为汽车应用级的产品才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地 ADI客户代表。 Rev. B | Page 19 of 20

ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM 1286 注释 ©2012–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D10444sc-0-3/14(B) Rev. B | Page 20 of 20