20 V、300 mA低噪声CMOS LDO ADP7102 特性 典型应用电路 输入电压范围：3.3 V至20 V VIN = 8V VIN VOUT VOUT = 5V 最大输出电流：300 mA CIN + +COUT 1µF 1µF 低噪声：15 μV rms（固定输出型） SENSE PSRR性能：60 dB (10 kHz，VOUT = 3.3 V) OFF ON 10R01kΩ EN/ R10P0GkΩ 反向电流保护 R2 UVLO PG PG 100kΩ 低压差：200 mV（300 mA负载） GND 初在始整精个度线：路 、±0负.8载%与 温度范围内的精度： −2%, +1% 09506-001 图1. 提供5 V固定输出电压的ADP7102 低静态电流(V = 5 V)：I = 750 µA（300 mA负载） IN GND 低关断电流：40 µA（V = 12 V时） VIN = 8V VIN VOUT VOUT = 5V 利用1 μF小型陶瓷输出电IN容实现稳定工作 1CµINF + R401.2kΩ +C1µOFUT ADJ 7种固定输出电压选项：1.5 V、1.8 V、2.5 V、3 V、3.3 V、 R2 5 V和9 V OFF ON 10R03kΩ EUNV/LO 13kΩ R10P0GkΩ 可调输出电压范围：1.22 V至VIN – VDO 100kRΩ4 PG PG 返送电流限制和热过载保护 GND 用户可编程的精密UVLO/使能功能 09506-002 电源良好指示 图2. 提供5 V可调输出电压的ADP7102 8引脚LFCSP和8引脚SOIC封装 特性 适应噪声敏感应用：ADC、DAC电路、精密放大器、 高频振荡器、时钟和PLL 通信和基础设施 医疗和保健 工业与仪器仪表 概述 ADP7102是一款CMOS、低压差线性调节器，采用3.3 V至 ADP7102输出噪声电压为15 μV rms，并不受输出电压影 20 V电源供电，最大输出电流为300 mA。这款高输入电压 响。这些器件具有一个“电源良好”数字输出引脚，允许电 LDO适用于调节19 V至1.22 V供电的高性能模拟和混合信 源系统监控器检查输出电压是否正常。用户可编程精密欠 号电路。该器件采用先进的专有架构，提供高电源抑制、 压闭锁功能方便控制多个电源的时序。 低噪声特性，仅需一个1 μF小型陶瓷输出电容，便可实现 ADP7102提供8引脚3 mm × 3 mm LFCSP和8引脚SOIC两种 出色的线路与负载瞬态响应性能。 封装。LFCSP不仅提供一种超紧凑的解决方案，而且散热 ADP7102提供7个固定输出电压选项和可调输出型号，可通 性能出色，在小尺寸薄型电路板空间中满足高达300 mA输 过外置反馈分压器，将输出电压调节至1.22 V至VIN − VDO。 出电流的应用需求。 RInefovrm. Aat ion furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: 781.329.4700 www.analog.com TArDaId中em文a版rk数s a据nd手 re册gis是ter英ed文 tr版ad数em据ar手ks册 ar的e t译he文 pr，op敬er请ty o谅f t解he翻ir r译es中pe可cti能ve存 ow在ne的rs语. 言组织或翻译错误，ADI不F对a翻x:译 7中81存.4在6的1.差31异1或3 由此产生的©错20误1负1 责A。na如lo需g确 D认ev任ic何es词, 语In的c. 准Al确l r性ig，h请ts参 re考seADrvI提e供d. 的最新英文版数据手册。

ADP7102 目录 特性.....................................................................................................1 工作原理..........................................................................................17 应用.....................................................................................................1 应用信息.....................................................................................18 典型应用电路...................................................................................1 电容选择.....................................................................................18 概述.....................................................................................................1 可编程欠压闭锁(UVLO) ........................................................19 修订历史............................................................................................2 电源良好特性............................................................................20 技术规格............................................................................................3 ADP7102可调型号的降噪特性..............................................20 推荐规格：输入和输出电容....................................................4 限流和热过载保护...................................................................21 绝对最大额定值...............................................................................5 散热考虑.....................................................................................21 热数据...........................................................................................5 印刷电路板布局考量....................................................................24 ESD警告........................................................................................5 外形尺寸..........................................................................................25 引脚配置和功能描述......................................................................6 订购指南.....................................................................................26 典型工作特性...................................................................................7 修订历史 2011年11月—修订版0至修订版A 更改图50.........................................................................................14 2011年10月—修订版0：初始版 Rev. A | Page 2 of 28

ADP7102 技术规格 除非另有说明，V = (V + 1 V)或3.3 V(取较大者)，EN = V ，I = 10 mA，C = C = 1 μF，T = 25°C。 IN OUT IN OUT IN OUT A 表1. 参数 符号 条件 最小 值 典型 值 最大 值 单位 输入电压范围 V 3.3 20 V IN 工作电源电流 I I = 100 µA, V = 10 V 400 µA GND OUT IN I = 100 µA, V = 10 V, T = −40°C 至 +125°C 900 µA OUT IN J I = 10 mA, V = 10 V 450 µA OUT IN I = 10 mA, V = 10 V, T = −40°C 至 +125°C 1050 µA OUT IN J I = 150 mA, V = 10 V 650 µA OUT IN I = 150 mA, V = 10 V, T = −40°C 至 +125°C 1250 µA OUT IN J I = 300 mA, V = 10 V 750 µA OUT IN I = 300 mA, V = 10 V, T = −40°C 至 +125°C 1400 µA OUT IN J 关断电流 I EN = GND, V = 12 V 40 µA GND-SD IN EN = GND, V = 12 V, T = −40°C 至 +125°C 75 µA IN J 输入反向电流 I EN = GND, V = 0 V, V = 20 V 0.3 µA REV-INPUT IN OUT EN = GND, V = 0 V, V = 20 V, T = −40°C 至 +125°C 5 µA IN OUT J 输出电压精度 固定输出电压精度 V I = 10 mA –0.8 +0.8 % OUT OUT 1 mA < I < 300 mA, V = (V + 1 V) 至 20 V, –2 +1 % OUT IN OUT T = −40°C 至 +125°C J 可调输出电压精度 V I = 10 mA 1.21 1.22 1.23 V ADJ OUT 1 mA < I < 300 mA, V = (V + 1 V) 至 20 V, 1.196 1.232 V OUT IN OUT T = −40°C 至 +125°C J 线性调整率 ∆V /∆V V = (V + 1 V) 至 20 V, T = −40°C 至 +125°C −0.015 +0.015 %/V OUT IN IN OUT J 负载调整率1 ∆V /∆I I = 1 mA 至 300 mA 0.2 %/A OUT OUT OUT I = 1 mA 至 300 mA, T = −40°C 至 +125°C 1.0 %/A OUT J ADJ输入偏置电流 ADJ 1 mA < I < 300 mA, V = (V + 1 V) 至 20 V, 10 nA I-BIAS OUT IN OUT ADJ connected to VOUT SENSE输入偏置电流 SENSE 1 mA < I < 300 mA, V = (V + 1 V) 至 20 V, 1 I-BIAS OUT IN OUT SENSE连接到VOUT, V = 1.5 V OUT 压差2 V I = 10 mA 20 mV DROPOUT OUT I = 10 mA, T = −40°C 至 +125°C 40 mV OUT J I = 150 mA 100 mV OUT I = 150 mA, T = −40°C 至 +125°C 175 mV OUT J I = 300 mA 200 mV OUT I = 300 mA, T = −40°C 至 +125°C 325 mV OUT J 启动时间3 t V = 5 V 800 µs START-UP OUT 限流阈值4 I 450 575 750 mA LIMIT PG输出逻辑电平 PG输出逻辑高电平 PG I < 1 µA 1.0 V HIGH OH PG输出逻辑低电平 PG I < 2 mA 0.4 V LOW OL PG输出阈值 输出电压下降 PG −9.2 % FALL 输出电压上升 PG −6.5 % RISE 热关断 热关断阈值 TSSD TJ 上升 150 °C 热关断迟滞 TSSD-HYS 15 °C Rev. A | Page 3 of 28

ADP7102 参数 符号 条件 最小 值 典型 值 最大 值 单位 可编程EN/UVLO UVLO阈值上升 UVLO 3.3 V ≤ V ≤ 20 V, T = −40°C 至 +125°C 1.18 1.23 1.28 V RISE IN J UVLO阈值下降 UVLO 3.3 V ≤ V ≤ 20 V, T = −40°C 至 +125°C, 10 kΩ 1.13 V FALL IN J 电阻与使能引脚串联 UVLO迟滞电流 UVLO V > 1.25 V, T = −40°C 至 +125°C 7.5 9.8 12 µA HYS EN J 使能下拉电流 I EN = V 500 nA EN-IN IN 输入电压 启动阈值 V T = −40°C 至 +125°C 3.2 V START J 关断阈值 V T = −40°C 至 +125°C 2.45 V SHUTDOWN J 迟滞 250 mV 输出噪声 OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 5.5 V, V = 1.8 V 15 µV rms NOISE IN OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 6.3 V, V = 3.3 V 15 µV rms IN OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 8 V, V = 5 V 15 µV rms IN OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 12 V, V = 9 V 15 µV rms IN OUT 10 Hz 至 100 kHz, V = 5.5 V, V = 1.5 V, 18 µV rms IN OUT 可调模式 10 Hz 至 100 kHz, V = 12 V, V = 5 V, 30 µV rms IN OUT 可调模式 10 Hz 至 100 kHz, V = 18 V, V = 15 V, 65 µV rms IN OUT 可调模式 电源抑制比 PSRR 100 kHz, V = 4.3 V, V = 3.3 V 50 dB IN OUT 100 kHz, V = 6 V, V = 5 V 50 dB IN OUT 10 kHz, V = 4.3 V, V = 3.3 V 60 dB IN OUT 10 kHz, V = 6 V, V = 5 V 60 dB IN OUT 100 kHz, V = 3.3 V, V = 1.8 V, 可调模式 50 dB IN OUT 100 kHz, V = 6 V, V = 5 V, 可调模式 60 dB IN OUT 100 kHz, V = 16 V, V = 15 V, 可调模式 60 dB IN OUT 10 kHz, V = 3.3 V, V = 1.8 V, 可调模式 60 dB IN OUT 10 kHz, V = 6 V, V = 5 V, 可调模式 80 dB IN OUT 10 kHz, V = 16 V, V = 15 V, 可调模式 80 dB IN OUT 1 基于使用1 mA 和300 mA负载的端点计算。1 mA以下负载的典型负载调整性能见图6。 2 压差定义为将输入电压设置为标称输出电压时的输入至输出电压差。仅适用于高于3.0 V的输出电压。 3 启动时间定义为EN的上升沿到V 达到其标称值90%的时间。 OUT 4 限流阈值定义为输出电压降至额定典型值90%时的电流。例如，5.0 V输出电压的电流限值定义为引起输出电压降至5.0 V的90%或4.5 V的电流。 推荐规格：输入和输出电容 表2. 参数 符号 条件 最小 值 典型 值 最大 值 单位 最小输入和输出电容1 C T = −40°C 至 +125°C 0.7 µF MIN A 电容ESR R T = −40°C 至 +125°C 0.001 0.2 Ω ESR A 1 在所有工作条件下，输入和输出电容至少应大于0.7 μF。选择器件时必须考虑应用的所有工作条件，确保达到最小电容要求。配合任何LDO使用时，建议使用 X7R型和X5R型电容，不建议使用Y5V和Z5U电容。 Rev. A | Page 4 of 28

ADP7102 绝对最大额定值 布局和环境条件不同而异。θ 的额定值基于4" × 3"的4层 表3. JA 电路板。有关板结构的详细信息，请参考JESD51-7和 参数 额定值 VIN 至 GND –0.3 V 至 +22 V JESD51-9。更多信息请登录www.analog.com，查阅应用 VOUT 至 GND –0.3 V 至 +20 V 笔记AN-617：“MicroCSP™晶圆级芯片规模封装”。 EN/UVLO 至 GND –0.3 V 至 VIN Ψ 是结至板热特性参数，单位为°C/W。封装的Ψ 基于使 PG 至 GND –0.3 V 至 VIN JB JB SENSE/ADJ 至 GND –0.3 V 至 VOUT 用4层板的建模和计算方法。JESD51-12“报告和使用电子 存储温度范围 –65°C 至 +150°C 封装热信息指南”中声明，热特性参数与热阻不是一回 工作结温范围 –40°C 至 +125°C 事。Ψ 衡量沿多条热路径流动的器件功率，而θ 只涉及 工作环境温度范围 40°C 至 +85°C JB JB 一条路径。因此，Ψ 热路径包括来自封装顶部的对流和 焊接条件 JEDEC J-STD-020 JB 封装的辐射，这些因素使得Ψ 在现实应用中更有用。最 JB 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 高结温(T)由板温度(T )和功耗(P )通过下式计算： J B D 损坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任 T = T + (P × Ψ ) J B D JB 何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下， 有关Ψ 的更详细信息，请参考JESD51-8和JESD51-12。 器件能够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作 JB 会影响器件的可靠性。 热阻 θ 和Ψ 针对最差条件，即器件焊接在电路板上以实现表 热数据 JA JB 贴封装。θ 是带顶部安装散热器的表贴封装的参数，这 绝对最大额定值仅适合单独应用，但不适合组合使用。 JC 里提供的θ 仅供参考。 如果温度超过结温限值，ADP7102可能会受损。监控环 JC 境温度并不能保证TJ不会超出额定温度限值。在功耗 表4. 热阻 高、热阻差的应用中，可能必须降低最大环境温度。 封装类型 θJA θJC ΨJB 单位 在功耗适中、PCB热阻较低的应用中，只要结温处于额定 8引脚 LFCSP 40.1 27.1 17.2 °C/W 8引脚 SOIC 48.5 58.4 31.3 °C/W 限值以内，最大环境温度可以超过最大限值。器件的结 温(T)取决于环境温度(T )、器件的功耗(P )和封装的结 J A D 至环境热阻(θ )。 ESD警告 JA ESD(静电放电)敏感器件。 最高结温(T)由环境温度(T )和功耗(P )通过下式计算： J A D 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 T = T + (P × θ ) 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 J A D JA ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 封装的结至环境热阻(θ )基于使用4层板的建模和计算方 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 JA 法，主要取决于应用和板布局。在最大功耗较高的应用 中，需要特别注意热板设计。θ 的值可能随PCB材料、 JA Rev. A | Page 5 of 28

ADP7102 引脚配置和功能描述 VOUT1 8VIN VOUT 1 8 VIN SENSE/ADJ2 ADP7102 7PG SENSE/ADJ 2 ADP7102 7 PG GND3 (NToOt Pto V SIEcWale) 6GND GND 3 (NToOt Pto V SIEcaWle) 6 GND NC4 5EN/UVLO NC 4 5 EN/UVLO NOTES NOTES 1. NC = NO CONNECT. DO NOT CONNECTTO 1. NC = NO CONNECT. DO NOT CONNECTTO THIS PIN. THIS PIN. 2.IT IS HIGHLY RECOMMENDED THAT THE 2.IT IS HIGHLY RECOMMENDED THAT THE EPPXALAPCONKESA EGODEN P BTAEHD EC OOBNNO NATEHRCEDT .BEODT TTOO MTH OEF G TRHOEUND 09506-003 PPELAXAPCNOKESA EGODEN P BTAEHD EC OOBNNO NATEHRCEDT .BEODT TTOO MTH OEF G TRHOEUND 09506-104 图3. LFCSP封装 图4. 窄体SOIC封装 表5. 引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 VOUT 调节输出电压。VOUT至GND接1 μF或更大的旁路电容。 2 SENSE/ADJ 检测(SENSE)。测量负载上的实际输出电压，并将其馈入误差放大器。应使SENSE引脚尽可 能靠近负载，使得调节器输出与负载之间的IR压降的影响最小。此功能仅适用于固定电压 选项。 调整输入(ADJ)。外部电阻分压器设置输出电压。此功能仅适用于可调电压选项。 3 GND 地。 4 NC 请勿连接该引脚。 5 EN/UVLO 使能输入(EN)。将EN接到高电平，调节器启动；将EN接到低电平，调节器关闭。若要实现 自动启动，请将EN接VIN。 可编程欠压闭锁(UVLO)。使用可编程UVLO功能时，上下限由编程电阻决定。 6 GND 地。 7 PG 电源良好。此开漏输出需要一个外部上拉电阻连接至VIN或VOUT。如果器件处于关断模 式、限流模式、热关断模式，或者如果它降至标称输出电压的90%以下，PG引脚将立即变 为低电平。如果不用电源良好功能，可将此引脚悬空或连接到地。 8 VIN 调节器输入电源。VIN至GND接1 μF或更大的旁路电容。 EPAD 裸露焊盘。封装底部的裸露焊盘。EPAD可增强散热性能，它与封装内部的GND形成电气连 接。强烈建议将EPAD连接到板上的接地层。 Rev. A | Page 6 of 28

ADP7102 典型工作特性 除非另有说明，V = 5 V，V = 3.3 V，I = 1 mA，C = C = 1 μF，T = 25°C。 IN OUT OUT IN OUT A 3.35 900 LOAD = 100µA LOAD=100µA LOAD = 1mA LOAD=1mA LOAD = 10mA 800 LOAD=10mA LOAD = 100mA LOAD=100mA 3.33 LOAD = 300mA 700 LOAD=300mA A) µ ( 600 T V)3.31 REN 500 V (OUT3.29 NDCUR 400 U O 300 R G 3.27 200 100 3.25 0 –40°C –5°C T2J5 (°°CC) 85°C 125°C 09506-004 –40°C –5°C T2J5(°°CC) 85°C 125°C 09506-007 图5. 输出电压与结温的关系 图8. 接地电流与结温的关系 3.35 700 600 3.33 A) 500 µ T ( 3.31 N V) RE 400 (OUT CUR V3.29 ND 300 U O GR 200 3.27 100 3.25 0 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-005 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-008 图6. 输出电压与负载电流的关系 图9. 接地电流与负载电流的关系 3.35 900 LOAD = 100µA LOAD=100µA LOAD = 1mA LOAD=1mA LOAD = 10mA 800 LOAD=10mA LOAD = 100mA LOAD=100mA 3.33 LOAD = 300mA 700 LOAD=300mA A) µ ( 600 T V)3.31 REN 500 V (OUT DCUR 400 3.29 N U O 300 R G 200 3.27 100 3.25 0 4 6 8 10 VIN1 2(V) 14 16 18 20 09506-006 4 6 8 10 VIN12(V) 14 16 18 20 09506-009 图7. 输出电压与输入电压的关系 图10. 接地电流与输入电压的关系 Rev. A | Page 7 of 28

ADP7102 160 1400 3.3V 4.0V 140 68..00VV 1200 12.0V µA) 120 20.0V A)1000 ENT ( 100 NT (µ RR RE 800 U R C 80 U WN D C 600 SHUTDO 4600 GROUN 400 LOAD = 5mA LOAD = 10mA 20 200 LOAD = 100mA LOAD = 200mA LOAD = 300mA 0 0 –50 –25 0 TE2M5PERAT5U0RE (°C7)5 100 125 09506-010 3.10 3.20 3.30 V3IN.4 (0V) 3.50 3.60 3.70 09506-013 图11. 不同输入电压下关断电流与温度的关系 图14. 低压差下接地电流与输入电压的关系 200 5.05 VOUT = 3.3V LOAD = 100µA 180 TA = 25°C 5.04 LLOOAADD == 110mmAA LOAD = 100mA 160 5.03 LOAD = 300mA 140 5.02 V) m 120 5.01 OUT ( 100 (V)UT5.00 ROP 80 VO4.99 D 60 4.98 40 4.97 20 4.96 0 4.95 1 10 ILOAD (mA) 100 1000 09506-011 –40°C –5°C T2J5 (°°CC) 85°C 125°C 09506-014 图12. 压差与负载电流的关系 图15. 输出电压与结温的关系(V = 5 V) OUT 3.35 5.05 3.30 5.04 5.03 3.25 5.02 3.20 5.01 V (V)OUT33..1105 V (V)OUT45..9090 3.05 4.98 3.00 4.97 LOAD = 100µA LOAD = 1mA 2.95 LOAD = 10mA 4.96 LOAD = 100mA LOAD = 300mA 4.95 2.903.10 3.20 3.30 V3IN.4 (0V) 3.50 3.60 3.70 09506-012 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-015 图13. 低压差下输出电压与输入电压的关系 图16. 输出电压与负载电流的关系(VOUT = 5 V) Rev. A | Page 8 of 28

ADP7102 5.05 900 LOAD = 100µA LOAD = 100µA LOAD = 1mA LOAD = 1mA 5.04 LOAD = 10mA 800 LOAD = 10mA LOAD = 100mA LOAD = 100mA 5.03 LOAD = 300mA 700 LOAD = 300mA 5.02 µA) T ( 600 5.01 N V) RE 500 (UT5.00 UR VO4.99 ND C 400 U O 300 4.98 R G 4.97 200 4.96 100 4.956 8 10 12VIN (V)14 16 18 20 09506-016 06 8 10 12VIN (V)14 16 18 20 09506-120 图17. 输出电压与输入电压的关系(V = 5 V) 图20. 接地电流与输入电压的关系(V = 5 V) OUT OUT 1000 180 LOAD = 100µA VOUT = 5V 900 LLOOAADD == 110mmAA 160 TA = 25°C LOAD = 100mA 800 LOAD = 300mA 140 URRENT (µA) 567000000 OUT (mV) 110200 D C OP 80 N 400 R U D O 60 R 300 G 40 200 100 20 0 –40°C –5°C T2J5 (°°CC) 85°C 125°C 09506-118 01 10 ILOAD (mA) 100 1000 09506-017 图18. 接地电流与结温的关系(V = 5 V) 图21. 压差与负载电流的关系(V = 5 V) OUT OUT 700 5.05 600 5.00 A) 500 4.95 µ NT ( 4.90 RE 400 V) D CUR 300 V (OUT4.85 UN 4.80 O GR 200 4.75 LOAD = 5mA 100 LOAD = 10mA 4.70 LOAD = 100mA LOAD = 200mA LOAD = 300mA 0 4.65 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-119 4.8 4.9 5.0 VI5N. 1(V) 5.2 5.3 5.4 09506-018 图19. 接地电流与负载电流的关系(V = 5 V) 图22. 低压差下输出电压与输入电压的关系(V = 5 V) OUT OUT Rev. A | Page 9 of 28

ADP7102 2500 1.85 LOAD = 100µA LOAD = 1mA LOAD = 10mA 2000 LOAD = 100mA 1.83 LOAD = 300mA A) µ T (1500 N 1.81 URRE1000 (V)UT C O ND V1.79 U O 500 R G LOAD = 5mA 1.77 0 LOAD = 10mA LOAD = 100mA LOAD = 200mA –5004.80 LOA4D.9 =0 300mA5.00 V5IN.1 (0V) 5.20 5.30 5.40 09506-019 1.752 4 6 8 10VIN (V1)2 14 16 18 20 09506-022 图23. 低压差下接地电流与输入电压的关系(V = 5 V) 图26. 输出电压与输入电压的关系(V = 1.8 V) OUT OUT 1.85 900 LOAD = 100µA LOAD = 100µA LOAD = 1mA LOAD = 1mA LOAD = 10mA 800 LOAD = 10mA LOAD = 100mA LOAD = 100mA 1.83 LOAD = 300mA 700 LOAD = 300mA A) µ T ( 600 V)1.81 REN 500 V (OUT D CUR 400 1.79 N U O 300 R G 200 1.77 100 1.75 0 –40°C –5°C T2J5 (°°CC) 85°C 125°C 09506-020 –40°C –5°C T2J 5(°°CC) 85°C 125°C 09506-023 图24. 输出电压与结温的关系(V = 1.8 V) 图27. 接地电流与结温的关系(V = 1.8 V) OUT OUT 1.85 700 600 1.83 A) 500 µ T ( V)1.81 REN 400 V (OUT D CUR 300 1.79 N U O GR 200 1.77 100 1.75 0 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-021 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-128 图25. 输出电压与负载电流的关系(V = 1.8 V) 图28. 接地电流与负载电流的关系(V = 1.8 V) OUT OUT Rev. A | Page 10 of 28

ADP7102 1200 5.08 LOAD = 100µA LOAD = 100µA LOAD = 1mA 5.07 LOAD = 1mA LOAD = 10mA LOAD = 10mA 1000 LOAD = 100mA LOAD = 100mA LOAD = 300mA 5.06 LOAD = 300mA µA) 5.05 T ( 800 N 5.04 URRE 600 (V)UT5.03 C O ND V5.02 U RO 400 5.01 G 5.00 200 4.99 02 4 6 8 10VIN (V1)2 14 16 18 20 09506-129 4.986 8 10 12VIN (V)14 16 18 20 09506-026 图29. 接地电流与输入电压的关系(V = 1.8 V) 图32. 输出电压与输入电压的关系(V = 5 V，可调) OUT OUT 5.08 LOAD = 100µA 2.0 5.07 LLOOAADD == 11m0mAA 34.V3V LOAD = 100mA 5V 5.06 LOAD = 300mA 6V A) 8V 5.05 T (µ 1.5 1102VV (V)OUT55..0034 N CURREN 1.0 112580VVV V W 5.02 O D T 5.01 U H S 5.00 UT 0.5 O I 4.99 4.98 –40°C –5°C T2J5 (°°CC) 85°C 125°C 09506-024 0–40 –20 0 20TEMP4E0RATU6R0E (°C8)0 100 120 140 09506-053 图30. 输出电压与结温的关系(V = 5 V，可调) 图33. 反相输入电流与温度的关系(V = 0 V，V 为差分电压) OUT IN OUT 5.08 0 LOAD = 300mA 5.07 –10 LLOOAADD == 1100m0mAA LOAD = 1mA 5.06 –20 5.05 –30 V)5.04 B) –40 (UT5.03 R (d –50 VO5.02 PSR –60 5.01 –70 5.00 –80 4.99 –90 4.98 0.1 1 ILOAD10 (mA) 100 1000 09506-025 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 09506-027 图31. 输出电压与负载电流的关系(V = 5 V，可调) 图34. 电源抑制比与频率的关系(V = 1.8 V，V = 3.3 V) OUT OUT IN Rev. A | Page 11 of 28

ADP7102 0 0 LOAD = 300mA LOAD = 1mA –10 LLOOAADD == 11000mmAA –10 LLOOAADD == 1100m0mAA LOAD = 1mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 R (d –50 R (d –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 09506-028 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-031 图35. 电源抑制比与频率的关系(V = 3.3 V，V = 4.8 V) 图38. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 6.5 V) OUT IN OUT IN 0 0 LOAD = 300mA LOAD = 1mA –10 LLOOAADD == 1100m0mAA –10 LLOOAADD == 1100m0mAA LOAD = 1mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 09506-029 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-032 图36. 电源抑制比与频率的关系(V = 3.3 V，V = 4.3 V) 图39. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 6 V) OUT IN OUT IN 0 0 LOAD = 300mA LOAD = 1mA LOAD = 100mA LOAD = 10mA –10 LOAD = 10mA –10 LOAD = 100mA LOAD = 1mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz1)00k 1M 10M 09506-030 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-033 图37. 电源抑制比与频率的关系(V = 3.3 V，V = 3.8 V) 图40. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 5.5 V) OUT IN OUT IN Rev. A | Page 12 of 28

ADP7102 0 0 LOAD = 1mA LOAD = 1mA –10 LLOOAADD == 1100m0mAA –10 LLOOAADD == 1100m0mAA LOAD = 300mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-034 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-037 图41. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 5.3 V) 图44. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 6 V， OUT IN OUT IN 可调并带降噪电路) 0 0 LOAD = 1mA LOAD = 1mA LOAD = 10mA LOAD = 10mA –10 LOAD = 100mA –10 LOAD = 100mA LOAD = 300mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-035 –1000 0.25 H0E.5A0DROOM0. 7V5OLTAGE1. 0(V0) 1.25 1.50 09506-038 图42. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 5.2 V) 图45. 电源抑制比与裕量电压的关系(100 Hz，V = 5 V) OUT IN OUT 0 0 LOAD = 1mA LOAD = 1mA LOAD = 10mA LOAD = 10mA –10 LOAD = 100mA –10 LOAD = 100mA LOAD = 300mA LOAD = 300mA –20 –20 –30 –30 B) –40 B) –40 d d R ( –50 R ( –50 R R S S P –60 P –60 –70 –70 –80 –80 –90 –90 –10010 100 1kFREQU1E0NkCY (Hz)100k 1M 10M 09506-036 –1000 0.25 0H.5E0ADROO0.M75 VOLTAG1.E00 1.25 1.50 09506-039 图43. 电源抑制比与频率的关系(V = 5 V，V = 6 V，可调) 图46. 电源抑制比与裕量电压的关系(1 kHz，V = 5 V) OUT IN OUT Rev. A | Page 13 of 28

ADP7102 0 10 LOAD = 1mA 3.3V LOAD = 10mA 5V –10 LOAD = 100mA 5V ADJ LOAD = 300mA 5V ADJ NR –20 –30 1 dB) –40 Hz RR ( –50 V/√ S µ P –60 0.1 –70 –80 –90 –1000 0.25 H0E.5A0DROOM0. 7V5OLTAGE1. 0(V0) 1.25 1.50 09506-040 0.0110 100 FREQUE1NkCY (Hz) 10k 100k 09506-043 图47. 电源抑制比与裕量电压的关系(10 kHz，V = 5 V) 图50. 输出噪声频谱密度(I = 10 mA，C = 1 μF) OUT LOAD OUT 0 LOAD = 1mA LOAD = 10mA –10 LOAD = 100mA LOAD CURRENT LOAD = 300mA –20 –30 1 B) –40 d R ( –50 R PS –60 2 OUTPUT VOLTAGE –70 –80 –90 –1000 0.25 H0E.5A0DROOM0. 7V5OLTAGE1. 0(V0) 1.25 1.50 09506-041 CH1 200mAΩBW CH2 50mV BW TM 1200.µ4s% A CH1 76mA 09506-044 图48. 电源抑制比与裕量电压的关系(100 kHz，V = 5 V) 图51. 负载瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 1 mA至300 mA， OUT IN OUT LOAD V = 1.8 V，V = 5 V) OUT IN 30 LOAD CURRENT 25 1 20 s) m V r E (µ 15 S OUTPUT VOLTAGE OI 2 N 10 3.3V 5 1.8V 5V 5VADJ 0.000001 0.0001 L0O.A00D1 CURREN0T.0 (1A) 0.15VADJ NR1 09506-042 CH1 200mAΩBW CH2 50mV BWMT 2100µ.2s% A CH1 168mA 09506-045 图49. 输出噪声与负载电流和输出电压的关系(C = 1 μF) 图52. 负载瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 1 mA至300 mA， OUT IN OUT LOAD V = 3.3 V，V = 5 V) OUT IN Rev. A | Page 14 of 28

ADP7102 LOAD CURRENT INPUT VOLTAGE 1 2 OUTPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE 2 1 CH1 200mAΩBW CH2 50mV BWMT 2100µ.2s% A CH1 216mA 09506-046 CH1 1V BW CH2 10mV BW TM 94.µ8s% A CH4 1.56V 09506-048 图55. 线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 300 mA， 图53. 负载瞬态响应(VCIN、 =C 5O UVT ，= V1 μF =， 7I LVO)AD = 1 mA至300 mA， VINOUT =O 3U.T3 V) LOAD OUT IN INPUT VOLTAGE INPUT VOLTAGE 2 OUTPUT VOLTAGE 2 OUTPUT VOLTAGE 1 CH1 1V BW CH2 10mV BW TM 94.µ8s% A CH4 1.56V 09506-047 1 CH1 1VBW CH2 10mV BWMT 49µ.8s% A CH4 1.56V 09506-049 图54.线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 300 mA， 图56. 线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 300 mA， IN OUT LOAD IN OUT LOAD V = 1.8 V) V = 5 V) OUT OUT Rev. A | Page 15 of 28

ADP7102 INPUT VOLTAGE INPUT VOLTAGE 2 OUTPUT VOLTAGE 2 OUTPUT VOLTAGE 1 CH1 1V BW CH2 10mV BW TM 94.µ8s% A CH4 1.56V 09506-050 1 CH11V BW CH2 10mV BW TM 94.µ8s% A CH4 1.56V 09506-052 图57. 线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 1 mA，V = 1.8 V) 图59. 线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 1 mA，V = 5 V) IN OUT LOAD OUT IN OUT LOAD OUT INPUT VOLTAGE 2 OUTPUT VOLTAGE 1 CH1 1V BW CH2 10mV BW TM 94.µ8s% A CH4 1.56V 09506-051 图58.线路瞬态响应(C 、C = 1 μF，I = 1 mA，V = 3.3 V) IN OUT LOAD OUT Rev. A | Page 16 of 28

ADP7102 工作原理 ADP7102是一款低静态电流、低压差线性调节器，采用 更多电流，提高输出电压。如果反馈电压高于基准电 3.3 V至20 V电源供电，最大输出电流为300 mA。满负载 压，PMOS器件的栅极将被拉高，以便通过较少电流，降 时静态电流典型值低至750 μA，因此ADP7102非常适合电 低输出电压。 池供电的便携式设备使用。室温时，关断模式下的功耗 ADP7102提供7个固定输出电压选项(范围从1.8 V到9 V)以 典型值为40 μA。 及可调输出型号，可通过外置分压器，将输出电压调节 ADP7102经过优化，利用1 μF陶瓷电容可实现出色的瞬态 至1.22 V至19 V。输出电压可根据下式设置： 性能。 V = 1.22 V(1 + R1/R2) OUT VIN VOUT VIN = 8V VIN VOUT VOUT = 5V CIN + R1 +COUT GND VREG SHORT-CIRCUIT, PGOOD PG 1µF ADJ 40.2kΩ 1µF THERMAL PROTECT R1 SENSE OFF ON 10R03kΩ EUNV/LO 13kRΩ2 R10P0GkΩ 10µA SHUTDOWN R2 R4 EN/ 100kΩ UVLO GND PG PG REF1E.R22EVNCE 09506-055 图62. 典型可调输出电压应用原理图 09506-057 图60. 固定输出电压型号内部框图 R2的阻值应低于200 kΩ，以便将ADJ引脚输入电流引起的 输出电压误差降至最低。例如，当R1和R2都是200 kΩ时， 输出电压为2.44 V。假设25°C时ADJ引脚输入电流为10 nA VIN VOUT (典型值)，则ADJ引脚输入电流引起的输出电压误差为2 VREG GND SHORT-CIRCUIT, PGOOD PG THERMAL mV或0.08%。 PROTECT 10µA SHUTDOWN 在正常工作条件下，ADP7102利用EN/UVLO引脚使能和禁 EN/ SENSE UVLO 用VOUT引脚。EN/UVLO为高电平时，VOUT开启；EN为 低电平时，VOUT关闭。若要实现自动启动，可将 REF1E.R22EVNCE 09506-056 EN/UVLO接至VIN。 图61. 可选输出电压型号内部框图 ADP7102内置反向电流保护电路，当输出电压高于输入电 压时，它可防止电流通过调整元件回流。比较器检测输入 ADP7102内置一个基准电压源、一个误差放大器、一个 电压与输出电压之间的差值。当该差值超过55 mV时， 反馈分压器和一个PMOS调整管。输出电流经由PMOS调 PFET的本体切换到VOUT并关闭或开路。换言之，栅极连 整管提供，其受误差放大器控制。误差放大器比较基准 接到VOUT。 电压与输出端的反馈电压，并放大该差值。如果反馈电 压低于基准电压，PMOS器件的栅极将被拉低，以便通过 Rev. A | Page 17 of 28

ADP7102 应用信息 电容选择 图64所示为0402、1 μF、10 V、X5R电容的电容与电压偏置 特性关系图。电容的电压稳定性受电容尺寸和电压额定值 输出电容 影响极大。一般来说，封装较大或电压额定值较高的电容 ADP7102设计采用节省空间的小型陶瓷电容，不过只要注 意等效串联电阻(ESR)值要求，也可以采用大多数常用电 具有更好的稳定性。X5R电介质的温度变化率在-40℃至 容。输出电容的ESR会影响LDO控制回路的稳定性。为了 +85°C温度范围内为±15%，与封装或电压额定值没有函数 关系。 确保ADP7102稳定工作，推荐使用至少1 μF、ESR为0.2 Ω 或更小的电容。输出电容还会影响负载电流变化的瞬态响 1.2 应。采用较大的输出电容值可以改善ADP7102对大负载电 1.0 流变化的瞬态响应。图63显示输出电容值为1 μF时的瞬态 响应。 F) 0.8 µ E ( C N A 0.6 T LOAD CURRENT ACI P CA 0.4 1 0.2 0 2 OUTPUT VOLTAGE 0 2 4VOLTAGE (V6) 8 10 09506-059 图64. 电容与电压关系特性 考虑电容随温度、元件容差和电压的变化，可以利用公式 1确定最差情况下的电容。 CH1 200mAΩBW CH2 50mV BW TM 1200.µ4s% A CH1 76mA 09506-058 CEFF = CBIAS × (1 − TEMPCO) × (1 − TOL) (1) 图63. 输出瞬态响应(V = 1.8 V，C = 1 µF) OUT OUT 其中： 输入旁路电容 CBIAS为工作电压下的有效电容。 在VIN与GND之间连接一个1 µF电容可降低电路对印刷电 TEMPCO为最差的电容温度系数。 路板(PCB)布局的敏感性，尤其是输入走线较长或源阻抗 TOL为最差的元件容差。 较高的情况下。如果要求输出电容大于1 μF，应选用更高 本例中，假定X5R电介质在−40°C至+85°C范围内的最差条 的输入电容。 件温度系数(TEMPCO)为15%。如图64所示，在1.8 V电压 输入和输出电容特性 下，假定电容容差(TOL)为10%，CBIAS=0.94 μF。 只要符合最小电容和最大ESR要求，ADP7102可以采用任 何质量优良的电容。陶瓷电容可采用各种各样的电介质制 将这些值代入公式1中可得到： 造，温度和所施加的电压不同，其特性也不相同。电容必 C EFF 须具有足以在必要的温度范围和直流偏置条件下确保最小 因此，在选定输出电压条件下，本例中所选电容满足LDO 电容的电介质。推荐使用额定电压为6.3 V至50 V的X5R或 在温度和容差方面的最小电容要求。 X7R电介质。Y5V和Z5U电介质的温度和直流偏置特性不 佳，建议不要使用。 为了保证ADP7102的性能，必须针对每一种应用来评估直 流偏置、温度和容差对电容性能的影响。 Rev. A | Page 18 of 28

ADP7102 可编程欠压闭锁(UVLO) VIN = 8V VIN VOUT VOUT = 5V CIN + +COUT 在正常工作条件下，ADP7102利用EN/UVLO引脚使能和禁 1µF 1µF SENSE 用VOUT引脚。如图65所示，当EN上的上升电压越过上阈 R1 RPG ON 100kΩ 100kΩ 值时，VOUT开启。当EN/UVLO上的下降电压越过下阈值 OFF EN/ R2 UVLO 时，VOUT关闭。EN/UVLO阈值的迟滞由EN/UVLO引脚 100kΩ PG PG GND 串联的戴维宁等效电阻决定。 09506-061 2.0 图66. EN引脚的典型分压器 1.8 图65显示了EN/UVLO引脚的典型迟滞，这可以防止EN引 1.6 脚上的噪声在经过阈值点时引起开关振荡。 1.4 ADP7102利用内置软启动功能，在输出使能时限制浪涌电 1.2 1.0 VVOOUUTT,, EENN FRAISLEL 流。当输入电压为3.3 V时，从通过EN有效阈值到输出达到 其最终值90%的启动时间约为580 μs。如图67所示，启动时 0.8 间取决于输出电压设置。 0.6 0.4 6 0.2 01.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 2.75 3.00 09506-060 5 5V 图65. 对EN引脚工作方式的典型V 响应 OUT 4 上下阈值是用户可编程的，可以利用两个电阻来设置。当 V) 3.3V (UT 3 EN/UVLO引脚电压低于1.22 V时，LDO禁用。当EN/UVLO VO 引脚电压跃迁至1.22 V以上时，LDO使能，该引脚提供10 2 ENABLE µA迟滞电流以提升电压，从而提供阈值迟滞。通常由两个 1 外部电阻设置LDO的最小工作电压。R1和R2电阻的值可通 过下式确定： 0 R1 = VHYS/10 A 0 500 TIM10E0 (0µs) 1500 2000 09506-062 R2 = 1.22 V × R1/(V − 1.22 V) 图67. 典型启动性能 IN 其中： V 为所需的开启电压。 IN V 为所需的EN/UVLO迟滞电平。 HYS 迟滞也可以通过在EN/UVLO引脚上串联一个电阻来实现。 在图66所示的例子中，使能阈值为2.44 V，迟滞为1 V。 Rev. A | Page 19 of 28

ADP7102 电源良好特性 ADP7102可调型号的降噪特性 ADP7102提供一个电源良好引脚(PG)来指示输出的状态。 固定输出ADP7102的超低输出噪声特性是通过如下方法实 此开漏输出需要一个外部上拉电阻连接至VIN。如果器件 现的：LDO误差放大器保持单位增益，并设置基准电压等 处于关断模式、限流模式或热关断，或者如果它降至标称 于输出电压。这种架构不适用于可调输出电压LDO。可调 输出电压的90%以下，电源良好引脚(PG)将立即变为低电 输出ADP7102采用更为传统的架构，基准电压为固定值， 平。软启动期间，电源良好信号的上升阈值为标称输出电 误差放大器增益为输出电压的函数。传统LDO架构的缺点 压的93.5%。 是输出电压噪声与输出电压成比例。 当ADP7102有足够的输入电压来开启内部PG晶体管时，此 可以对可调LDO电路稍加修改，以将输出电压噪声降低到 开漏输出保持低电平。PG晶体管通过一个接VOUT或VIN 与固定输出ADP7102接近的水平。图70所示的电路在输出 的上拉电阻端接。 电压设置电阻分压器上增加了2个元件：C 和R ，它们与 NR NR R 并联，用以降低误差放大器的交流增益。选择的R 等 当此电压上升时，电源良好精度为调节器标称输出电压的 FB1 NR 于R ，从而把误差放大器的交流增益限制在大约6 dB。实 93.5%；当此电压下降时，跳变点为标称输出电压的90%。 FB2 际增益为R 和R 的并联组合除以R ，这可以确保误差 如果V 降至90%以下，则表明调节器输入电压关断或受 NR FB1 FB2 OUT 放大器始终以大于1的增益工作。 到干扰，从而触发电源不良信号。 选择的C 应使得在频率为50 Hz至100 Hz时，C 的电抗等 当V 降至90%以下时，正常关断将导致电源良好信号变 NR NR OUT 于R − R 。由此设置的频率将使得误差放大器的交流增 为低电平。 FB1 NR 益比直流增益低3 dB。 图68和图69显示整个温度范围内的典型电源良好上升和下 降阈值。 VIN = 8V VIN VOUT VOUT = 5V 6 1CµINF + ADJ 40R.2FkBΩ1 +C10N0RnF +C1µOFUT PG –40°C 5 PPPGGG –++528°55C°°CC OFF ON 100kΩ EN/ RFB2 1R3NkRΩ 100kΩ PG +125°C UVLO 13kΩ 100kΩ 4 GND PG PG PG (V) 3 图70. 更改可调输出LDO以降低噪声 09506-065 2 该LDO的噪声约等于固定输出LDO的噪声(典型值为15 µV rms)乘以R 和R 并联组合除以R 的结果的平方根。基 1 NR FB1 FB2 于图70所示的元件值，ADP7102具有下列特性： 0 4.2 4.3 4.4 4.5 VOU4.T6 (V) 4.7 4.8 4.9 5.0 09506-063 •• 直3 d流B滚增降益频：率4.0：9 5(192 H.2z d B) 图68. 典型电源良好阈值与温度的关系(V 上升) OUT • 高频交流增益：1.82 (5.19 dB) 6 PG –40°C • 降噪系数：1.35 (2.59 dB) PG –5°C PG +25°C 5 PG +85°C • 无降噪功能的可调LDO的RMS噪声：27.8 µV rms PG +125°C • 有降噪功能的可调LDO的RMS噪声(假设固定电压选项 4 为15 µV rms)：20.25 µV rms V) G ( 3 P 2 1 0 4.2 4.3 4.4 4.5 VOU4.T6 (V) 4.7 4.8 4.9 5.0 09506-064 图69. 典型电源良好阈值与温度的关系(V 下降) OUT Rev. A | Page 20 of 28

ADP7102 限流和热过载保护 表6给出了各种PCB覆铜尺寸时8引脚SOIC和8引脚LFCSP封 ADP7102内置限流和热过载保护电路，可防止功耗过大导 装的典型θ 值。表7给出了8引脚SOIC和8引脚LFCSP封装 JA 致受损。当输出负载达到400 mA(典型值)时，限流电路就 的典型Ψ 值。 JB 会起作用。当输出负载超过400 mA时，输出电压会被降 表6. 典型θ 值 低，以保持恒定的电流限制。 JA θ (°C/W) JA 热过载保护电路将结温限制在150°C(典型值)以下。在极端 覆铜面积 (mm2) LFCSP SOIC 251 165.1 167.8 条件下(即高环境温度和/或高功耗)，当结温开始升至 100 125.8 111 150°C以上时，输出就会关闭，从而将输出电流降至0。当 500 68.1 65.9 结温降至135°C以下时，输出又会开启，输出电流恢复为 1000 56.4 56.1 工作值。 6400 42.1 45.8 考虑VOUT至地发生负载短路的情况。首先，ADP7102的 1 器件焊接在最小尺寸引脚走线上。 限流功能起作用，因此，仅有400 mA电流传导至短路电 表7. 典型Ψ 值 JB 路。如果结的自发热量足够大，使其温度升至150°C以 型号 ΨJB (°C/W) 上，热关断功能就会激活，输出关闭，输出电流降至0。当 LFCSP 15.1 SOIC 31.3 结温冷却下来，降至135°C以下时，输出开启，将400 mA 电流传导至短路路径中，再次导致结温升至150°C以上。 ADP7102的结温可通过下式计算： 结温在135°C至150°C范围内的热振荡导致电流在400 mA和 T = T + (P × θ ) (2) 0 mA之间振荡；只要输出端存在短路，振荡就会持续下去。 J A D JA 其中： 限流和热过载保护旨在保护器件免受偶然过载条件影响。 T 是环境温度。 为保证器件稳定工作，必须从外部限制器件的功耗，使结 A P 为芯片的功耗，通过下式计算： 温不会超过125°C。 D P = [(V − V ) × I ] + (V × I ) (3) D IN OUT LOAD IN GND 散热考量 其中： 在输入至输出电压差很小的应用中，ADP7102不会产生很 I 为负载电流。 多热量。然而，在环境温度很高和/或输入电压很大的应用 LOAD I 为接地电流。 中，封装发出的热量可能非常大，导致芯片结温超过最高 GND V 和V 分别为输入和输出电压。 结温125°C。 IN OUT 接地电流引起的功耗相当小，可忽略不计。因此，结温的 当结温超过150°C时，转换器进入热关断模式。只有当结 计算公式可简化为： 温降至135°C及以下时，它才会恢复，以免永久性受损。 因此，为了保证器件在所有条件下具有可靠性能，必须对 T = T + {[(V − V ) × I ] × θ } (4) J A IN OUT LOAD JA 具体应用进行热分析。芯片的结温为环境温度与功耗所引 如公式4所示，针对给定的环境温度、输入与输出电压差 起的封装温升之和，如公式2所示。 和连续负载电流，需满足PCB的最小覆铜尺寸要求，以确 为保证器件可靠工作，ADP7102的结温不得超过125°C。为 保结温不升至125°C以上。图71至图78显示不同环境温度、 确保结温低于此最高结温，用户需要注意会导致结温变化 功耗和PCB覆铜面积下的结温计算结果。 的参数。这些参数包括环境温度、功率器件的功耗、结与 周围空气之间的热阻(θ )。θJA值取决于所用的封装填充物 JA 和将封装GND引脚焊接到PCB所用的覆铜数量。 Rev. A | Page 21 of 28

ADP7102 145 145 135 135 125 125 C) C) E (° 115 E (° 115 UR 105 UR 105 T T RA 95 RA 95 E E MP 85 MP 85 E E N T 75 N T 75 TIO 65 TIO 65 C C UN 55 UN 55 J 45 6400mm2 J 45 6400mm2 500mm2 500mm2 35 25mm2 35 25mm2 250 0.2 0.4 0.T6OT0A.8L P1O.0WE1R. 2DIS1S.4IPA1T.I6ON1 (.W8)2.0TJ2.M2AX2.4 09506-066 250 0.2 0.4 0.T6OT0A.8L P1O.0WE1R. 2DIS1S.4IPA1T.I6ON1 (.W8)2.0TJ2.M2AX2.4 09506-069 图71. LFCSP，T = 25°C 图74. SOIC，T = 25°C A A 140 140 130 130 C) 120 C) 120 E (° E (° UR 110 UR 100 T T A A ER 100 ER 110 P P M M TE 90 TE 90 N N TIO 80 TIO 80 C C N N U 70 U 70 J 6400mm2 J 6400mm2 60 52050mmmm22 60 52050mmmm22 TJMAX TJMAX 500 0.2 0.4TOTA0L.6 POW0E.8R DIS1S.0IPATI1O.2N (W)1.4 1.6 1.8 09506-067 500 0.2 0.4TOTA0L.6 POW0E.8R DIS1S.0IPATI1O.2N (W)1.4 1.6 1.8 09506-070 图72. LFCSP，T = 50°C 图75. SOIC，T = 50°C A A 145 145 135 135 C) C) E (° 125 E (° 125 R R U U AT 115 AT 115 R R E E MP 105 MP 105 E E ON T 95 ON T 95 CTI CTI UN 85 UN 85 J 6400mm2 J 6400mm2 75 500mm2 75 500mm2 25mm2 25mm2 650 0.1 0.2TO0T.A3L P0O.W4ER0 D.5ISSIP0.A6TION0. 7(W)0.8TJM0.A9X 1.0 09506-068 650 0.1 0.2TO0T.A3L P0O.4WER0 D.5ISSI0P.A6TION0. 7(W)0.8TJ0M.9AX 1.0 09506-071 图73. LFCSP，T = 85°C 图76. SOIC，T = 85°C A A Rev. A | Page 22 of 28

ADP7102 140 在已知板温的情况下，可以利用热特性参数(Ψ )来估算结 JB 温上升情况(见图77和图78)。最高结温(T)可由板温度(T ) 120 和功耗(PD)通过下式计算： J B E (T)J 100 R U TJ = TB + (PD × ΨJB) (5) RAT 80 E P 8引脚LFCSP封装的Ψ 典型值为15.1°C/W，8引脚SOIC封装 EM JB T 60 为31.3°C/W。 ON TI C 40 N 140 JU TB = 25°C TB = 50°C 20 TB = 65°C 120 TB = 85°C TURE (T)J 100 00 0.5 TO1.T0AL POW1.5ER DISS2.IP0ATION2 (.W5) T3J.0MAX 3.5 09506-073 RA 80 图78. SOIC封装 E P M E T 60 N O TI C 40 N JU TB = 25°C TB = 50°C 20 TB = 65°C TB = 85°C TJMAX 00 0.5 1.0 1.5TO2.T0AL2 .P5OW3.0ER3 D.5IS4S.I0PA4T.I5ON5 .(0W)5.5 6.0 6.5 7.0 09506-072 图77. LFCSP封装 Rev. A | Page 23 of 28

ADP7102 印刷电路板布局考量 通过增加ADP7102引脚处的覆铜用量，可改善封装的散热 性能。但是，如表6所示，这种增加存在“效益递减”现象， 当覆铜量达到某一数量点后，再继续增加覆铜的用量并不 会带来明显的散热效益。 输入电容应尽可能靠近VIN和GND引脚放置。输出电容应 尽可能靠近VOUT和GND引脚放置。在板面积受限的情况 下，采用0805或0603尺寸的电容和电阻可实现最小尺寸解 决方案。 09506-075 图80. SOIC PCB布局示例 09506-074 图79. LFCSP PCB布局示例 Rev. A | Page 24 of 28

ADP7102 外形尺寸 2.48 3.00 2.38 BSC SQ 2.23 5 8 EXPOSED 1.74 PAD 1.64 0.50 1.49 0.40 INDEX 0.30 4 1 AREA PIN 1 TOP VIEW BOTTOM VIEW INDICATOR (R 0.2) 0.80 MAX 0.80 0.55 NOM 0.75 FOR PROPER CONNECTION OF 0.70 0.05 MAX THE EXPOSED PAD, REFER TO 0.02 NOM THE PIN CONFIGURATION AND COPLANARITY FUNCTION DESCRIPTIONS 0.08 SECTION OF THIS DATA SHEET. SEPALTAINNGE 0.30 0.50 BSC 0.20 REF 0.25 0.18 COMPLIANTTOJEDEC STANDARDS MO-229-WEED-4 112008-A 图81. 8引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WD] 3 mm x 3 mm，超薄体，双排引脚 (CP-8-5) 图示尺寸单位：mm 5.00 3.098 4.90 4.80 0.356 8 5 6.20 4.00 6.00 3.90 5.80 2.41 3.80 0.457 1 4 FOR PROPER CONNECTION OF 1.27 BSC BOTTOM VIEW THE EXPOSED PAD, REFER TO 3.81 REF THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS TOP VIEW SECTION OF THIS DATA SHEET. 1.75 1.65 0.50 45° 1.35 1.25 0.25 0.25 0.17 0.10 MAX SEATING PLANE 0.51 0.05 NOM 8° 1.04 REF COPLANARITY 0° 1.27 0.31 0.10 0.40 COMPLIANTTO JEDEC STANDARDS MS-012-AA 06-03-2011-B 图82. 8引脚标准小型封装，带裸露焊盘[SOIC_N_EP] 窄体 (RD-8-2) 尺寸单位：mm Rev. A | Page 25 of 28

ADP7102 订购指南 型号1 温度范围 输出电压 (V)2, 3 封装描述 封装选项 标识 ADP7102ACPZ-R7 −40°C 至 +125°C 可调 LFCSP_WD CP-8-5 LHO ADP7102ACPZ-1.5-R7 −40°C 至 +125°C 1.5 LFCSP_WD CP-8-5 LJV ADP7102ACPZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 LFCSP_WD CP-8-5 LJW ADP7102ACPZ-2.5-R7 −40°C 至 +125°C 2.5 LFCSP_WD CP-8-5 LJZ ADP7102ACPZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 LFCSP_WD CP-8-5 LKO ADP7102ACPZ-3.3-R7 −40°C 至 +125°C 3.3 LFCSP_WD CP-8-5 LK1 ADP7102ACPZ-5.0-R7 −40°C 至 +125°C 5 LFCSP_WD CP-8-5 LK2 ADP7102ACPZ-9.0-R7 −40°C 至 +125°C 9 LFCSP_WD CP-8-5 LLC ADP7102ARDZ-R7 −40°C 至 +125°C 可调 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-1.5-R7 −40°C 至 +125°C 1.5 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-1.8-R7 −40°C 至 +125°C 1.8 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-2.5-R7 −40°C 至 +125°C 2.5 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-3.0-R7 −40°C 至 +125°C 3.0 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-3.3-R7 −40°C 至 +125°C 3.3 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-5.0-R7 −40°C 至 +125°C 5 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102ARDZ-9.0-R7 −40°C 至 +125°C 9 SOIC_N_EP RD-8-2 ADP7102CP-EVALZ 3.3 LFCSP 评估板 ADP7102RD-EVALZ 3.3 SOIC 评估板 ADP7102CPZ-REDYKIT LFCSP REDYKIT ADP7102RDZ-REDYKIT SOIC REDYKIT 1 Z = 符合RoHS标准的器件 。 2 如需其它电压选项，请联系当地的ADI公司办事处或代理商。 3 ADP7102CP-EVALZ和ADP7102RD-EVALZ评估板预配置有3.3 V ADP7102。 Rev. A | Page 26 of 28

ADP7102 注释 Rev. A | Page 27 of 28

ADP7102 注释 ©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D09506sc-0-11/11(A) Rev. A | Page 28 of 28