1/2/4通道 数字电位计 AD8400/AD8402/AD8403 特性 功能框图 256位可变电阻器件 RDAC1 可替代1个、2个或4个电位计 AD8403 8-BIT 8 A1 VDD LATCH W1 1 kΩ、10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ DAC B1 DGND SELECT CKRS SHDN AGND1 功耗（关断模式）：小于5 μA 1 2 RDAC2 8 A2 三线式SPI兼容型串行数据输入 3 L8A-TBCITH W2 A1,A0 4 B2 更新数据加载速率：10 MHz 2 CK RS SHDN AGND2 2.7 V至5.5 V单电源供电 10-BIT RDAC3 SERIAL 8 8-BIT 8 A3 通过汽车应用认证 LATCH LATCH W3 B3 SDI D CK RS SHDN AGND3 应用 CKQ RS CLK RDAC4 机械电位计的替代产品 CS L8A-TBCITH8 AW44 B4 可编程滤波器、延迟、时间常数 CK RS SHDN AGND4 音线量路控阻制抗、匹平配移 SDO RS SHDN 01092-001 电源调整 图1 概述 100 AD8400/AD8402/AD8403分别是单通道/双通道/四通道、 RWA RWB 256位、数字控制可变电阻(VR)器件1，可实现与机械电位 )B A R 计或可变电阻相同的电子调整功能。AD8400内置一个可变 al 75 n mi 电阻，采用紧凑的SOIC-8封装。AD8402内置两个独立的 No 可变电阻，采用节省空间的SOIC-14表面贴装封装。 % of 50 AD8403内置四个独立的可变电阻，提供24引脚PDIP、 (D) (B W S固O定IC电和阻TS，SO该P游三标种触封点装在。载各入器控件制均串内行置输一入个寄带存游器标的触数点的字 (D), RWA 25 R 码所确定的数字码分接该固定电阻值。游标与固定电阻任 一性端变点化之。间在的A端电与阻游值标，或随B传端输与至游V标R锁之存间器，中各的可数变字电码阻呈提线供 00 64 CODE1(D28ecimal) 192 25501092-002 一个完全可编程电阻值。A至B固定端接电阻(1 kΩ、10 kΩ、 图2. R 和R 与代码的关系 WA WB 50 kΩ或100 kΩ)的通道间匹配容差为±1%，标称温度系数 为500 ppm/°C。借助独特的开关电路，可将传统开关电阻 设计中固有的高脉冲干扰降至最低，从而避免任何先合后 开或先开后合操作。 (第3页续) 1 数字电位计、VR和RDAC这些术语可以互换使用。 Rev. E Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. Fax: 781.461.3113 © 2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。

AD8400/AD8402/AD8403 目录 特性....................................................................................................1 ESD警告.....................................................................................11 应用....................................................................................................1 引脚配置和功能描述...................................................................12 概述....................................................................................................1 典型性能参数................................................................................14 功能框图...........................................................................................1 测试电路.........................................................................................19 修订历史...........................................................................................2 工作原理.........................................................................................20 技术规格...........................................................................................4 可变电阻编程...........................................................................20 电气特性—10 kΩ版本..............................................................4 电位计分压器编程..................................................................21 电气特性—50 kΩ和100 kΩ版本.............................................6 数字接口....................................................................................21 电气特性—1 kΩ版本................................................................8 应用..................................................................................................24 电气特性—所有版本..............................................................10 有源滤波器...............................................................................24 时序图........................................................................................10 外形尺寸.........................................................................................26 绝对最大额定值............................................................................11 订购指南....................................................................................30 串行数据字格式.......................................................................11 汽车应用级产品.......................................................................31 修订历史 2010年7月—修订版D至修订版E 2001年11月—修订版B至修订版C 更改特性部分..................................................................................1 新增图形...........................................................................................1 更改I 连续电流参数(表5).........................................................11 编辑技术规格部分.........................................................................2 AB 更新外形尺寸部分.......................................................................26 编辑绝对最大额定值部分............................................................6 更改订购指南部分.......................................................................30 编辑TPC 1、8、12、16、20、24、35.......................................9 增加汽车应用产品部分...............................................................31 编辑可变电阻编程部分...............................................................13 2005年10月—修订版C至修订版D 格式更新.....................................................................................通篇 更改特性部分..................................................................................1 更改表1.............................................................................................4 更改表2.............................................................................................6 更改表3.............................................................................................8 更改表5...........................................................................................11 增加图36.........................................................................................18 更换图37.........................................................................................19 更改工作原理部分.......................................................................20 更改应用部分................................................................................24 更新外形尺寸部分.......................................................................26 更改订购指南部分.......................................................................28 Rev. E | Page 2 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 概述 (续第1页) 每个VR均有各自的VR锁存器，用来保存其编程电阻值。 AD8400提供SOIC-8表贴封装。AD8402提供表贴(SOIC-14) 这些VR锁存器由一个SPI兼容型串行至并行移位寄存器更 和14引脚PDIP两种封装。AD8403提供窄体24引脚PDIP和 新，该移位寄存器从一个标准三线式串行输入数字接口加 24引脚表贴封装。AD8402/AD8403还提供1.1 mm薄TSSOP- 载数据。由10个数据位构成的数据字传输至串行输入寄存 14/TSSOP-24封装，适合PCMCIA应用。所有器件的保证工 器。 作温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。 该数据字经过解码，前2位确定需要载入的VR锁存器地 址，后8位是数据。利用串行寄存器相对端的串行数据输 出引脚，就可以简单的菊花链形式将多个VR连接，而无需 额外的外部解码逻辑。 复位(RS)引脚通过将80 载入VR锁存器来迫使游标移到中 H 间电平。SHDN引脚则迫使A端的电阻变为端到端开路状 态，并使游标与B端短路，从而实现毫瓦级功耗的关断状 态。当SHDN回到逻辑高电平时，先前的锁存器设置将使 游标处于关断前的电阻值设置。数字接口在关断期间仍有 效，以便更改代码，当器件脱离关断状态时，游标将处于 新的位置。 Rev. E | Page 3 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 技术规格 电气特性—10 kΩ版本 除非另有说明，V = 3 V ± 10%或5 V ± 10%，V = V ，V = 0 V，−40°C ≤ T ≤ +125°C。 DD A DD B A 表1. 参数 符号 条件 最小值 典型值 1 最大值 单位 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL R ，V = 无连接 −1 ±1/4 +1 LSB WB A 电阻非线性2 R-INL R ，V = 无连接 −2 ±1/2 +2 LSB WB A 标称电阻3 R T = 25°C，型号： AD840XYY10 8 10 12 kΩ AB A 电阻温度系数 ∆R /∆T V = V ，游标 = 无连接 500 ppm/°C AB AB DD 游标电阻 R V = 5V, I = V /R 50 100 Ω W DD W DD AB R V = 3V, I = V /R 200 Ω W DD W DD AB 标称电阻匹配 ∆R/R CH 1至CH 2、CH 3或CH 4，V = V ，T = 25°C 0.2 1 % AB AB DD A 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻) 分辨率 N 8 Bits 积分非线性4 INL −2 ±1/2 +2 LSB 差分非线性4 DNL V = 5 V −1 ±1/4 +1 LSB DD DNL V = 3 V, T = 25°C −1 ±1/4 +1 LSB DD A DNL V = 3 V, T = −40°C 至 +85°C −1.5 ±1/2 +1.5 LSB DD A 分压器温度系数 ∆V /∆T 代码 = 80 15 ppm/°C W H 满量程误差 V 代码 = FF −4 −2.8 0 LSB WFSE H 零电平误差 V 代码 = 00 0 1.3 2 LSB WZSE H 电阻端 电压范围5 V 0 V V A, B, W DD 电容6 Ax、电容Bx C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 75 pF A, B H 电容6 Wx C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 120 pF W H 关断电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 0.01 5 µA 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 100 200 Ω 数字输入和输出 输入逻辑高电平 V V = 5 V 2.4 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 5 V 0.8 V IL DD 输入逻辑高电平 V V = 3 V 2.1 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 3 V 0.6 V IL DD 输出逻辑高电平 V R = 2.2 kΩ 或 V V − 0.1 V OH L DD DD 输出逻辑低电平 V I = 1.6 mA, V = 5 V 0.4 V OL OL DD 输入电流 I V = 0 V 或 5 V, V = 5 V ±1 µA IL IN DD 输入电容6 C 5 pF IL 电源 电源电压范围 V 范围 2.7 5.5 V DD 电源电流(CMOS) I V = V 或 V = 0 V 0.01 5 µA DD IH DD IL 电源电流(TTL)8 I V = 2.4 V 或 0.8 V, V = 5.5 V 0.9 4 mA DD IH DD 功耗(CMOS)9 P V = V 或 V = 0 V, V = 5.5 V 27.5 µW DISS IH DD IL DD 电源灵敏度 PSS V = 5 V ± 10% 0.0002 0.001 %/% DD PSS V = 3 V ± 10% 0.006 0.03 %/% DD Rev. E | Page 4 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 参数 符号 条件 最小值 典型值1 最大值 单位 动态特性6, 10 -3 dB带宽 BW_10 K R = 10 kΩ 600 kHz 总谐波失真 THD V = 1 V rms + 2 V dc, V = 2 V dc, f = 1 kHz 0.003 % W A B V 建立时间 t V = V , V = 0 V, ±1% 误差带 2 µs W S A DD B 电阻噪声电压 eNWB RWB = 5 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 9 nV/√Hz 串扰11 C V = V , V = 0 V −65 dB T A DD B 1 典型规格表示25°C和V = 5 V时的平均读数。 DD 2 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶 跃变化。器件保证单调性。参见图38所示的测试电路。对于10 kΩ版本，V = 3 V时，I = 50 μA；V = 5 V时，I = 400 μA。 DD W DD W 3 V = V ，游标(V ) = 无连接。 AB DD W 4 与电压输出DAC类似，将RDAC配置为电位计分压器，在V 位置测得INL和DNL。V = V 和V = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值，保证单调工作条件。参见 W A DD B 图37所示的测试电路。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 6 通过设计保证，但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 7 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 8 当输入逻辑电平为2.4 V时，电源电流的消耗变成最差，这是CMOS逻辑的标准特性。I 与逻辑电压的关系参见图28。 DD 9 P 可通过(I × V ) 计算。CMOS逻辑电平输入导致功耗最小。 DISS DD DD 10 所有动态特性均采用V = 5 V。 DD 11 在一个V 引脚上测量，相邻V 引脚发生满量程电压变化。 W W Rev. E | Page 5 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—50 kΩ和100 kΩ版本 除非另有说明，V = 3 V ± 10%或5 V ± 10%，V = V ，V = 0 V，−40°C ≤ T ≤ +125°C。 DD A DD B A 表2. 参数 符号 条件 最小值 典型值1 最大值 单位 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL R , V = 无连接 −1 ±1/4 +1 LSB WB A 电阻非线性2 R-INL R , V = 无连接 −2 ±1/2 +2 LSB WB A 标称电阻3 R T = 25°C, 型号: AD840XYY50 35 50 65 kΩ AB A R T = 25°C, 型号: AD840XYY100 70 100 130 kΩ AB A 电阻温度系数 ∆R /∆T V = V , 游标 = 无连接 500 ppm/°C AB AB DD 游标电阻 R V = 5V, I = V /R 50 100 Ω W DD W DD AB R V = 3V, I = V /R 200 Ω W DD W DD AB 标称电阻匹配 ∆R/R CH 1 至 CH 2, CH 3, 或 CH 4, V = V , T = 25°C 0.2 1 % AB AB DD A 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻) 分辨率 N 8 Bits 积分非线性4 INL −4 ±1 +4 LSB 差分非线性4 DNL V = 5 V −1 ±1/4 +1 LSB DD DNL V = 3 V, T = 25°C −1 ±1/4 +1 LSB DD A DNL V = 3 V, T = −40°C 至 +85°C −1.5 ±1/2 +1.5 LSB DD A 分压器温度系数 ∆V /∆T 代码 = 80 15 ppm/°C W H 满量程误差 V 代码 = FF −1 −0.25 0 LSB WFSE H 零电平误差 V 代码 = 00 0 +0.1 +1 LSB WZSE H 电阻端 电压范围5 V , V , V 0 V V A B W DD 电容6 Ax、Bx C , C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 15 pF A B H 电容6 Wx C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 80 pF W H 关断电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 0.01 5 µA 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 100 200 Ω 数字输入和输出 输入逻辑高电平 V V = 5 V 2.4 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 5 V 0.8 V IL DD 输入逻辑高电平 V V = 3 V 2.1 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 3 V 0.6 V IL DD 输出逻辑高电平 V R = 2.2 kΩ 或 V V − 0.1 V OH L DD DD 输出逻辑低电平 V I = 1.6 mA, V = 5 V 0.4 V OL OL DD 输入电流 I V = 0 V 或 5 V, V = 5 V ±1 µA IL IN DD 输入电容6 C 5 pF IL 电源 电源电压范围 V 范围 2.7 5.5 V DD 电源电流(CMOS) I V = V 或 V = 0 V 0.01 5 µA DD IH DD IL 电源电流(TTL)8 I V = 2.4 V 或 0.8 V, V = 5.5 V 0.9 4 mA DD IH DD 功耗(CMOS)9 P V = V 或 V = 0 V, V = 5.5 V 27.5 µW DISS IH DD IL DD 电源灵敏度 PSS V = 5 V ± 10% 0.0002 0.001 %/% DD PSS V = 3 V ± 10% 0.006 0.03 %/% DD Rev. E | Page 6 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 参数 符号 条件 最小值 典型值1 最大值 单位 动态特性6, 10 -3 dB带宽 BW_50 K R = 50 kΩ 125 kHz BW_100 K R = 100 kΩ 71 kHz 总谐波失真 THD V = 1 V rms + 2 V dc, V = 2 V dc, f = 1 kHz 0.003 % W A B V 建立时间 t_50 K V = V , V = 0 V, ±1% 误差带 9 µs W S A DD B t_100 K V = V , V = 0 V, ±1% 误差带 18 µs S A DD B 电阻噪声电压 eNWB_50 K RWB = 25 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 20 nV/√Hz eNWB_100 K RWB = 50 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 29 nV/√Hz 串扰11 C V = V , V = 0 V −65 dB T A DD B 1 典型规格表示25°C和V = 5 V时的平均读数。 DD 2 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃 变化。器件保证单调性。参见图38所示的测试电路。对于50 kΩ和100 kΩ版本，V = 3 V或5 V时，I = V /R。 DD W DD 3 V = V ，游标(V ) = 无连接。 AB DD W 4 与电压输出DAC类似，将RDAC配置为电位计分压器，在VW位置测得INL和DNL。V = V 和V = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值，保证单调工作条件。参 A DD B 见图37所示的测试电路。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 6 通过设计保证，但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 7 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 8 当输入逻辑电平为2.4 V时，电源电流的消耗变成最差，这是CMOS逻辑的标准特性。I 与逻辑电压的关系参见图28。 DD 9 P 可通过(I × V ) 计算。逻辑电平输入导致功耗最小。 DISS DD DD 10 所有动态特性均采用V = 5 V。 DD 11 在一个V 引脚上测量，相邻V 引脚发生满量程电压变化。 W W Rev. E | Page 7 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—1 kΩ版本 除非另有说明，V = 3 V ± 10%或5 V ± 10%，V = V ，V = 0 V，−40°C ≤ T ≤ +125°C。 DD A DD B A 表3. 参数 符号 条件 最小值 典型值 1最大值 单位 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL R , V = 无连接 −5 −1 +3 LSB WB A 电阻非线性2 R-INL R , V = 无连接 −4 ±1.5 +4 LSB WB A 标称电阻3 R T = 25°C, 型号: AD840XYY1 0.8 1.2 1.6 kΩ AB A 电阻温度系数 ∆R /∆T V = V , 游标 = 无连接 700 ppm/°C AB AB DD 游标电阻 R V = 5V, I = V /R 53 100 Ω W DD W DD AB R V = 3V, I = V /R 200 Ω W DD W DD AB 标称电阻匹配 ∆R/R CH 1 至 CH 2, V = V , T = 25°C 0.75 2 % AB AB DD A 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻） 分辨率 N 8 Bits 积分非线性4 INL −6 ±2 +6 LSB 差分非线性4 DNL V = 5 V −4 −1.5 +2 LSB DD DNL V = 3 V, T = 25°C −5 −2 +5 LSB DD A 分压器温度系数 ∆V /∆T 代码 = 80H 25 ppm/°C W 满量程误差 V 代码 = FF −20 −12 0 LSB WFSE H 零电平误差 V 代码 = 00 0 6 10 LSB WZSE H 电阻端 电压范围5 V , V , V 0 V V A B W DD 电容6 Ax、Bx C , C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 75 pF A B H 电容6 Wx C f = 1 MHz，针对GND测量，代码 = 80 120 pF W H 关断电源电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 0.01 5 µA 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 50 100 Ω 数字输入和输出 输入逻辑高电平 V V = 5 V 2.4 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 5 V 0.8 V IL DD 输入逻辑高电平 V V = 3 V 2.1 V IH DD 输入逻辑低电平 V V = 3 V 0.6 V IL DD 输出逻辑高电平 V R = 2.2 kΩ 或 V V − 0.1 V OH L DD DD 输出逻辑低电平 V I = 1.6 mA, V = 5 V 0.4 V OL OL DD 输入电流 I V = 0 V 或 5 V, V = 5 V ±1 µA IL IN DD 输入电容6 C 5 pF IL 电源 电源电压范围 V 范围 2.7 5.5 V DD 电源电流(CMOS) I V = V 或 V = 0 V 0.01 5 µA DD IH DD IL 电源电流(TTL)8 I V = 2.4 V 或 0.8 V, V = 5.5 V 0.9 4 mA DD IH DD 功耗(CMOS)9 P V = V 或 V = 0 V, V = 5.5 V 27.5 µW DISS IH DD IL DD 电源灵敏度 PSS ∆V = 5 V ± 10% 0.0035 0.008 %/% DD PSS ∆V = 3 V ± 10% 0.05 0.13 %/% DD Rev. E | Page 8 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 参数 符号 条件 最小值 典型值1最大值 单位 动态特性6, 10 -3 dB带宽 BW_1 K R = 1 kΩ 5,000 kHz 总谐波失真 THD V = 1 V rms + 2 V dc, V = 2 V dc, f = 1 kHz 0.015 % W A B V 建立时间 t V = V , V = 0 V, ±1% 误差带 0.5 µs W S A DD B 电阻噪声电压 eNWB RWB = 500 Ω, f = 1 kHz, RS = 0 3 nV/√Hz 串扰11 C V = V , V = 0 V −65 dB T A DD B 1 典型规格表示25°C和V = 5 V时的平均读数。 DD 2 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃 变化。参见图38所示的测试电路。对于1 kΩ版本，V = 3 V时，I = 500 μA；V = 5 V时，I = 2.5 mA。 DD W DD W 3 V = V ，游标(V ) = 无连接。 AB DD W 4 与电压输出DAC类似，将RDAC配置为电位计分压器，在VW位置测得INL和DNL。V = V 和V = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值，保证单调工作条件。参 A DD B 见图37所示的测试电路。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 6 通过设计保证，但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 7 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 8 当输入逻辑电平为2.4 V时，电源电流的消耗变成最差，这是CMOS逻辑的标准特性。I 与逻辑电压的关系参见图28。 DD 9 P 可通过(I × V ) 计算。逻辑电平输入导致功耗最小。 DISS DD DD 10 所有动态特性均采用V = 5 V。 DD 11 在一个V 引脚上测量，相邻V 引脚发生满量程电压变化。 W W Rev. E | Page 9 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—所有版本 除非另有说明，V = 3 V ± 10%或5 V ± 10%，V = V ，V = 0 V，−40°C ≤ T ≤ +125°C。 DD A DD B A 表4. 参数 符号 条件 最小值 典型值1 最大值 单位 开关特性2, 3 输入时钟脉冲宽度 t , t 时钟高电平或低电平 10 ns CH CL 数据建立时间 t 5 ns DS 数据保持时间 t 5 ns DH CLK至SDO传播延迟4 t R = 1 kΩ 或 5 V, C ≤ 20 pF 1 25 ns PD L L CS 建立时间 tCSS 10 ns CS 高电平脉冲宽度 tCSW 10 ns 复位脉冲宽度 t 50 ns RS CLK下降到CS上升保持时间 tCSH 0 ns CS 上升到时钟上升建立时间 tCS1 10 ns 1 典型规格表示25°C和V = 5 V时的平均读数。 DD 2 通过设计保证，但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 3 测得值位置见时序图(图3)。所有输入控制电压均指定t = t = 1 ns(10％到90％的V )并从1.6V电平起开始计时。开关特性利用V = 3 V或5 V进行测量。为避 R F DD DD 免输入时钟错误，应保持最低1 V/μs的输入逻辑压摆率。 4 传播延迟取决于V 、R和C的值(参见应用部分)。 DD L L 时序图 1 SDI A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0 1 CLK 0 1 tRS DACREGISTERLOAD RS 1 0 VOCUSTV0DVD0 01092-003 VOUTVDVDD/D2 ±1%ERRORtSBAND ±1% 01092-005 图3. 时序图 图5. 复位时序图 1 (DATAS IND)I Ax ORDx Ax ORDx 0 tDS tDH 1 SDO (DATA OUT) A'xORD'x A'xORD'x 0 tPD_MIN tPD_MAX 1 tCH tCS1 CLK 0 tCL 1 tCSS tCSH CS tCSW 0 tS VDD ±1% VOUT0V ±1%ERRORBAND 01092-004 图4. 详细时序图 Rev. E | Page 10 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 绝对最大额定值 除非另有说明，T = 25°C。 A 表5. 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 参数 额定值 坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它 VDD 至 GND −0.3 V, +8 V 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件 V , V , V 至 GND 0 V, V A B W DD 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 最大电流 器件的可靠性。 I , I 脉冲 ±20 mA WB WA I 连续 (R ≤ 1 kΩ, A 开路)1 ±5 mA WB WB 串行数据字格式 I 连续 (R ≤ 1 kΩ, B 开路)1 ±5 mA WA WA I 连续 (R = 1 kΩ/10 kΩ/ ±2.1 mA/±2.1 mA/ 表6. AB AB 50 kΩ/100 kΩ)1 ADDR DATA 数字输入和输出电压至GND 0 V, 7 V B9 B8 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 工作温度范围 −40°C 至 +125°C A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 最大结温(T ) 150°C MSB LSB MSB LSB JMAX 存储温度 −65°C 至 +150°C 29 28 27 20 引脚温度(焊接，10秒) 300°C 封装功耗 (T max − T )/θ J A JA 热阻(θ ) JA SOIC (R-8) 158°C/W PDIP (N-14) 83°C/W PDIP (N-24) 63°C/W SOIC (R-14) 120°C/W SOIC (R-24) 70°C/W TSSOP-14 (RU-14) 180°C/W TSSOP-24 (RU-24) 143°C/W 1 最大端电流受以下几个方面限制：给定电阻条件下可在A、B和W端的任 意两端之间施加的最大电压、开关的最大电流处理能力以及封装的最大 功耗；VDD = 5 V。 ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。静电电荷很容易在人体和测试设备上累积，可高达4000 V，并可能在没有察 觉的情况下放电。尽管本产品具有专用ESD保护电路，但在遇到高能量静电放电时，可能会发生永久 性器件损坏。因此，建议采取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. E | Page 11 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 引脚配置和功能描述 B1 1 8 A1 AGND 1 14 B1 AGND2 1 24 B1 GND 2 AD8400 7 W1 B2 2 13 A1 B2 2 23 A1 SCDSI 34 (NToOtPtoVSIEcWale) 65 VCDLDK01092-006 WA22 34 (NAToOtDPto8V4SIE0cWa2le) 1112 WVD1D AGNWDA242 345 AD8403 222210 WABG31ND1 图6. AD8400引脚配置 DGND 5 10 RS B4 6 (NToOtPtoVSIEcWale) 19 A3 SHDN 6 9 CLK CS 7 8 SDI 01092-007 WA44 78 1187 WAG3ND3 图7. AD8402引脚配置 DGND 9 16 VDD SHDN 10 15 RS SCDSI 1112 1143 CSDLKO 01092-008 图8. AD8403引脚配置 表7. AD8400引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 B1 B端RDAC。 2 GND 地。 3 CS 片选输入，低电平有效。当CS回到高电平时，串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码， 并载入目标DAC寄存器。 4 SDI 串行数据输入。 5 CLK 串行时钟输入，正边沿触发。 6 V 正电源。额定工作电压：3 V和5 V。 DD 7 W1 游标RDAC，Addr = 00。 2 8 A1 A端RDAC。 表8. AD8402引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 AGND 模拟地1。 2 B2 B端RDAC 2。 3 A2 A端RDAC 2。 4 W2 游标RDAC 2，Addr = 01。 2 5 DGND 数字地1。 6 SHDN A端开路。关断控制可变电阻1和可变电阻2。 7 CS 片选输入，低电平有效。当CS回到高电平时，串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码， 并载入目标DAC寄存器。 8 SDI 串行数据输入。 9 CLK 串行时钟输入，正边沿触发。 10 RS 低电平有效复位至中间电平。RDAC寄存器设置为80 。 H 11 V 正电源。额定工作电压：3 V和5 V。 DD 12 W1 游标RDAC 1，Addr = 00。 2 13 A1 A端RDAC 1。 14 B1 B端RDAC 1。 1 所有AGND引脚必须连接到DGND。 Rev. E | Page 12 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 表9. AD8403引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 描述 1 AGND2 模拟地2。1 2 B2 B端RDAC 2。 3 A2 A端RDAC 2。 4 W2 游标RDAC 2，Addr = 01。 2 5 AGND4 模拟地4。1 6 B4 B端RDAC 4。 7 A4 A端RDAC 4。 8 W4 游标RDAC 4，Addr = 11。 2 9 DGND 数字地1。 10 SHDN 低电平输入有效。A端开路。关断控制可变电阻1至可变电阻4。 11 CS 片选输入，低电平有效。当CS回到高电平时，串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码， 并载入目标DAC寄存器。 12 SDI 串行数据输入。 13 SDO 串行数据输出。开漏晶体管需要上拉电阻。 14 CLK 串行时钟输入，正边沿触发。 15 RS 低电平有效复位至中间电平。RDAC寄存器设置为80 。 H 16 V 正电源。额定工作电压：3 V和5 V。 DD 17 AGND3 模拟地3。1 18 W3 游标RDAC 3，Addr = 10。 2 19 A3 A端RDAC 3。 20 B3 B端RDAC 3。 21 AGND1 模拟地1。1 22 W1 游标RDAC 1，Addr = 00。 2 23 A1 A端RDAC 1。 24 B1 B端RDAC 1。 1 所有AGND引脚必须连接到DGND。 Rev. E | Page 13 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 典型性能参数 10 60 VDD=3V OR5V SS=1205UNITS RAB=10kΩ VDD=4.5V TA=25°C  8 48 Ω) ESISTANCE (k 64 FREQUENCY 3264 R 2 12 RWB RWA 0 0 0 32 64 9C6ODE1(D28ecima1l)60 192 224 25601092-009 40.0 42.5 45.0 4W7.5IPE5R0.R0E5S2IS.5TA5N5C.0E(5Ω7).5 60.0 62.5 65.0 01092-012 图9. 游标到端端接电阻与代码的关系 图12. 10 kΩ游标-触点-电阻直方图 5 1.0 80H VDD=5V FFH 4 B) S 40H R (L 0.5 E (V) 3 20H RRO TA=+25°C AG Y E TA=–40°C V VOLTWB 2 CODE=10H NLINEARIT 0 O N –0.5 1 NL TA=+85°C 05H TA=25°C I VDD=5V 00 1 2 IWBC3URRENT4(mA) 5 6 701092-010 –1.00 32 6D4IGITAL96 INPUT12C8ODE1(D60ecima1l)92 224 256 01092-013 图10. 电阻线性与传导电流的关系 图13. 电位计分压器非线性误差与代码的关系 1.0 60 VDD=5V SVSDD==148.45VUNITS TA=25°C 48 0.5 B) TA=+85°C S R (L NCY 36 O E R 0 U R Q E E NL TA=–40°C FR 24 R-I TA=+25°C –0.5 12 –1.00 32 6D4IGITA9L6 INPUT12C8ODE1(D60ecima1l9)2 224 25601092-011 0 35 37 39 4W1IPE4R3RES4I5STAN4C7E(Ω49) 51 53 55 01092-014 图11.电阻步进位置非线性误差与代码的关系 图14. 50 kΩ游标-触点-电阻直方图 Rev. E | Page 14 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 60 700 SS=184UNITS VDD=5V TVADD==254°.C5V C) 600 VTAA==–N4O0°CCO/+N8N5°ECCT 48 °m/ RWBMEASURED p 500 p O ( CY 36 MPC 400 FREQUEN 24 MODE TE 320000 T A T OS 100 12 E H R 0 0 40.0 42.5 45.0 4W7.5IPE5R0.R0ES52IS.5TA5N5C.0E(5Ω7).5 60.0 62.5 65.0 01092-015 –100 0 32 64 9C6ODE1(D28ecima1l)60 192 224 25601092-018 图15. 100 kΩ游标-触点-电阻直方图 图18. ΔR /ΔT变阻器模式温度系数 WB 10 20mV RAB(END-TO-END) 8 Ω) k CE ( RW AN 6 (20mV/DIV) T S SI E L R 4 RWB(WIPER-TO-END) NA CODE=80H MI O N CS 2 (5V/DIV) RAB=10kΩ 5V 500ns 0–75 –50 –25 TE0MPERA2T5URE(5°C0) 75 100 125 01092-016 TIME500ns/DIV 01092-019 图16. 标称电阻与温度的关系 图19. 半量程时的一位步进变化(代码7FH至80H) 6 70 °O (ppm/C) 6500 VVTVADABD====–204VV50V°C/+85°C –1–620 C84O00DE=FF C P 20 ODE TEM 3400 AIN (dB) ––1284 1008 ER M 20 G –30 04 MET –36 02 TIO 10 –42 N 01 E POT 0 –48 TA=25°C –100 32 64 9C6ODE1(D28ecima1l)60 192 224 25601092-017 –5410 100 FR1EkQUENCY(1H0zk) 100k 1M01092-020 图20. 10 kΩ增益、频率与代码的关系(见图43) 图17. ΔV /ΔT电位计模式温度系数 WB Rev. E | Page 15 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 0.75 10 CODE=80H FILTER=22kHz VDD=5V VDD=5V 0.50 SS=158UNITS TA=25°C 1 E (%) 0.25 AVERAGE+2SIGMA %) NC E ( A S ST 0 AVERAGE OI 0.1 ESI + N R D B H W–0.25 T ∆R AVERAGE–2SIGMA 0.01 –0.50 –0.750 100 HOU2R0S0 OF OPE3R00ATIONA4T01050°C 500 60001092-021 0.00110 100 FREQUE1NkCY(Hz) 10k 100k 01092-024 图21. 老化加速的长期漂移 图24. 总谐波失真加噪声与频率的关系(见图41和图42) 2V 45.25µs OUTPUT VOUT (50mV/DIV) INPUT 5V 5µs 50mV 200ns TIME500µs/DIV 01092-022 TIME200ns/DIV 01092-025 图22. 大信号建立时间 图25. 数字馈通与时间的关系 6 6 CODE=FFH CODE=FFH 0 0 80H –6 –6 –12 80H –12 40H 40H 20H N (dB) ––2148 20H N (dB) ––2148 10H GAI –30 10H GAI –30 08H 08H 04H –36 –36 04H 02H –42 –42 02H 01H –48 –48 01H –541k 10kFREQUENCY(H1z0)0k 1M01092-023 –541k 10kFREQUENCY(Hz1)00k 1M01092-026 图23. 50 kΩ增益、频率与代码的关系 图26. 100 kΩ增益、频率与代码的关系 Rev. E | Page 16 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 12 B/DIV) TCVADODD==E255=°VC80H 6 f–3dB=700kHz,R=10kΩ 1d 0 0. SS ( –6 ATNE R=10kΩ dB) –12 f–3dB=71kHz,R=100kΩ X N FL AIN ( –18 f–3dB=125kHz,R=50kΩ AI G G D R=50kΩ –24 E Z ALI –30 M NOR R=100kΩ –36 VVIDND==150V0mVrms RL=1MΩ 10 100 FR1kEQUENCY1(H0kz) 100k 1M01092-027 –421k 10kFREQUENCY(Hz)100k 1M01092-030 图27. 归一化增益平坦度与频率的关系(见图43) 图30. -3 dB带宽 10 1200 TA=25°C A:VDD=5.5V TA=25°C CODE=55H 1000 B:VDD=3.3V A) A) CODE=55H ENT (m 1 µENT ( 800 CD::VVCDDODDD==E53=..53FVVFH RR RR CODE=FFH U U PLY C VDD=5V PLY C 600 P P I – SUDD 0.1 I – SUDD 400 A B VDD=3V 200 C D 0.01 0 0 1 DIGITAL2 INPUTVOLT3A4GE(V) 501092-028 1k 10k FREQU1E0N0kCY(Hz) 1M 10M01092-031 图28. 电源电流与数字输入电压的关系 图31. 电源电流与时钟频率的关系 80 160 TVCADOD=D=E25+=°5C8V0DHC±1Vp-pAC 140 TA=25°C CL=10pF VDD=2.7V 60 VA=4V,VB=0V 120 100 B) RR (d 40 Ω()ON 80 PS R VDD=5.5V 60 20 40 20 0100 1k FREQU1E0NkCY(Hz) 100k 1M01092-029 00 12 VBIA3S(V) 4 56 01092-032 图29. 电源抑制比与频率的关系(见图40) 图32. AD8403增量游标导通电阻与V 的关系(见图39) DD Rev. E | Page 17 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 1 LOGIC INPUT B) 0 VOLTAGE=0,VDD d N ( –10 GAI –20 µA) NT ( 0.1 E R s) R PHASE (Degree ––49500 TVADD==255°VC I – SUPPLY CUDD 0.01 VDD=5.5V WHAIPLEFR-SSCEATLEAT80H VDD=3.3V 100k 200k 400k FREQUE1MNCY(Hz)2M 4M 6M 10M01092-033 0.001–55 –35 –15 5TEMP2E5RATU4R5E(°C)65 85 105 125 01092-035 图33. 1 kΩ增益和相位与频率的关系 图35. 电源电流与温度的关系 100 6 VDD=5V 5 RAB= 1kΩ RRENT (nA) (mA)B_MAX 4 TVAA== 2V5B°C=OPEN U W WN C 10 CAL I 3 DO ETI SHUTA THEOR 2 RAB= 10kΩ I 1 RAB= 50kΩ RAB= 100kΩ 1–55 –35 –15 5TEMP2E5RATU4R5E(°C)65 85 105 12501092-034 00 32 64 9C6ODE 1(D2e8cima1l)60 192 224 256 01092-057 图34. 关断电流与温度的关系 图36. I 与代码的关系 WB_MAX Rev. E | Page 18 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 测试电路 A DUT B DUT V+=VDD W 5V V+ AW 1LSB=V+/256 ~ VIN OP279 VOUT OFFSET B VMS 01092-036 GND 2.5VDC 01092-040 图37. 电位计分压器非线性误差(INL、DNL) 图41. 反相可编程增益 NOCONNECT 5V VOUT DAUWT IW VIN ~ W OP279 B OFFSET A B VMS 01092-037 GND 2.5V DUT 01092-041 图38. 电阻位置非线性误差 图42. 同相可编程增益 (可变电阻器操作；R-INL，R-DNL) DUT A +15V VMS2 A W VW IW=VDD/RNOMINAL VIN ~ DUT W OP42 VOUT B OFFSET B VMS1 RW=[VMS1–VMS2]/IW01092-038 GND 2.5V –15V 01092-042 图39. 游标电阻 图43. 增益与频率的关系 0.1V DUT RSW= ISW VA W CODE= H V+ ~ VDD AW PVS+R=RV(DdDB±)=102%0LOG(∆VMS) B ISW +–0.1V B VMS ∆VDD PSS(%/%)=∆∆VVMDDS%% 01092-039 VBIAS A=NC 01092-043 图40. 电源灵敏度(PSS、PSRR) 图44. 增量导通电阻 Rev. E | Page 19 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 工作原理 AD8400/AD8402/AD8403分别是单通道/双通道/四通道、 可变电阻编程 256位、数字控制可变电阻(VR)器件。更改VR编程设置是 变阻器操作 通过将10位串行数据字送入SDI(串行数据输入)引脚来实 A端和B端间VR (RDAC)的标称电阻可以为1 kΩ、10 kΩ、 现。此数据字由2个地址位(MSB优先)和8个数据位(也是 50 kΩ和100 kΩ。产品型号的最后一位决定标称电阻值：10 MSB优先)组成。表6给出了串行寄存器数据字格式。 kΩ = 10；100 kΩ = 100。VR的标称电阻(R )有256个触点可 AD8400/AD8402/AD8403具有如下的地址分配，由ADDR AB 供游标端访问，由此产生的电阻可以在游标端和B端上测 解码器解码，确定接收位B7至B0中的串行寄存器数据的 量(R )，或者在游标端和A端上测量(R )。载入RDAC锁 VR锁存器的位置。 WB WA 存器的8位数据字经过解码，用于选择256种可能的设置之 一。游标的第一个连接开始于B端，对应数据00 。此B端 H 单通道AD8400要求A1 = A0 = 0。双通道AD8402要求A1 = 0。 连接具有50 Ω的游标触点电阻。第二个连接(对于10 kΩ器 VR设置可以随机更改，一次一个。对于AD8403，工作频 件)是第一个抽头点，位于89 Ω = [R (标称电阻) + R = 39 AB W 率为10 MHz的串行时钟使它能在不到4 μs (10 × 4 × 100 ns) Ω + 50 Ω]处，对应数据01 。第三个连接是下一个抽头点， H 的时间内加载所有4个VR。确切的时序要求参见图3、图4 代表78 Ω+ 50 Ω = 128 Ω，对应数据02 。随着每个LSB数据 H 和图5。 值的增加，游标沿电阻梯向上移动，直至最后一个抽头点 AD8400/AD8402/AD8403没有上电复位到中间电平的功 位置，电阻达10,011Ω。注意，游标并不直接连接到B端， 能，因此上电时游标可以处于任意随机位置。然而， 哪怕是数据00 。图45给出了RDAC等效电路的简化图。 H AD8402/AD8403可以通过置位RS引脚复位到中间电平，从 AD8400内置一个RDAC，AD8402内置两个独立的RDACs， 而简化上电时的初始条件。这两款器件均具有关断电源 AD8403内置四个独立的RDACs。确定Wx端和Bx端间的数 SHDN引脚，用于将VR置于零功耗状态，其中Ax端开路， 字编程输出电阻的通用传递函数是 游标Wx连接到Bx端，使得功耗仅为VR中的漏电流。在关 断模式下，VR锁存器设置得以保持，当器件回到工作模式 时，VR设置恢复以前的电阻值。数字接口在关断模式下仍 其中D为载入8位RDAC#锁存器的数据(十进制)，RAB为标称 端到端电阻。 有效，但SDO停用。关断期间可以更改寄存器中的代码， 当器件脱离关断状态时，游标将处于新的位置。 例如，当A端开路或连接到游标W时，如下RDAC锁存器代 码将产生如下的R (针对10 kΩ版本)： WB Ax RS SHDN 表10. D(十进制) R (Ω) 输出状态 RS WB D7 255 10,011 满量程 D6 D5 128 5,050 中间电平(RS = 0条件) D4 RS D3 1 89 1 LSB D2 D1 0 50 零电平(游标触点电阻) D0 Wx 请注意：在零电平条件下，存在50 Ω的有限游标电阻。此 状态下要将W端和B端之间的电流流动限制在5 mA以下，以 免性能下降或内部开关触点损坏。 RDAC LATCH DECAONDDER RSRS=RNOMINAL/256 Bx 01092-044 图45. AD8402/AD8403等效VR (RDAC)电路 Rev. E | Page 20 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 像机械电位计一样，RDAC也是对称的。游标W和A端间的 的操作精度。这种情况下，输出电压取决于内部电阻的比 电阻也产生一个数字可控互补电阻R 。使用这些端子 例，而不是绝对值，因此温漂性能改善到15 ppm/°C。 WA 时，可以将B端连接到游标或悬空。R 开始时为最大值， WA 当游标位置设置较低时，电位分压器的温度系数会提高， 随着载入RDAC锁存器的数据增大而减小。此R 的通用传 WA 因为CMOS开关导通电阻此时会成为B端到游标W总电阻的 递函数是 相当可观的一部分。电位器温漂性能与代码设置的关系参 见图17。 数字接口 其中D为载入8位RDAC#锁存器的数据，R 为标称端到端 AB 电阻。 AD8400/AD8402/AD8403内置一个标准SPI兼容型3线式串 行输入控制接口。三路输入分别是时钟(CLK)、片选(CS) 例如，当B端开路或连接到游标W时，如下RDAC锁存器代 和串行数据输入(SDI)。正边沿敏感型CLK输入需要干净的 码将产生如下的R (针对10 kΩ版本)： WA 转换，以免将错误数据送入串行输入寄存器。为获得最佳 表11. 效果，应使用快于1 V/μs的逻辑转换。标准逻辑系列非常合 D(十进制) R (Ω) 输出状态 WA 适。如果使用机械开关进行产品评估，应通过触发器或其 255 89 满量程 它合适的途径去抖。图46、图47和图48中的框图详细显示 128 5,050 中间电平(RS = 0条件) 了内部数字电路。当CS变为低电平有效时，在每个正时钟 1 10,011 1 LSB 0 10,050 零电平 沿将数据载入10位串行寄存器(见表12)。 通道间RAB典型分布的匹配度在±1%以内。然而，器件间 CS VDD 匹配度依工艺批次而定，变化幅度为±20%。温度系数(即 CLK D7 A1 R 随温度的变化)为500 ppm/°C。 EN RDAC W1 AB ADDR LNAOT.C1H B1 在10%到100%的调整范围内，游标到末端电阻的温度系数 AA10 DEC D0 具有最佳的性能，内部游标触点开关不会产生显著的温度 D7 10-BIT 相关误差。图18显示了R 温度系数的性能与代码的关 SER WB REG AD8400 系。在代码低于32的情况下使用电位计时，温度系数较 SDI DI D0 8 大。 电位计分压器编程 GND 1092-0450 图46. AD8400框图 电压输出操作 数字电位计很容易产生与施加于给定端的输入电压成比例 CS AD8402 VDD 的输出电压。 CLK D7 A1 例如，将A端接至5 V，并将B端接至地后，游标处产生输出 EN LRADTACCH W1 电压，从0 V开始至5V以下1 LSB。每个LSB等于经过256位 A1 ADDEDCR D0 NOR.1 B1 A0 分辨率的电位分压器分压的A端与B端间的电压。针对A端 D7 和B端间施加的任何给定输入电压，确定相对于地的输出 10-BIT D7 A4 SER RDAC W4 REG LATCH 电压的通用公式为 SDI DI D0 NOR.2 B4 D0 8 SHDN 在分压器模式下使用数字电位计，可提高整个温度范围内 DGND RS AGND 01092-046 图47. AD8402框图 Rev. E | Page 21 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 CS VDD 如果两个AD8403 RDAC以菊花链连接，则需要20位地址和 CLK D7 A1 数据，格式参见表6。关断期间(SHDN = 逻辑低电平)，SDO EN RDAC W1 输出引脚进入关断(逻辑高电平)状态，使上拉电阻不产生 LATCH ADDR NOR.1 B1 功耗。SDO等效输出电路见图50。 A1 DEC D0 SDO DO A0 技术规格表中的数据建立和保持时间决定数据有效时间要 D7 求。当CS变为高电平时，输入串行寄存器的数据字的最后 SER AD8403 REG 10位被保持。在CS变为高电平的同时，地址解码器选通， 两个(AD8402)或四个(AD8403)正边沿触发RDAC锁存器中 A4 SDI DI D0 D7 的一个使能。参见图49和表13。 RDAC W4 LATCH 表13. 地址解码表 NO.4 B4 8 D0 R A1 A0 锁存器解码 0 0 RDAC#1 SHDN 0 1 RDAC#2 DGND RS AGND 01092-047 11 01 RRDDAACC##34((仅仅限限AADD88440033)) 图48. AD8403框图 表12. 输入逻辑控制真值表1 AD8403 RDAC1 RDAC2 CLK CS RS SHDN 寄存器活动 CS ADDR DECODE L L H H 无SR效应；使能SDO引脚 RDAC4 P L H H 从SDI引脚移入一位。 CLK 先从前SD输O引入脚的移第出10。位 SDI RESGERISIATELR 01092-048 X P H H 基于A1、A0解码结果 图 49. 等效输入控制逻辑 将SR数据载入RDAC锁存器(表13) X H H H 无操作 目标RDAC锁存器加载串行数据字的最后8位，完成一次 X X L H 将所有RDAC锁存器 设置到中间电平， RDAC更新。对于AD8403，要更改所有4个VR设置，必须 游标居中，SDO锁存器清零 输入4个独立的10位数据字。 X H P H 将所有RDAC锁存器锁存为80H X H H L 所有电阻A端开路， SHDN W连接到B， CS 关闭SDO输出晶体管 SDO SERIAL SDI REGISTER D Q 1 P = 正边沿，X = 无关，SR = 移位寄存器 CKRS 串无行)内数置据一输个出开(S漏DNO沟)引道脚F(E仅T，AD需84要03一有个，上A拉D8电40阻0和将A数D据84传02 CRLKS 01092-049 输到下一个包的SDI引脚。该上拉电阻的终端电压可以大 图50. AD8403的SDO输出详细原理图 于AD8403 SDO输出器件的V 电源(但小于最大8 V的V )。 DD DD 所有数字引脚受串联电阻和并联齐纳ESD结构的保护，如 例如，AD8403可以工作在V = 3.3 V，与下一器件接口的 DD 图51所示。此结构适用于数字引脚CS、SDI、SDO、RS、 上拉电阻可以设置为5 V。这样，单条处理器串行数据线就 SHDN和CLK。数字输入ESD保护支持混合电源应用，即利 可以通过菊花链连接多个RDAC。使用上拉电阻串联下一 用5 V CMOS逻辑驱动采用3 V电源供电的AD8400、AD8402 器件的SDI引脚时，需要延长时钟周期。为使数据传输成 或AD8403。模拟引脚A、引脚B和引脚W受一个20 Ω串联电 功，必须考虑器件之间菊花链节点SDO至SDI的容性负 阻和并联齐纳二极管的保护(见图52)。 载。使用菊花链时，CS应保持低电平，直到每个包的所有 位都已输入各自的串行寄存器，并且地址和数据位处于正 确的解码位置。 Rev. E | Page 22 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 DIGITAL 1kΩ 列表I. RDAC的宏模型网络列表 PINS LOGIC 01092-050 .*P.SAURBACMK TD WDP=O2T5 5(A, R,WD,A)C=10E3 图51. 等效ESD保护电路 * CA A 0 {DW/256*90.4E-12+30E-12} RAW A W {(1-DW/256)*RDAC+50} CW W 0 120E-12 20Ω A,B,W RBW W B {DW/256*RDAC+50} 01092-051 C*B B 0 {(1-DW/256)*90.4E-12+30E-12} .ENDS DPOT 图52. 等效ESD保护电路(模拟引脚) 在使用偏移地和轨到轨放大器OP279的反相运算放大器电 路中，总谐波失真加噪声(THD + N)测得为0.003%，如图41 RDAC 10kΩ 所示。热噪声主要是约翰逊噪声，对于10 kΩ版本和f = 1 A B kHz，典型值为9 nV/√Hz。对于100 kΩ器件，热噪声为29 CA CB CW nV/√Hz。通道间串扰在f = 100 kHz时小于−65 dB。为实现此 120pF 隔离度，封装上提供的用来隔离各RDAC的额外接地引脚 必须连接到电路地。AGND和DGND引脚应处于相同电 W CA=90.4pF (DW/256)+30pF CB=90.4pF [1–(DW/256)]+30pF 01092-052 位为−。3封5 d装B(中10未 kH使z时用)的。电在位高计精应度接应地用。中电，源必抑须制采性取能措典施型将值电 图53. RDAC电路仿真模型(RDAC = 10 kΩ) 源纹波降至最低。 RDAC的交流特性主要取决于内部寄生电容和外部容性负 载。用作电位分压器时，AD8403AN10(10 kΩ电阻)的−3 dB 带宽在半量程下测得为600 kHz。图30给出了10 kΩ、50 kΩ 和100 kΩ三种可用电阻版本的大信号波特图。1 kΩ版本的 增益平坦度与频率的关系图可用来预测滤波器应用的性能 (见图33)。寄生仿真模型已被开发出来，如图53所示。列 表I为10 kΩ RDAC的宏模型网络列表。 Rev. E | Page 23 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 应用 利用数字电位计(RDAC)，可以将许多应用中的机械电位计 256 替换为与其一致的解决方案，从而缩小尺寸并且免受恶劣 224 环境中可能遇到的振动、冲击、触点开路等问题的影响。 192 数字电位计的一大优势是可编程功能，可以将任何设置保 al) m 存在系统存储器中供以后调用。 Deci 160 E ( D 128 RDAC的两种主要配置是电位分压器(基本3端应用)和变阻 CO L 器(2端配置)，电路连接如图37和图38所示。 TA 96 GI DI 64 为使AD8400/AD8402/AD8403正常工作，必须满足一些边 界条件。首先，所有模拟信号必须处于用来使单电源 32 A标D准84电00位/A分D压84器02应/A用D8，40可3工以作直的接G使N用D游至标VD输D范出围。内对。于对低电于 00.1 INVERTING1 GAIN(V/V) 1001092-053 阻负载，应利用合适的轨到轨运算放大器(如OP291或 图54. 反相可编程增益图 OP279)缓冲游标输出。其次，针对交流信号和双极性直流 调整应用，一般需要一个虚拟地。无论使用何种方法来创 有源滤波器 建虚拟地，结果必须是为所有连接的负载提供必要的吸电 状态可变有源滤波器是用于实现低通、高通或带通滤波器 流和源电流，包括足够的旁路电容。图41显示AD8402的一 的标准电路之一。数字电位计支持对滤波器输出的频率、 个通道连接在一个反相可编程增益放大器电路中。虚拟地 增益和Q进行全面编程。图55显示一个使用2.5 V虚拟地的滤 设置为2.5 V，因此电路输出相对于虚拟地的范围为±2.5 V。 波器电路，它具有±2.5 VP输入和输出摆幅。RDAC2和RDAC3 为实现最宽的输出摆幅，需要使用轨到轨放大器。将游标 分别设置LP、HP和BP的截止频率和中心频率。这些可变 从中间电平复位位置(80H)调整到A端(代码FFH)时，电路的 电阻器应利用相同的数据进行编程(像组合电位计一样)， 电压增益以连续的较大增量提高。另一方面，将游标调整 以便保持最佳的电路Q。图56显示在带通输出端测得的滤 到B端(代码00H)时，信号逐渐衰减。图54显示100:1电压增 波器响应，它是RDAC2和RDAC3设置的函数，产生的中心 益范围(V/V)的游标设置。注意在0 dB (1 V/V)周围有±10 dB 频率范围为2 kHz至20 kHz。带通输出端的滤波器增益响应 的伪对数增益。此电路主要用于0.14 V/V至4 V/V范围内的 如图57所示。中心频率为2 kHz时，增益可在RDAC1决定的 增益调整；超过此范围时，步长变得非常大，驱动电路的 −20 dB至+20 dB范围内调整。电路Q由RDAC4调整。欲了解 电阻可能会成为增益公式中的一个重要项。 有关状态可变有源滤波器的详细信息，请参阅ADI公司的 应用笔记AN-318。 10kΩ RDAC4 10kΩ B 0.01µF VIN 0.01µF BRDAC1 A1 B A2 B LOW- RDAC2 A3 PASS RDAC3 A4 BAND- OP279×2 PASS HPAIGSHS- 01092-054 图55. 可编程状态可变有源滤波器 Rev. E | Page 24 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 40 40 –0.16 20.0000k –19.01 2.00000k 20 20 B) 0 B) 0 d d E ( E ( D D U–20 U–20 T T LI LI P P M M A–40 A–40 –60 –60 –8020 100 FRE1kQUENCY(Hz)10k 100k 200k 01092-055 –8020 100 FRE1QkUENCY(Hz)10k 100k 200k 01092-056 图56. 编程中心频率带通响应 图57. 编程幅度带通响应 Rev. E | Page 25 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 外形尺寸 5.00(0.1968) 4.80(0.1890) 8 5 4.00(0.1574) 6.20(0.2441) 3.80(0.1497) 1 4 5.80(0.2284) 1.27(0.0500) 0.50(0.0196) BSC 1.75(0.0688) 0.25(0.0099) 45° 0.25(0.0098) 1.35(0.0532) 8° 0.10(0.0040) 0° COPLANARITY 0.51(0.0201) 0.10 SEATING 0.31(0.0122) 0.25(0.0098) 10..2470((00..00510507)) PLANE 0.17(0.0067) COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMS-012-AA C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHNEOGSNDELISYM)AEANNRDSEIAORRNOESUNANORDETEDAIN-POMPFRIFLOLMPIMIRLELIATIMTEEERTFSEO;RIRNECUQHSUEDIVIINMAELDENENSSTIIOGSNNFS.OR 012407-A 图58. 8引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-8) 图示尺寸单位：mm和(inch) 0.775 (19.69) 0.750 (19.05) 0.735 (18.67) 14 8 0.280 (7.11) 0.250 (6.35) 1 7 0.240 (6.10) 0.325 (8.26) 0.310 (7.87) 0.100 (2.54) 0.300 (7.62) BSC 0.060 (1.52) 0.195 (4.95) 0.210 (5.33) MAX 0.130 (3.30) MAX 0.115 (2.92) 0.015 0.150 (3.81) (0.38) 0.015 (0.38) 0.130 (3.30) MIN GAUGE 0.110 (2.79) SEATING PLANE 0.014 (0.36) PLANE 0.010 (0.25) 0.022 (0.56) 0.008 (0.20) 0.005 (0.13) 0.430 (10.92) 0.018 (0.46) MIN MAX 0.014 (0.36) 0.070 (1.78) 0.050 (1.27) 0.045 (1.14) COMPLIANTTO JEDEC STANDARDS MS-001 CONTROLLING DIMENSIONSARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS (RCINEOFRPEANRREEREN NLCTEEHA EODSNSEL MSY)AAAYNR BDEE AR CROOEU NNNFODIGETUDAR-POEPFDRFOA INSP CRWHIAH TEOEQL UFEIO VORAR LU EHSNAETL ISFN FLDOEEARSDIGSN.. 070606-A 图59. 14引脚塑料双列直插式封装[PDIP] 窄体(N-14) 图示尺寸单位：inch和(mm) Rev. E | Page 26 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 8.75 (0.3445) 8.55 (0.3366) 4.00 (0.1575) 14 8 6.20 (0.2441) 3.80 (0.1496) 1 7 5.80 (0.2283) 1.27 (0.0500) 0.50 (0.0197) BSC 1.75 (0.0689) 0.25 (0.0098) 45° 0.25 (0.0098) 1.35 (0.0531) 8° 0.10 (0.0039) 0° COPLANARITY SEATING 0.10 0.51 (0.0201) PLANE 0.25 (0.0098) 1.27 (0.0500) 0.31 (0.0122) 0.17 (0.0067) 0.40 (0.0157) COMPLIANTTO JEDEC STANDARDS MS-012-AB C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHN EOGSN EDLSIYM)AEANNRDSEI AORRNOESU NANORDEET DAIN-PO MPFRIFLO LMPIIMRLELIATIMTEEER TFSEO; RIRN ECUQHSU EDI VIINMA LEDENENSSTIIOGSN NFS.OR 060606-A 图60. 14引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-14) 图示尺寸单位：mm和(inch) 5.10 5.00 4.90 14 8 4.50 4.40 6.40 BSC 4.30 1 7 PIN 1 0.65 BSC 1.05 1.00 1M.2A0X 0.20 0.80 0.09 0.75 0.15 8° 0.60 0.05 0.30 SPELAATNIENG 0° 0.45 COPLANARITY 0.19 0.10 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1 061908-A 图61. 14引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP] (RU-14) 尺寸单位：mm Rev. E | Page 27 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 1.280 (32.51) 1.250 (31.75) 1.230 (31.24) 24 13 0.280 (7.11) 0.250 (6.35) 1 12 0.240 (6.10) 0.325 (8.26) 0.310 (7.87) 0.100 (2.54) 0.300 (7.62) BSC 0.060 (1.52) 0.195 (4.95) 0.210 (5.33) MAX 0.130 (3.30) MAX 0.115 (2.92) 0.015 0.150 (3.81) (0.38) 0.015 (0.38) 0.130 (3.30) MIN GAUGE 0.115 (2.92) SEATING PLANE 00..001140 ((00..3265)) PLANE 0.022 (0.56) 0.008 (0.20) 0.005 (0.13) 0.430 (10.92) 0.018 (0.46) MIN MAX 0.014 (0.36) 0.070 (1.78) 0.060 (1.52) 0.045 (1.14) COMPLIANTTO JEDEC STANDARDS MS-001 CONTROLLING DIMENSIONSARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS (RCINEOFRPEANRREERENN LCTEEHA EODSNSEL MSY)AAAYNR BDEE AR CROOEU NNNFODIGETUDAR-POEPFDRFOA INSPC RWHIAH ETOEQL UFEIO VORAR LU EHSNAETL ISFN FLDOEEARSDIGSN.. 071006-A 图62. 24引脚塑料双列直插式封装[PDIP] 窄体(N-24-1) 图示尺寸单位：inch和(mm) 15.60(0.6142) 15.20(0.5984) 24 13 7.60(0.2992) 7.40(0.2913) 1 12 10.65(0.4193) 10.00(0.3937) 0.75(0.0295) 45° 2.65(0.1043) 0.25(0.0098) 0.30(0.0118) 2.35(0.0925) 8° 0.10(0.0039) 0° COPLANARITY 0.10 1.27B(0S.C0500) 00..5311((00..00210212)) SPLEAATNIENG 00..3230((00..00103709)) 10..2470((00..00510507)) COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMS-013-AD C(RINOEFNPEATRRREOENNLCLTEIHNEOGSNDELISYM)AEANNRDSEIAORRNOESUNANORDETEDAIN-POMPFRIFLOLMPIMIRLELIATIMTEEERTFSEO;RIRNECUQHSUEDIVIINMAELDENENSSTIIOGSNNFS.OR 06-07-2006-A 图63. 24引脚标准小型封装[SOIC_W] 宽体(RW-24) 图示尺寸单位：mm和(inch) Rev. E | Page 28 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 7.90 7.80 7.70 24 13 4.50 4.40 4.30 6.40 BSC 1 12 PIN 1 0.65 1.20 BSC MAX 0.15 0.05 8° 0.75 0.30 SEATING 0.20 0° 0.60 0.19 PLANE 0.09 0.45 0.10 COPLANARITY COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AD 图64. 24引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP] (RU-24) 尺寸单位：mm Rev. E | Page 29 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 订购指南 端到端 型号1, 2, 3 通道数 R (kΩ) 温度范围(°C) 封装描述 封装选项 订购数量 标识信息 AB AD8400AR10 1 10 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A10 AD8400AR10-REEL 1 10 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A10 AD8400ARZ10 1 10 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A10 AD8400ARZ10-REEL 1 10 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A10 AD8400AR50 1 50 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A50 AD8400AR50-REEL 1 50 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A50 AD8400ARZ50 1 50 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A50 AD8400ARZ50-REEL 1 50 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A50 AD8400AR100 1 100 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400AC AD8400AR100-REEL 1 100 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400AC AD8400ARZ100 1 100 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400AC AD8400ARZ100-REEL 1 100 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400AC AD8400AR1 1 1 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A1 AD8400AR1-REEL 1 1 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A1 AD8400ARZ1 1 1 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 98 AD8400A1 AD8400ARZ1-REEL 1 1 −40 至 +125 8引脚 SOIC_N R-8 2,500 AD8400A1 AD8402AN10 2 10 −40 至 +125 14引脚 PDIP N-14 25 AD8402A10 AD8402ANZ10 2 10 −40 至 +125 14引脚 PDIP N-14 25 AD8402A10 AD8402AR10 2 10 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 56 AD8402A10 AD8402AR10-REEL 2 10 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A10 AD8402ARU10 2 10 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A10 AD8402ARU10-REEL 2 10 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A10 AD8402ARUZ10 2 10 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A10 AD8402ARUZ10-REEL 2 10 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A10 AD8402ARZ10 2 10 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 96 AD8402A10 AD8402ARZ10-REEL 2 10 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A10 AD8402AR50 2 50 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 56 AD8402A50 AD8402AR50-REEL 2 50 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A50 AD8402ARU50 2 50 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A50 AD8402ARU50-REEL 2 50 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A50 AD8402ARUZ50 2 50 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A50 AD8402ARUZ50-REEL 2 50 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A50 AD8402ARZ50 2 50 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 96 AD8402A50 AD8402ARZ50-REEL 2 50 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A50 AD8402AR100 2 100 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 56 AD8402AC AD8402AR100-REEL 2 100 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402AC AD8402ARU100 2 100 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A-C AD8402ARU100-REEL 2 100 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A-C AD8402ARUZ100 2 100 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A-C AD8402ARUZ100-REEL 2 100 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 8402A-C AD8402ARZ100 2 100 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 96 AD8402AC AD8402ARZ100-REEL 2 100 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402AC AD8402AR1 2 1 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 56 AD8402A1 AD8402AR1-REEL 2 1 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A1 AD8402ARU1 2 1 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 8402A1 AD8402ARUZ1 2 1 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 96 AD8402A1 AD8402ARUZ1-REEL 2 1 −40 至 +125 14引脚 TSSOP RU-14 2,500 AD8402A1 AD8402ARZ1 2 1 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 56 AD8402A1 AD8402ARZ1-REEL 2 1 −40 至 +125 14引脚 SOIC_N R-14 2,500 AD8402A1 Rev. E | Page 30 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 端到端 型号1, 2, 3 通道数 R (kΩ) 温度范围(°C) 封装描述 封装选项 订购数量 标识信息 AB AD8403AN10 4 10 −40 至 +125 24引脚 PDIP N-24-1 15 AD8403A10 AD8403AR10 4 10 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 31 AD8403A10 AD8403AR10-REEL 4 10 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 1,000 AD8403A10 AD8403ARU10 4 10 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A10 AD8403ARU10-REEL 4 10 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A10 AD8403ARUZ10 4 10 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A10 AD8403ARUZ10-REEL 4 10 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A10 AD8403ARZ10 4 10 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 63 AD8403A10 AD8403ARZ10-REEL 4 10 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 2,500 AD8403A10 AD8403AN50 4 50 −40 至 +125 24引脚 PDIP N-24-1 15 AD8403A50 AD8403AR50 4 50 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 31 AD8403A50 AD8403AR50-REEL 4 50 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 1,000 AD8403A50 AD8403ARU50 4 50 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A50 AD8403ARUZ50 4 50 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A50 AD8403ARUZ50-REEL 4 50 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A50 AD8403ARZ50 4 50 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 63 AD8403A50 AD8403ARZ50-REEL 4 50 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 2,500 AD8403A50 AD8403AR100 4 100 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 31 AD8403A100 AD8403AR100-REEL 4 100 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 1,000 AD8403A100 AD8403ARU100 4 100 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A100 AD8403ARU100-REEL 4 100 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A100 AD8403ARUZ100 4 100 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A100 AD8403ARUZ100-REEL 4 100 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A100 AD8403ARZ100 4 100 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 63 AD8403A100 AD8403ARZ100-REEL 4 100 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 2,500 AD8403A100 AD8403AR1 4 1 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 31 AD8403A1 AD8403AR1-REEL 4 1 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 1,000 AD8403A1 AD8403ARU1 4 1 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A1 AD8403ARU1-REEL 4 1 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A1 AD8403ARUZ1 4 1 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 63 8403A1 AD8403ARUZ1-REEL 4 1 −40 至 +125 24引脚 TSSOP RU-24 2,500 8403A1 AD8403ARZ1 4 1 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 63 AD8403A1 AD8403ARZ1-REEL 4 1 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 2,500 AD8403A1 AD8403WARZ50-REEL 4 50 −40 至 +125 24引脚 SOIC_W RW-24 2,500 EVAL-AD8403SDZ 评估板 1 非无铅器件的日期代码格式为YWW或YYWW，无铅器件的日期代码格式为#YWW，其中Y/YY表示生产年份，WW表示工作周。例如，在2005年第30工作周 制造的非无铅器件的日期代码为530或0530，而无铅器件的日期代码则为#530。 2 Z = 符合RoHS标准的器件。 3 W = 通过汽车应用认证。 汽车应用级产品 AD8403W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意，车用型号的技术规格可能不同于 商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品才能用于汽车应用。欲 了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地ADI客户代表。 Rev. E | Page 31 of 32

AD8400/AD8402/AD8403 注释 © 2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D01092sc-0-7/10(E) Rev. E | Page 32 of 32