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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供74HCT14DB,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HCT14DB,118价格参考¥1.00-¥1.00。NXP Semiconductors74HCT14DB,118封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, Inverter IC 6 Channel Schmitt Trigger 14-SSOP。您可以下载74HCT14DB,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74HCT14DB,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的74HCT14DB,118是一款逻辑电路中的施密特触发器(Schmitt Trigger)六反相器。该型号在各种应用场景中具有广泛的用途,尤其适用于需要信号整形、噪声抑制和电平转换的场合。 1. 信号整形 74HCT14DB,118的施密特触发特性使其非常适合用于信号整形。它可以将不规则的输入信号(如缓慢变化或带有噪声的信号)转换为干净的方波输出。这种功能在传感器接口、通信线路和时钟信号处理中非常有用,能够提高系统的稳定性和可靠性。 2. 噪声抑制 由于其独特的施密特触发特性,74HCT14DB,118可以在输入信号波动较小时保持输出状态不变,只有当输入信号超过预设的阈值时才改变输出状态。这一特性可以有效抑制噪声干扰,防止误触发,特别适合于恶劣环境下的信号处理。 3. 电平转换 该器件支持5V CMOS/TTL到3.3V CMOS的电平转换。它可以在不同的电压系统之间进行信号传输,确保信号的完整性和兼容性。例如,在混合信号系统中,它可以作为接口芯片,连接不同电压标准的模块,实现无缝通信。 4. 振荡器应用 74HCT14DB,118还可以用作简单的振荡器电路的核心元件。通过外部电阻和电容的配合,它可以生成稳定的时钟信号,适用于定时控制、脉冲生成等应用。 5. 边沿检测 利用其快速响应的特性,74HCT14DB,118可以实现边沿检测功能,检测输入信号的上升沿或下降沿,并产生相应的输出脉冲。这在工业自动化、智能家居等领域有广泛应用。 6. 多路信号处理 由于该芯片内部包含六个独立的反相器,因此可以同时处理多路信号,减少了电路板上的元件数量,简化了设计,降低了成本。 总之,74HCT14DB,118凭借其优异的性能和多功能性,成为许多电子设备和系统中的关键组件,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC HEX INV SCHMITT TRIG 14SSOP变换器 HEX INVERTER SCHMITT |
产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,变换器,NXP Semiconductors 74HCT14DB,11874HCT |
数据手册 | |
产品型号 | 74HCT14DB,118 |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 34ns @ 4.5V,50pF |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
产品种类 | 变换器 |
低电平输出电流 | 4 mA |
供应商器件封装 | 14-SSOP |
其它名称 | 74HCT14DB-T |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 14-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
封装/箱体 | SOT-337 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 2000 |
最大工作温度 | + 125 C |
标准包装 | 2,000 |
特性 | 施密特触发器 |
电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
电流-输出高,低 | 4mA,4mA |
电流-静态(最大值) | 2µA |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电路数 | 6 |
电路数量 | 6 Circuit |
输入数 | 6 |
逻辑电平-低 | 0.5 V ~ 0.6 V |
逻辑电平-高 | 1.9 V ~ 2.1 V |
逻辑类型 | CMOS |
逻辑系列 | HCT |
零件号别名 | 74HCT14DB-T |
高电平输出电流 | - 4 mA |