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74HC20DB,112产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供74HC20DB,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HC20DB,112价格参考。NXP Semiconductors74HC20DB,112封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, NAND Gate IC 2 Channel 14-SSOP。您可以下载74HC20DB,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74HC20DB,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的74HC20DB,112是一款双四输入与门(AND Gate)逻辑器件,属于74HC系列。该系列以低功耗、高开关速度和宽工作电压范围著称,适用于各种数字电路设计。 应用场景: 1. 数字信号处理: - 74HC20DB,112常用于数字信号处理系统中,如音频处理、图像处理等。它可以作为多个条件的逻辑判断单元,只有当所有输入信号都为高电平时,输出才会为高电平,确保信号的准确性和可靠性。 2. 通信设备: - 在通信设备中,这款芯片可以用于信号同步和数据传输控制。例如,在多路复用器中,它可以帮助选择正确的信号路径,确保数据在不同通道之间的正确传递。 3. 工业自动化: - 在工业控制系统中,74HC20DB,112可用于实现复杂的逻辑控制功能。例如,在生产线上的传感器检测到多个条件满足时(如温度、压力、位置等),通过与门逻辑触发特定的操作,如启动或停止某个设备。 4. 消费电子: - 在消费电子产品中,如智能家居设备、家电控制器等,74HC20DB,112可以用于实现用户指令的逻辑判断。例如,在智能灯光控制系统中,只有当多个条件(如时间、光线强度、用户手动操作)同时满足时,灯光才会开启或关闭。 5. 计算机外围设备: - 在计算机外围设备中,这款芯片可以用于接口控制和状态监测。例如,在USB集线器中,它可以用于检测多个端口的状态,并根据这些状态执行相应的操作。 6. 电源管理: - 在电源管理系统中,74HC20DB,112可以用于监控多个电源输入的状态,确保只有在所有电源输入正常的情况下,才允许系统上电或继续运行。 总之,74HC20DB,112凭借其可靠的逻辑功能和广泛的适用性,成为众多数字电路设计中的重要组成部分,广泛应用于从消费电子到工业控制等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE NAND 2CH 4-INP 14-SSOP逻辑门 DUAL 4-INPUT NAND |
产品分类 | |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,NXP Semiconductors 74HC20DB,11274HC |
数据手册 | |
产品型号 | 74HC20DB,112 |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 15ns @ 6V,50pF |
产品 | NAND |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 8 ns |
低电平输出电流 | 5.2 mA |
供应商器件封装 | 14-SSOP |
其它名称 | 568-2643-5 |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 14-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
封装/箱体 | SOT-337 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 1092 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极数量 | 2 Gate |
标准包装 | 78 |
特性 | - |
电压-电源 | 2 V ~ 6 V |
电流-输出高,低 | 5.2mA,5.2mA |
电流-静态(最大值) | 2µA |
电源电压-最大 | 6 V |
电源电压-最小 | 2 V |
电路数 | 2 |
输入/输出线数量 | 4 / 1 |
输入数 | 4 |
输入线路数量 | 4 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 0.5 V ~ 1.8 V |
逻辑电平-高 | 1.5 V ~ 4.2 V |
逻辑类型 | 与非门 |
逻辑系列 | HC |
零件号别名 | 74HC20DB |
高电平输出电流 | - 5.2 mA |