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74HC14DB,112产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供74HC14DB,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74HC14DB,112价格参考。NXP Semiconductors74HC14DB,112封装/规格:逻辑 - 栅极和逆变器, Inverter IC 6 Channel Schmitt Trigger 14-SSOP。您可以下载74HC14DB,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有74HC14DB,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的74HC14DB,112是一款属于逻辑 - 栅极和逆变器类别的集成电路(IC)。该型号具体为六通道施密特触发反相器,广泛应用于各种电子设备中,特别是在信号处理和波形整形方面。 应用场景: 1. 信号调理与波形整形: 74HC14DB,112的施密特触发特性使其非常适合用于信号调理。它可以将不规则的输入信号(如噪声干扰或缓慢变化的信号)转换为干净的方波输出。这种特性在传感器接口、开关电路和时钟信号生成中非常有用。 2. 脉冲展宽与延时: 通过调节外部电阻和电容,可以实现对输入脉冲的展宽或延时。这对于需要精确控制信号时间的应用非常重要,例如定时电路、延迟触发器等。 3. 噪声抑制: 施密特触发器具有回差电压特性,能够有效抑制输入信号中的噪声,防止误触发。这在恶劣电磁环境中尤为重要,例如工业控制系统、汽车电子等。 4. 振荡器电路: 利用其内部的反相器和外部元件,可以构建简单的RC振荡器。这种振荡器常用于产生时钟信号或定时脉冲,适用于计时器、PWM控制器等。 5. 数字通信接口: 在低速数字通信中,74HC14DB,112可用于信号的电平转换和整形,确保数据传输的稳定性和可靠性。例如,在串行通信接口、SPI总线等应用中。 6. LED驱动与显示控制: 该芯片还可以用于驱动LED或其他低功耗负载。通过适当的电路设计,可以实现LED闪烁、亮度调节等功能,适用于指示灯、显示屏等应用场景。 7. 音频信号处理: 在某些音频设备中,74HC14DB,112可用于音频信号的整形和放大,特别是在简单的声音报警系统或音效处理电路中。 总之,74HC14DB,112凭借其施密特触发反相器的独特性能,在信号调理、噪声抑制、振荡器构建等方面有着广泛的应用,适用于多种电子设备和控制系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC HEX INVERT SCHM TRIG 14SSOP变换器 HEX INV SCHMITT TRIG |
产品分类 | |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,变换器,NXP Semiconductors 74HC14DB,11274HC |
数据手册 | |
产品型号 | 74HC14DB,112 |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 21ns @ 6V,50pF |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 变换器 |
传播延迟时间 | 125 ns, 25 ns, 21 ns |
低电平输出电流 | 5.2 mA |
供应商器件封装 | 14-SSOP |
其它名称 | 568-2611-5 |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 14-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
封装/箱体 | SOT-337 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
工厂包装数量 | 1092 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 78 |
特性 | 施密特触发器 |
电压-电源 | 2 V ~ 6 V |
电流-输出高,低 | 5.2mA,5.2mA |
电流-静态(最大值) | 2µA |
电源电压-最大 | 6 V |
电源电压-最小 | 2 V |
电路数 | 6 |
电路数量 | 6 Circuit |
输入数 | 6 |
逻辑电平-低 | 0.3 V ~ 1.2 V |
逻辑电平-高 | 1.5 V ~ 4.2 V |
逻辑类型 | CMOS |
逻辑系列 | 74HC |
零件号别名 | 74HC14DB |
高电平输出电流 | - 5.2 mA |