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产品简介:
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参数 | 数值 |
品牌 | IDT |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL 先进先出 |
产品分类 | 集成电路 - IC |
产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/720072017202-datasheet |
产品图片 | |
rohs | 否 |
产品系列 | 内存,先进先出,IDT 7200L35TP |
产品型号 | 7200L35TP |
产品种类 | 先进先出 |
商标 | IDT |
存储容量 | 2.3 kbit |
安装风格 | Through Hole |
定时类型 | Asynchronous |
封装 | Tube |
封装/箱体 | PDIP-28 |
工厂包装数量 | 14 |
总线定向 | Bidirectional |
数据总线宽度 | 9 bit |
最大工作温度 | + 70 C |
最大工作电流 | 80 mA |
最大时钟频率 | 50 MHz |
最小工作温度 | 0 C |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 4.5 V |
电路数量 | 2 |
系列 | 7200 |
组织 | 256 x 9 |
访问时间 | 12 ns |
零件号别名 | 7200 IDT7200L35TP |