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Datasheet下载- 型号： 6N135-300E
- 制造商： Avago Technologies
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供6N135-300E由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 6N135-300E价格参考。Avago Technologies6N135-300E封装/规格：光隔离器 - 晶体管，光电输出， 光隔离器 有基极的晶体管 输出 3750Vrms 1 通道 8-SMD。您可以下载6N135-300E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有6N135-300E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的6N135-300E是一款光电隔离器，具体分类为光隔离器 - 晶体管，光电输出。这款器件广泛应用于需要电气隔离和信号传输的各种场景中，主要功能是通过光耦合的方式实现输入与输出之间的电气隔离，从而有效防止干扰和噪声的传递，提高系统的稳定性和安全性。 应用场景 1. 工业自动化控制系统： 在工业自动化系统中，6N135-300E用于隔离传感器、执行器和其他控制设备之间的信号传输。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它可以隔离输入/输出模块，防止外界干扰对控制系统的影响，确保信号的准确性和稳定性。 2. 通信设备： 6N135-300E常用于通信设备中的信号隔离，特别是在长距离通信或存在高电压差的场合。它可以在不同电位的电路之间提供可靠的信号传输，同时防止地线噪声和电磁干扰的影响。 3. 医疗设备： 医疗设备对电气安全要求极高，6N135-300E可以用于隔离患者接触部分与电源或控制系统之间的信号，确保患者和操作人员的安全。例如，在心电图机、监护仪等设备中，它能够有效隔离模拟信号和数字信号，防止漏电和干扰。 4. 电力电子系统： 在电力电子系统中，如变频器、逆变器等，6N135-300E用于隔离高压侧和低压侧的控制信号，确保高低压电路之间的电气隔离，避免高压对低压电路的破坏。此外，它还可以用于电源监控和保护电路中，提供可靠的信号隔离。 5. 消费电子产品： 在一些消费电子产品中，如家用电器、音频设备等，6N135-300E可以用于隔离用户界面和内部电路之间的信号，防止外界干扰影响设备的正常工作。例如，在智能家电中，它可以隔离触摸屏控制器和主控板之间的信号，提高系统的抗干扰能力。 6. 汽车电子： 在汽车电子系统中，6N135-300E可以用于隔离车载网络中的各种传感器和控制器之间的信号，确保信号传输的可靠性和安全性。特别是在电动汽车和混合动力汽车中，它能够有效隔离高压电池管理系统和低压控制系统之间的信号，防止高压对低压电路的影响。 总之，6N135-300E凭借其优异的电气隔离性能和可靠性，广泛应用于多个领域，特别是在需要电气隔离和抗干扰的场合中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS W/BASE 8SMD高速光耦合器 1 Mb/s 3750Vrms |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0171EN |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,高速光耦合器,Avago Technologies 6N135-300E- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0171EN |
| 产品型号 | 6N135-300E |
| PCN封装 | |
| Vce饱和值（最大值） | - |
| 上升/下降时间（典型值） | - |
| 上升时间 | 1.5 us |
| 下降时间 | 1.5 us |
| 产品种类 | 高速光耦合器 |
| 供应商器件封装 | 8-SMD |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SMD，鸥翼型 |
| 封装/箱体 | PDIP-8 Gull Wing |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 0.2µs， 1.3µs |
| 数据速率 | 1 MBd |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大反向二极管电压 | 5 V |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.7 V |
| 最大正向二极管电流 | 25 mA |
| 最大连续输出电流 | 8 mA |
| 最大集电极电流 | 8 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电流 | 25 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.5V |
| 电压-输出（最大值） | 20V |
| 电压-隔离 | 3750Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 25mA |
| 电流-输出/通道 | 8mA |
| 电流传输比（最大值） | 50% @ 16mA |
| 电流传输比（最小值） | 7% @ 16mA |
| 电流传递比 | 18 % |
| 绝缘电压 | 3750 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 有基极的晶体管 |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
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