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Datasheet下载- 型号： 5LN01C-TB-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01C-TB-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01C-TB-H价格参考。ON Semiconductor5LN01C-TB-H封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP。您可以下载5LN01C-TB-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01C-TB-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的5LN01C-TB-H是一款N沟道MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 5LN01C-TB-H适用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机的驱动电路中，作为电子开关控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在H桥或半桥电路中，实现电机的正转和反转功能。 3. 负载开关 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，用作负载开关以管理不同模块的供电。 - 提供快速的开启/关闭功能，同时减少静态电流消耗。 4. 电池管理 - 用于锂离子电池保护电路中，防止过充、过放、短路等异常情况。 - 控制电池充放电路径，确保系统安全运行。 5. 信号切换 - 在多路复用器或信号切换电路中，作为低噪声、高速开关使用。 - 适用于音频、视频或其他模拟信号的切换。 6. LED驱动 - 用于驱动高亮度LED（如汽车照明、背光显示等），通过PWM调光实现亮度调节。 - 其低导通电阻有助于降低发热，提升LED的使用寿命。 7. 工业控制 - 在工业自动化设备中，用于控制继电器、电磁阀或其他执行机构。 - 提供可靠的开关性能，适应复杂的工业环境。 8. 消费电子 - 应用于各种消费电子产品（如家电、音响设备等）中的功率管理模块。 - 提供高效的功率转换和稳定的性能表现。 总结 5LN01C-TB-H凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式（如SOT-23等），广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和小尺寸设计的场景。具体应用时需根据实际需求选择合适的驱动电压和散热设计，以确保器件稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA CP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 5LN01C-TB-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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