ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 5LN01C-TB-H
Datasheet下载- 型号： 5LN01C-TB-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01C-TB-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01C-TB-H价格参考。ON Semiconductor5LN01C-TB-H封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP。您可以下载5LN01C-TB-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01C-TB-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA CP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 5LN01C-TB-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
