ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 5LN01C-TB-E
Datasheet下载- 型号： 5LN01C-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01C-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01C-TB-E价格参考。ON Semiconductor5LN01C-TB-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 100mA（Ta） 250mW（Ta） 3-CP。您可以下载5LN01C-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LN01C-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）生产的型号为5LN01C-TB-E的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单个器件。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 该MOSFET适合用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、降压或升压电路。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性可以降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 - 可应用于家用电器、玩具、无人机等需要精确控制的小功率电机系统。 3. 负载开关 - 用作负载开关以实现对不同负载的快速开启和关闭。 - 常见于消费电子设备中，如手机充电器、笔记本电脑适配器等。 4. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 - 可用于便携式设备（如移动电源、电动工具）中的电池充放电控制。 5. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号路径的切换，确保信号传输的稳定性和低失真。 6. 逆变器电路 - 在小型逆变器中作为开关元件，将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变应用。 7. LED驱动 - 在LED照明系统中，用于调光控制或恒流驱动，确保LED亮度的稳定性和节能效果。 8. 通信设备 - 在通信模块或基站中，用于电源管理和信号处理部分的开关功能。 特性总结： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高系统效率。 - 高开关速度：适用于高频电路设计。 - 紧凑封装：节省PCB空间，适合小型化设计。 这些特点使得5LN01C-TB-E成为许多低功率、高效能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LN01C-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 5LN01C-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Qg-GateCharge | 1.57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.57 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 典型关闭延迟时间 | 190 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 1.57 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
| 系列 | 5LN01C |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
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