图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： 4N35-W60E
- 制造商： Avago Technologies
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供4N35-W60E由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 4N35-W60E价格参考。Avago Technologies4N35-W60E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载4N35-W60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有4N35-W60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP晶体管输出光电耦合器 3550 Vrms 60mA |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0773EN |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Avago Technologies 4N35-W60E- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0773EN |
| 产品型号 | 4N35-W60E |
| Vce饱和值（最大值） | 300mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 3µs， 3µs |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-DIP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.400"，10.16mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-6 Wide |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 65 |
| 打开/关闭时间（典型值） | - |
| 最大上升时间 | 10 us |
| 最大下降时间 | 10 us |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 30 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极电流 | 100 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 65 |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.2V |
| 电压-输出（最大值） | 30V |
| 电压-隔离 | 3550Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | 100mA |
| 电流传输比（最大值） | - |
| 电流传输比（最小值） | 100% @ 10mA |
| 绝缘电压 | 3550 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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