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  • 型号: 4N35(SHORT,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供4N35(SHORT,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 4N35(SHORT,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.4N35(SHORT,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载4N35(SHORT,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有4N35(SHORT,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

隔离器半导体

描述

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP晶体管输出光电耦合器 TR HIGH CTR (SHORT)

产品分类

光隔离器 - 晶体管,光电输出集成电路 - IC

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba 4N35(SHORT,F)-

数据手册

产品型号

4N35(SHORT,F)4N35(SHORT,F)

Vce饱和值(最大值)

300mV

上升/下降时间(典型值)

-

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

晶体管输出光电耦合器

供应商器件封装

6-DIP

其它名称

4N35SHORTF

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

封装

Bulk

封装/外壳

6-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

PDIP-6

工作温度

-55°C ~ 100°C

工厂包装数量

50

打开/关闭时间(典型值)

3µs, 3µs

最大功率耗散

300 mW

最大反向二极管电压

6 V

最大工作温度

+ 100 C

最大正向二极管电压

1.5 V

最大输入二极管电流

60 mA

最大集电极/发射极电压

30 V

最大集电极/发射极饱和电压

0.3 V

最大集电极电流

100 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向电流

10 mA

每芯片的通道数量

1 Channel

电压-正向(Vf)(典型值)

1.15V

电压-输出(最大值)

30V

电压-隔离

2500Vrms

电流-DC正向(If)

60mA

电流-输出/通道

100mA

电流传输比(最大值)

-

电流传输比(最小值)

40% @ 10mA

电流传递比

100 %

绝缘电压

2500 Vrms

输入类型

DC

输出类型

有基极的晶体管DC

输出设备

NPN Phototransistor

通道数

1

配置

1 Channel

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