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  • 型号: 3STL2540
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3STL2540由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3STL2540价格参考。STMicroelectronics3STL2540封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3STL2540参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3STL2540 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT3两极晶体管 - BJT LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 3STL2540-

数据手册

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产品型号

3STL2540

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 10mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

210 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PowerFlat™ (2x2)

其它名称

497-13093-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF252409?referrer=70071840

功率-最大值

1.2W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-PowerUDFN

封装/箱体

PowerFLAT 2 x 2

工厂包装数量

10000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1.2 W

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

3STL2540

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极连续电流

- 5 A

频率-跃迁

130MHz

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