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Datasheet下载- 型号： 3SK292(TE85R,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3SK292(TE85R,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3SK292(TE85R,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.3SK292(TE85R,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3SK292(TE85R,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3SK292(TE85R,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ射频MOSFET晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1387885&lineid=85&subcategoryid=1936987&familyid=900135 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 3SK292(TE85R,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=3SK292 |
| 产品型号 | 3SK292(TE85R,F)3SK292(TE85R,F) |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12.5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SMQ |
| 其它名称 | 3SK292(TE85RF)DKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 噪声系数 | 1.4dB |
| 增益 | 26 dB26dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-61AA |
| 封装/箱体 | SMQ-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12.5 V |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 12.5V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | TV Tuner, VHF RF Amplifier |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
| 频率 | 500MHz500 MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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