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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH SMQ射频MOSFET晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
Id-连续漏极电流 | 30 mA |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=3SK291&lang=en |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 3SK291(TE85L,F)- |
数据手册 | |
产品型号 | 3SK291(TE85L,F)3SK291(TE85L,F) |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | High Frequency MOSFET |
供应商器件封装 | SMQ |
其它名称 | 3SK291(TE85LF)CT |
功率-输出 | - |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Toshiba |
噪声系数 | 2.5dB |
增益 | 22.5dB22.5 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-61AA |
封装/箱体 | SOT-24 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | N 通道双门 |
标准包装 | 1 |
漏极连续电流 | 30 mA |
电压-测试 | 6V |
电压-额定 | 12.5V |
电流-测试 | 10mA |
类型 | TV UHF Amplifier |
配置 | Dual |
频率 | 800MHz800 MHz |
额定电流 | 30mA |