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Datasheet下载- 型号： 3LP01M-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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3LP01M-TL-H产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3LP01M-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP01M-TL-H价格参考。ON Semiconductor3LP01M-TL-H封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 100mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP。您可以下载3LP01M-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3LP01M-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 100MA MCPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 0.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3LP01M-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 3LP01M-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Qg-GateCharge | 1.43 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.43 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.5pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.4 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | TO-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 110 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA（Ta） |
| 系列 | 3LP01M |
| 配置 | Single |
