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2STD2360T4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2STD2360T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STD2360T4价格参考。STMicroelectronics2STD2360T4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 3A 130MHz 15W 表面贴装 DPAK。您可以下载2STD2360T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2STD2360T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP PB-HDC 60V 3A DPAK两极晶体管 - BJT Low Voltage PNP Pwr Trans |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STD2360T4- |
数据手册 | |
产品型号 | 2STD2360T4 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 150mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 1A,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Power Bipolar Transistors |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-10285-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF248243?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 15W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | STMicroelectronics |
增益带宽产品fT | 130 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 15 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | - 5 A |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | 2STD2360 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
集电极连续电流 | - 3 A |
频率-跃迁 | 130MHz |