Datasheet下载- 型号： 2STC4467
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2STC4467由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STC4467价格参考。STMicroelectronics2STC4467封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2STC4467参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2STC4467 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HP BIPO 120V TO-3P两极晶体管 - BJT High power NPN Bipolar transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STC4467- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2STC4467 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 3A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-6957-5 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 20 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 300 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 80000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/2sta.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 3 A at 4 V |
| 系列 | 2STC4467 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 频率-跃迁 | 20MHz |
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