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  • 型号: 2STBN15D100T4
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2STBN15D100T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STBN15D100T4价格参考。STMicroelectronics2STBN15D100T4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 12A 70W 表面贴装 D²PAK。您可以下载2STBN15D100T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2STBN15D100T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK两极晶体管 - BJT Low Voltage NPN 750 hFE 100V Vceo

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STBN15D100T4-

数据手册

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产品型号

2STBN15D100T4

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.3V @ 4mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

750 @ 3A,3V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D²PAK

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC88/PF246838?referrer=70071840

功率-最大值

70W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大功率耗散

70 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

15 A

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

12A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

750

系列

2STBN15D100

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极连续电流

12 A

频率-跃迁

-

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