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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2STBN15D100T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STBN15D100T4价格参考。STMicroelectronics2STBN15D100T4封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 100V 12A 70W 表面贴装 D²PAK。您可以下载2STBN15D100T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2STBN15D100T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN DARL 100V 12A D2PAK两极晶体管 - BJT Low Voltage NPN 750 hFE 100V Vceo |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STBN15D100T4- |
数据手册 | |
产品型号 | 2STBN15D100T4 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.3V @ 4mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 3A,3V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC88/PF246838?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
最大功率耗散 | 70 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 15 A |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 12A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 750 |
系列 | 2STBN15D100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极连续电流 | 12 A |
频率-跃迁 | - |