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Datasheet下载- 型号： 2SK880-Y(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK880-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK880-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK880-Y(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 50V 100mW Surface Mount USM。您可以下载2SK880-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK880-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为2SK880-Y(TE85L,F)的JFET晶体管，属于N沟道结型场效应晶体管（JFET）。其主要应用场景包括： 1. 音频放大器：2SK880-Y常用于高质量音频放大电路中，特别是在前置放大器阶段。由于JFET具有低噪声和高输入阻抗特性，它能够提供清晰、失真小的音频信号处理。 2. 射频（RF）电路：该型号适用于高频应用，如射频放大器和混频器。其高增益和低噪声性能使其成为无线通信设备中的理想选择。 3. 模拟开关：利用JFET的低导通电阻和快速开关速度，2SK880-Y可以作为模拟开关使用，在多路复用器或信号路由系统中表现优异。 4. 传感器信号调理：在精密传感器信号放大和调理电路中，此型号可有效放大微弱信号，同时保持信号完整性。 5. 电源管理：尽管不是主流应用，但在某些特定场合下，2SK880-Y也可用于小型电源管理模块，例如限流保护或恒流源设计。 6. 测试测量设备：在需要高精度和稳定性的测试仪器中，这款JFET可用于构建高性能的测量电路。 总之，2SK880-Y因其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于对信号质量和稳定性要求较高的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 50V 100MW USM |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK880-Y(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1.5V @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SK880-Y(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 50V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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