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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FIMOSFET POWER MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SK4085LS- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SK4085LS |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 430 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 430 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 430 毫欧 @ 8A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FI(LS) |
其它名称 | 869-1042 |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 40 W |
包装 | 散装 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 430 mOhms |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 100 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 100 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |