ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2SK3745LS-1E
Datasheet下载- 型号： 2SK3745LS-1E
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3745LS-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3745LS-1E价格参考。ON Semiconductor2SK3745LS-1E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1500V 2A（Ta） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS。您可以下载2SK3745LS-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3745LS-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3745LS-1E 是由 ON Semiconductor 提供的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 通常适用于以下应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：2SK3745LS-1E 的低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds）特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器，提高效率并降低功耗。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机（BLDC）：可用于驱动小型 BLDC 电机，特别是在需要高效功率传输的应用中。 - 步进电机控制：通过 PWM 信号控制电机的速度和方向，适合家用电器或工业自动化设备。 3. 音频放大器 - 在 Class D 音频放大器中作为输出级开关元件，提供高效的音频信号放大功能，同时减少热量产生。 4. 电池管理系统（BMS） - 用于锂电池或其他类型电池的充放电管理，实现过流保护、短路保护以及精确的电流控制。 - 在电池组中作为平衡开关，确保各节电池电压一致。 5. 信号切换与隔离 - 在多路复用器或信号切换电路中，利用其低导通电阻特性来最小化信号损失。 - 可用于光耦合器等隔离电路中，实现输入与输出之间的电气隔离。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降系统、座椅调节、雨刷控制等，要求高可靠性和耐用性的应用。 - LED 照明驱动：为汽车内外 LED 灯提供稳定电流，支持亮度调节功能。 7. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：在适配器中作为功率开关，提供高效的能量转换。 - 智能家居设备：例如智能插座、智能灯泡等，用于电源控制和负载管理。 8. 工业自动化 - 传感器接口：用于驱动传感器或处理传感器信号，实现精准的数据采集。 - 继电器替代：在需要快速开关响应的场合，MOSFET 可以取代传统机械继电器。 总之，2SK3745LS-1E 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率转换、信号切换和负载控制的场景中。具体选择时需根据实际工作条件（如电压、电流、频率等）进行详细评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2AMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SK3745LS-1E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3745LS-1E |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 13 Ohms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | 2SK3745LS |
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