Datasheet下载- 型号： 2SK3666-3-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3666-3-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3666-3-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK3666-3-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3666-3-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3666-3-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3666-3-TB-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 180mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 其它名称 | 869-1107-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | 200 欧姆 |
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