Datasheet下载- 型号： 2SK3666-2-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3666-2-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3666-2-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK3666-2-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3666-2-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3666-2-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 10MA 200MW CPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3666-2-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 180mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 600µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | CP-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | 200 欧姆 |
| 系列 | 2SK3666 |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
