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Datasheet下载- 型号： 2SK3566(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3566(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3566(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3566(STA4,Q,M)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 900V 2.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS。您可以下载2SK3566(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3566(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3566（STA4, Q, M）是东芝半导体和存储公司生产的一款单个FET（场效应晶体管），具体为MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该型号的晶体管广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效功率管理、快速开关响应以及高可靠性的场合。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2SK3566常用于音频放大器的设计中，特别是在高保真音响系统中。它能够提供低噪声、高增益和良好的线性特性，确保音频信号的高质量传输和放大。由于其出色的热稳定性和耐用性，适用于家庭影院、专业音响设备等。 2. 电源管理系统 在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中，2SK3566因其高效的开关特性和低导通电阻，能够实现高效率的能量转换。它还可以用于电池充电电路中，帮助提高充电速度并减少能量损耗。 3. 电机驱动 该型号的MOSFET在电机驱动应用中表现出色，尤其适合小型直流电机或步进电机的控制。它能够承受较大的电流波动，并且具有快速的开关速度，有助于实现精确的电机控制和节能运行。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，2SK3566被广泛应用于各种控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等。它能够处理复杂的信号处理任务，并且具备良好的抗干扰能力，确保系统的稳定性和可靠性。 5. 通信设备 在通信设备中，2SK3566可用于射频（RF）放大器、滤波器等组件中，帮助提升信号传输的质量和稳定性。其低噪声和高增益特性使其成为高频通信应用的理想选择。 6. 汽车电子 汽车电子系统对元件的可靠性和耐久性要求极高，2SK3566凭借其优异的性能和稳定性，在汽车点火系统、电动助力转向（EPS）、LED照明等应用中得到了广泛应用。 总之，2SK3566（STA4, Q, M）以其高性能、高可靠性和广泛的适用性，在多个领域展现出卓越的表现，是许多电子设计工程师的首选之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SISMOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3566 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba 2SK3566(STA4,Q,M)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3566(STA4,Q,M)2SK3566(STA4,Q,M) |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | 2SK3566(Q) |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5.6 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 900 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A（Ta） |
| 配置 | Single |
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