ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > 2SK3566(STA4,Q,M)
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3566(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3566(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3566(STA4,Q,M)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 2.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS。您可以下载2SK3566(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3566(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SISMOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3566 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba 2SK3566(STA4,Q,M)- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SK3566(STA4,Q,M)2SK3566(STA4,Q,M) |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.4 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | 2SK3566(Q) |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 5.6 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2 S |
汲极/源极击穿电压 | 900 V |
漏极连续电流 | 2.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A(Ta) |
配置 | Single |