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  • 型号: 2SK3565(Q,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3565(Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3565(Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3565(Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK3565(Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3565(Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

2SK3565(Q,M)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1150pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5 欧姆 @ 3A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-220SIS

其它名称

2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM

功率-最大值

45W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A(Ta)

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