Datasheet下载- 型号： 2SK2145-GR(TE85L,F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2145-GR(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2145-GR(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2145-GR(TE85L,F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK2145-GR(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK2145-GR(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 13 pF |
| Ciss-输入电容 | 13 pF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V SMVJFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 mA |
| Id-连续漏极电流 | 14 mA |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924543&lineid=54&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Toshiba 2SK2145-GR(TE85L,F- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=2SK2145&lang=en&type=datasheet |
| 产品型号 | 2SK2145-GR(TE85L,F2SK2145-GR(TE85L,F |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 2.6 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2.6mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | 2SK2145-GR(TE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏极连续电流 | 14 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | 10 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 输入电容 | 13 pF |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源截止电压 | - 1.5 V |
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