ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > 2SK209-BL(TE85L,F)
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Datasheet下载- 型号： 2SK209-BL(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK209-BL(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK209-BL(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK209-BL(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET 10V 500µA 1kHz SC-59。您可以下载2SK209-BL(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK209-BL(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH S-MINI FETJFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 mA |
| Id-连续漏极电流 | 14 mA |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924615&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Toshiba 2SK209-BL(TE85L,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK209-BL(TE85L,F)2SK209-BL(TE85L,F) |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | 2SK209-BL(TE85LF)DKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极连续电流 | 14 mA |
| 电压-测试 | 10V |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | 500µA |
| 系列 | 2SK209 |
| 配置 | Single |
| 频率 | 1kHz |
| 额定电流 | - |
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