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Datasheet下载- 型号： 2SK208-Y(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK208-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK208-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK208-Y(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK208-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK208-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 8.2 pF |
| Ciss-输入电容 | 8.2 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V S-MINIJFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 mA |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 mA |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924594&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Toshiba 2SK208-Y(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK208 |
| 产品型号 | 2SK208-Y(TE85L,F)2SK208-Y(TE85L,F) |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 1.2 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 400mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8.2pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | 2SK208-Y(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏极连续电流 | 6.5 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | 10 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 输入电容 | 8.2 pF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源截止电压 | - 5 V |
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