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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK208-R(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK208-R(TE85L,F)价格参考¥1.02-¥1.51。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK208-R(TE85L,F)封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 100mW Surface Mount S-Mini。您可以下载2SK208-R(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK208-R(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-InputCapacitance | 8.2 pF |
Ciss-输入电容 | 8.2 pF |
描述 | MOSFET N-CH 50V S-MINIJFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 mA |
Id-连续漏极电流 | 6.5 mA |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924594&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Toshiba 2SK208-R(TE85L,F)- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK208 |
产品型号 | 2SK208-R(TE85L,F)2SK208-R(TE85L,F) |
Pd-PowerDissipation | 100 mW |
Pd-功率耗散 | 100 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 0.3 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 400mV @ 100nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 300µA @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8.2pF @ 10V |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | S-Mini |
其它名称 | 2SK208-R(TE85LF)DKR |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏极连续电流 | 6.5 mA |
漏源极电压(Vdss) | - |
漏源电压VDS | 10 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
电阻-RDS(开) | - |
输入电容 | 8.2 pF |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 30 V |
闸/源截止电压 | - 5 V |