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  • 型号: 2SK2009TE85LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2009TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2009TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2009TE85LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK2009TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK2009TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI射频MOSFET晶体管 N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK2009

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 2SK2009TE85LF-

数据手册

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产品型号

2SK2009TE85LF2SK2009TE85LF

Pd-PowerDissipation

200 mW

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

70pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2欧姆 @ 50MA, 2.5V

产品种类

射频MOSFET晶体管

产品类型

Small-signal MOSFET

供应商器件封装

SC-59-3

其它名称

2SK2009TE85LFCT

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

1.2 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-346

工厂包装数量

3000

技术

MOSFET

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

MOSFET

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

100 mS

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

200 mA

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA (Ta)

类型

N Channel MOSFET

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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