数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2009TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2009TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2009TE85LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK2009TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK2009TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI射频MOSFET晶体管 N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK2009 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 2SK2009TE85LF- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SK2009TE85LF2SK2009TE85LF |
Pd-PowerDissipation | 200 mW |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 70pF @ 3V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2欧姆 @ 50MA, 2.5V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | Small-signal MOSFET |
供应商器件封装 | SC-59-3 |
其它名称 | 2SK2009TE85LFCT |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 1.2 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-346 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 100 mS |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 200 mA |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
类型 | N Channel MOSFET |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |