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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK1342-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK1342-E价格参考。RENESAS ELECTRONICS2SK1342-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P。您可以下载2SK1342-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK1342-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK1342-E 是由 Renesas Electronics 提供的一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 功率转换与电源管理 - 开关电源 (SMPS):2SK1342-E 的高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地实现电压转换。 - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换电路中,该 MOSFET 可用作主开关或同步整流器,提供高效的能量传输。 - 逆变器:在小型逆变器应用中,这款 MOSFET 能够处理高频开关操作,适用于将直流电转换为交流电的场景。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动:由于其良好的开关特性和耐压能力,2SK1342-E 可用于驱动 BLDC 电机,广泛应用于家用电器、工业设备和消费电子产品。 - 步进电机控制:在需要精确控制的步进电机系统中,该 MOSFET 可以作为功率级元件,实现电流的快速切换。 3. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的应用中,例如电池管理系统 (BMS) 或汽车电子设备中,2SK1342-E 可用作高效的负载开关,提供低损耗的电流路径。 4. 保护电路 - 过流保护:利用 MOSFET 的快速响应特性,2SK1342-E 可以设计到过流保护电路中,及时切断异常电流。 - ESD 和浪涌保护:在某些情况下,该器件可以用来吸收瞬态电压尖峰,保护后端敏感电路。 5. 音频放大器 - 在一些高性能音频放大器中,2SK1342-E 可用作输出级器件,提供稳定的电流输出并减少失真。 6. 通信设备 - 在射频 (RF) 和通信模块中,这款 MOSFET 可用于功率放大器或信号调节电路,支持高频信号处理。 总结 2SK1342-E 凭借其出色的电气性能(如高耐压、低导通电阻和快速开关速度),主要应用于功率转换、电机驱动、负载开关、保护电路以及音频放大等领域。它特别适合需要高效能量传输和可靠开关操作的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SK1342-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 100W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta) |